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谢李萍

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇放大器
  • 1篇电路
  • 1篇锗硅
  • 1篇射频集成
  • 1篇射频集成电路
  • 1篇宽带
  • 1篇宽带低噪声
  • 1篇宽带低噪声放...
  • 1篇混频
  • 1篇混频器
  • 1篇集成电路
  • 1篇硅工艺
  • 1篇本振
  • 1篇硅
  • 1篇E工艺
  • 1篇超宽带

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇谢李萍
  • 1篇韩磊
  • 1篇汪金铭
  • 1篇马建国

传媒

  • 1篇电子科技大学...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于硅工艺的12GHz单片接收RF Front-End设计
2006年
提出了一种基于硅材料的、工作在12 GHz频率的用于接收卫星数字图像广播的单片射频前端系统,该系统含有低噪声放大器、混频器和第二级放大器,所有的电路都集成在硅材料工艺中,可以用于频率在12GHz的卫星通信频段信号的接收。
马建国韩磊谢李萍汪金铭
关键词：硅低噪声放大器混频器本振
基于SiGe工艺的宽带低噪声放大器设计与实现
SiGe工艺具有优异的射频性能，更由于其较高的性价比，被广泛应用于移动通信、卫星定位和RFID等市场；SiGe工艺还可以与常规的数字模拟电路相集成，制造出功能完整的SoC芯片。目前采用SiGe材料制作射频集成电路已成为国...
谢李萍
关键词：射频集成电路锗硅低噪声放大器宽带超宽带
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