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谷永涛

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇阳极
  • 2篇发光
  • 1篇电致发光
  • 1篇体硅
  • 1篇聚合物电致发...
  • 1篇白光
  • 1篇白光器件
  • 1篇PFO
  • 1篇
  • 1篇MEH-PP...

机构

  • 2篇北京大学
  • 1篇华南师范大学

作者

  • 2篇谷永涛
  • 1篇秦国刚
  • 1篇魏峰
  • 1篇徐万劲
  • 1篇章勇
  • 1篇冉广照
  • 1篇牛巧利
  • 1篇孙拓

传媒

  • 1篇北京大学学报...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
硅阳极聚合物电致发光研究
本文对以p型硅为阳极、有机聚合物为发光层、半透明Sm/Au为阴极的电致发光进行研究。主要成果如下:   1.通过改变p型硅阳极的电阻率对阳极空穴注入电流进行控制,使之与阴极的电子注入电流相匹配,从而优化器件电致发光效率...
谷永涛
关键词:电致发光
体硅阳极和薄膜微晶硅阳极聚合物顶发光白光器件
2012年
分别以p型体硅和p型薄膜微晶硅为阳极,以掺入MEH-PPV的PFO为发光层,以透明金属Sm/Au为阴极,制作了顶发光白光器件。器件结构是:硅阳极/PEDOT:PSS/MEH-PPV:PFO/Cs2CO3/Sm/Au。通过调节MEH-PPV在PFO中的质量百分比,改进了白光器件的发射色度。当MEH-PPV的质量百分比为0.13%时,发光在白光范围,CIE色坐标为(0.372,0.391)。研究了器件发光效率对体硅阳极电阻率的影响,当体硅阳极电阻率为0.079.cm时,器件电流效率和功率效率都达到极大,分别是0.191 cd/A和0.131 lm/W。以金属Ni诱导硅晶化的薄膜微晶硅为阳极,通过调节Ni层厚度,优化器件效率。当Ni层厚度为2 nm时,薄膜硅阳极器件的电流效率和功率效率分别达到最大值:0.371 cd/A和0.187 lm/W,相对于最佳电阻率体硅阳极器件分别提高了94%和43%。
谷永涛魏峰孙拓徐万劲冉广照章勇牛巧利秦国刚
关键词:MEH-PPVPFO
共1页<1>
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