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谢巍
作品数:
51
被引量:6
H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团第五十研究所
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相关领域:
电子电信
理学
机械工程
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合作作者
侯丽伟
中国电子科技集团第五十研究所
王兵兵
中国电子科技集团第五十研究所
王晓东
中国电子科技集团第五十研究所
周德亮
中国电子科技集团第五十研究所
关冉
中国电子科技集团第五十研究所
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二维光机扫描器
本发明提供了一种二维光机扫描器,包括:底座、方位轴、十字型支撑架、扫描镜支撑架、扫描镜、俯仰轴、轴承、第一电机、第二电机、连杆、曲柄;十字型支撑架与底座之间通过方位轴连接,十字型支撑架能够绕方位轴转动;十字型支撑架与扫描...
关冉
谢巍
侯丽伟
曹德华
周德亮
文欣荣
王兵兵
臧元章
邹锶
俞旭辉
王晓东
文献传递
太赫兹成像准光学系统设计
被引量:6
2013年
为了设计出适用于太赫兹波段成像的光学系统,综合分析了各种成像系统的特点,其中离轴三反射式光学系统具有独特的优势。通过对离轴三反射式光学系统的设计原理、设计方法和步骤的详细介绍,利用ZEMAX光学设计软件,通过编写简单的ZPL宏指令以及光阑和视场离轴,设计了工作在太赫兹波段、入瞳大小250mm、瞬时视场1mrad、焦距800mm、F数3.2的系统,实现了可用于太赫兹波段无中心遮拦的离轴三反射式准光学成像系统设计。
王兵兵
侯丽伟
谢巍
周德亮
关键词:
太赫兹成像
准光学
光学设计
ZEMAX
基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法
本发明是一种基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法,包括下述步骤:在SOI材料的顶硅层上采用原位掺杂工艺外延生长吸收层;在所述吸收层上重掺杂生长导电层;在所述导电层上键合高阻硅晶圆;通过深硅刻蚀工艺去除所述SOI材料的底硅...
王兵兵
王晓东
潘鸣
侯丽伟
谢巍
臧元章
关冉
文献传递
窄线宽的太赫兹探测器
本发明提供了一种窄线宽的太赫兹探测器包括第一激光器(1)、第一光纤耦合器(2)、第一光开关(3)、第一移频环(4)、第二关开关(5)或第一滤波器、第三光纤耦合器(6)和太赫兹探测部;其中,所述第一激光器(1)连接所述第一...
邹锶
俞旭辉
潘鸣
侯丽伟
谢巍
臧元章
周德亮
王晓东
王兵兵
刘素芳
关冉
鲁斌
汪瑞
文献传递
基于边沿扩展函数测量的调焦方法及装置
本发明提供一种基于边沿扩展函数测量的调焦装置,包括:黑白刃边靶标,整体呈矩形形状,其上具有一刃边,将黑白刃边靶标划分为黑色区域和白色区域;光学系统,黑白刃边靶标置于光学系统视场内;面阵探测器,安装在光学系统的像面焦点上,...
谢巍
周德亮
侯丽伟
王兵兵
刘素芳
文献传递
一种用于Φ-OTDR分布式传感的幅度调制解调装置
本发明涉及光纤技术领域,特别是指一种用于Φ-OTDR分布式传感的幅度调制解调装置,包括顺次相连的激光器、电光调制器、光放大器、光纤环形器、传感光纤、光电探测器、信号处理模块;所述光电探测器与光纤环形器相连,信号处理模块分...
俞旭辉
潘鸣
侯丽伟
谢巍
王晓东
邹锶
文新荣
王兵兵
刘素芳
周德亮
臧元章
文献传递
补偿掺杂阻挡杂质带太赫兹探测器芯片及其制备方法
本发明公开了一种补偿掺杂阻挡杂质带太赫兹探测器芯片及其制备方法,包括在高导Si衬底上,采用化学气相沉积工艺外延生长硅掺磷吸收层,掺杂磷离子;在吸收层上通过补偿掺杂工艺外延生长高电阻率阻挡层,补偿掺杂硼离子;再通过光刻、离...
王兵兵
王晓东
潘鸣
侯丽伟
谢巍
臧元章
关冉
文献传递
一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器
本发明提供一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器,该方法首先通过数值模拟分别得到铟镓砷红外探测器件在不同情况下,其响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线,然后通过数据拟合得到铟镓砷红外探测器件响应率取最大值时吸收层...
王晓东
王兵兵
潘鸣
侯丽伟
谢巍
臧元章
周德亮
俞旭辉
邹锶
刘素芳
关冉
鲁斌
汪瑞
文献传递
高速二维扫描机构
一种高速二维扫描机构,包括扫描镜、支撑架、第一电机轴、第一电机、方形框架、第二电机轴、第二电机、U形架、第三电机轴、第三电机,其中,扫描镜通过支撑架和第一电机形成转动副连接,支撑架和第一电机轴固定,扫描镜在第一电机的驱动...
关冉
谢巍
侯丽伟
曹德华
周德亮
王兵兵
刘素芳
臧元章
邹锶
俞旭辉
王晓东
鲁斌
汪瑞
文献传递
背电极结构的阻挡杂质带探测器的制造方法
本发明提供一种背电极结构的阻挡杂质带探测器的制造方法,包括如下步骤:步骤1,制备背电极结构的阻挡杂质带探测器;步骤2,封装完成制备的背电极结构的阻挡杂质带探测器。本发明的有益效果如下:利用银胶将负电极和金属基板粘合在一起...
陈雨璐
王晓东
王兵兵
潘鸣
侯丽伟
谢巍
臧元章
张传胜
周德亮
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