贾璐
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
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- 溅射法制备a-GaN薄膜的光学性质
- 2006年
- 利用直流磁控溅射方法制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜.X射线衍射分析以及傅里叶变换红外吸收谱表明薄膜是非晶结构.通过紫外-可见光谱测量得到,样品随着衬底温度的升高而变厚,光学带隙随着衬底温度的升高而变小,Ar对薄膜的光学带隙和表面粗糙程度有很大的影响.
- 贾璐谢二庆潘孝军张振兴
- 关键词：光学带隙
- 非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性被引量：1
- 2006年
- 采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104cm-3和位于Ec-0.363eV的陷阱能级.测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.
- 张振兴谢二庆潘孝军贾璐韩卫华
- 关键词：非晶GAN
- 溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能被引量：6
- 2009年
- 采用直流磁控溅射方法在不同的氩气-氮气(Ar-N2)气氛中制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜.X射线衍射分析(XRD)和拉曼光谱(Raman)表明薄膜具有非晶结构.通过椭偏光谱(SE)得到薄膜的折射率和厚度都随着氩气分量的增多而增大.紫外—可见光谱(UV-Vis)的测量得到,当氩气分量R,即Ar/(Ar+N2),为0%时,薄膜的光学带隙为3.90eV,比晶体GaN(c-GaN)的较大,这主要是由非晶结构中原子无序性造成的;而当R增大时(10%—40%),薄膜的光学带隙降低为2.80—3.30eV,这可能是由于薄膜中存在未成键Ga原子引起的.对吸收带尾进行了拟合,得到在高能量和低能量范围的带尾态特征能量分别为0.257—0.338eV和1.44—1.89eV,表明a-GaN具有比c-GaN更宽的带尾态.在室温光致发光(PL)谱中,360nm处的发光峰来源于带间发射.
- 贾璐谢二庆潘孝军张振兴
- 关键词：溅射光学带隙
- 非晶GaN薄膜的制备及性能和碳纳米管的LB排布
- 本论文分两个部分：第一部分对非晶氮化镓(a-GaN)薄膜的制备与光学性能进行了研究;第二部分探索了采用Langmuir-Blodgett(LB)技术对单壁碳纳米管的排布和机理。
近年来，以GaN为代表的第三代半...
- 贾璐
- 关键词：光学性质单壁碳纳米管半导体材料
- 溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能被引量：3
- 2007年
- 利用直流磁控溅射方法制备了GaN薄膜.X射线衍射及Raman光谱结果表明薄膜样品为非晶结构;傅立叶红外光谱表明薄膜样品的主要吸收峰为Ga-N键的伸缩振动;光致发光测试得到了360nm处的紫外发光谱;测量薄膜样品的紫外-可见谱,并利用Tauc公式计算得到样品的光学带隙为3.74eV,这与光致发光谱得到的结果是一致的.
- 潘孝军张振兴贾璐李晖谢二庆
- 关键词：溅射制备光学性能
