贾晓菲
- 作品数：16 被引量：11H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学医药卫生一般工业技术更多>>
- 一种具备接收角度可调节的光电探测器
- 本发明公开了一种具备接收角度可调节的光电探测器，包括探测器壳体，所述探测器壳体上安装有透明窗，所述探测器壳体内部安装有支撑柱，所述支撑柱上安装有驱动盘，所述驱动盘的表面设置有齿块，所述驱动盘的外侧设置有第一锥形齿轮，所述...
- 贾晓菲
- 纳米器件电流噪声的散射理论统一模型研究被引量：3
- 2011年
- 传统散射理论在研究器件噪声特性时,并没有考虑非相干输运和库仑作用对散粒噪声的抑制,而在实际纳米器件中这两种效应不可忽略.本文基于散射区等效接触端模型推导了考虑上述两种效应的电流噪声散射理论统一模型,该模型适用于从相干输运到非相干输运的整个输运区,并同时考虑了泡利不相容原理和库仑作用对散粒噪声的抑制.本文也提出了一种基于统一模型的电流噪声数值模拟方法,该方法所得散射区特性与散射区等效接触端模型特性一致.
- 唐冬和杜磊王婷岚陈华贾晓菲
- 关键词：散射理论
- 实际纳米MOSFET电流噪声及其相关特性分析被引量：2
- 2014年
- 实际纳米MOSFET电流噪声为散粒噪声和热噪声,且散粒噪声受到费米作用和库仑作用的抑制.而现有文献研究实际纳米MOSFET电流噪声时,采取了完全不考虑其散粒噪声的抑制,或者只是强调抑制的存在而并未给出具体的抑制分析.本文基于Navid模型推导了实际纳米MOSFET电流噪声,并考虑费米作用和库仑作用对散粒噪声的抑制.在此基础上,对电流噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化特性进行了分析,其变化规律与文献中已有的实验和理论变化相一致.沟道长度越短,温度越低,源漏电压越大和栅极电压越低,电流噪声主要以散粒噪声为主.
- 贾晓菲何亮
- 关键词：纳米MOSFET散粒噪声
- 20 nm金属氧化物半导体场效应晶体管的噪声特性分析
- 2022年
- 传统短沟道的纳米MOSFET噪声主要为受抑制的散粒噪声,其次为热噪声;在建立器件的噪声模型时,并没有考虑栅极噪声源与源极噪声源二者之间的电荷耦合,其耦合效应会形成互相关噪声。实验测试了20 nm MOSFET的噪声,结果分析得到短沟道MOSFET的噪声主要为散粒噪声、热噪声和互相关噪声。其次,根据MOSFET的器件物理结构及特性推导了纳米MOSFET的互相关噪声公式。在此基础上,比较受抑制的散粒噪声、热噪声和互相关噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化关系,所得结论有助于提高MOSFET器件的工作效率、可靠性及寿命。
- 贾晓菲贾晓菲魏群丁兵陈文豪
- 关键词：热噪声
- 基于散粒噪声的纳米尺度MOSFET载流子相关性分析
- 实验测量和理论模拟结果均表明，随着MOS器件尺寸缩小到纳米尺度，过剩噪声的主要成分将从以热噪声为主转变为以散粒噪声为主。基于纳米MOSFET散粒噪声与介观导体散粒噪声的物理起源一致，本文应用介观物理散粒噪声理论，建立了准...
- 贾晓菲
- 关键词：MOS器件
- 实验室中的静电防护被引量：1
- 2018年
- 电子技术的发展对静电防护提出了越来越高的要求,重视静电防护对于电子产品的安全使用,和实验室静电污染的防治有着重要意义。文章具体分析了实验室常见的静电放电现象,对实验室中静电放电造成的危害进行了深入的分析说明,阐明了实验室静电的来源和防静电的原理,最后理论联系实际,特针对实验室的静电放电现象,静电污染及危害,提出了相应的静电防护措施与保护技术。
- 陈元辉贾晓菲
- 关键词：静电消除
- 纳米MOSFET器件电流噪声测试方法研究被引量：2
- 2016年
- 针对常规纳米尺度电子元器件的噪声特性,研究其噪声的基本测试条件,并建立测试系统。在屏蔽条件下采用低温装置和超低噪声前置放大器,能有效抑制外界干扰。应用该系统对实际纳米MOSFET器件进行噪声测试得到其电流噪声,在测试基础上通过计算分别得到热噪声和散粒噪声,同时分析器件工作在亚阈区和反型区下的电流噪声随源漏电压和电流的变化关系。结果表明测试结果与理论分析吻合,验证了测试系统的准确性。
- 贾晓菲陈文豪丁兵何亮
- 关键词：纳米MOSFET噪声测试散粒噪声热噪声
- 一种微电子器件散热装置
- 本发明涉及微电子器件散热领域，具体公开了一种微电子器件散热装置，包括半导体制冷器、第一散热板、第二散热板、循环泵、冷却液回流管以及多个排热扇等部件，通过半导体制冷器能够对微电子器件进行直接降温，同时通过第一散热板以及第二...
- 贾晓菲
- 文献传递
- 基于Monte Carlo模拟的实际纳米MOSFET散粒噪声抑制研究被引量：2
- 2013年
- 实验测量和理论结果均表明,随着MOS器件尺寸缩小到纳米尺度,其过剩噪声的主要成分将从以热噪声为主转变为以散粒噪声为主,且散粒噪声受费米抑制作用和库仑抑制作用.而目前对纳米MOSFET散粒噪声抑制的研究时,采取了完全不考虑其抑制,或者只是强调抑制的存在而并未给出具体的抑制分析.本文将采用蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟方法对实际纳米MOSFET电流噪声进行数值模拟研究,并考虑费米作用和库仑作用对散粒噪声的抑制影响,分别得到费米抑制因子和费米与库仑共同作用时的抑制因子.在此基础上,重点考察栅极电压、源漏电压、温度和掺杂浓度对散粒噪声抑制的影响及其关系的理论分析,得到的模拟结果与文献给出的实验结果和介观理论结果相吻合.
- 贾晓菲何亮
- 关键词：MONTECARLO模拟纳米MOSFET
- 10 nm金属氧化物半导体场效应晶体管中的热噪声特性分析
- 2023年
- 随着金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件等比例缩小至纳米级的较小尺寸,一方面导致的短沟道效应已严重影响热噪声;另一方面使栅、源、漏区及衬底区的热噪声占有比越来越高,而传统热噪声模型主要考虑较大尺寸器件的沟道热噪声,且其模型未考虑到沟道饱和区.本文针对小尺寸纳米级MOSFET器件,并根据器件结构特征和热噪声的基本特性,建立了10 nm器件的热噪声模型,该模型体现沟道区、衬底区及栅、源、漏区,同时考虑到沟道饱和区的热噪声.在模型的基础上,分析沟道热噪声、总热噪声随偏置参量及器件参数之间的关系,验证了沟道饱和区热噪声的存在,并与已有实验结果一致,所得结论有助于提高纳米级小尺寸MOSFET器件的工作效率、寿命及响应速度等.
- 贾晓菲魏群张文鹏何亮武振华
- 关键词：热噪声纳米MOSFET短沟道效应
