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谢尚昇

作品数:3 被引量:4H指数:1
供职机构:广西大学物理科学与工程技术学院有色金属及材料加工新技术重点实验室更多>>
发文基金:广西壮族自治区自然科学基金有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室开放基金广西研究生教育创新计划项目更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇ALN薄膜
  • 1篇制备及性能
  • 1篇显微结构
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇激光分子束外...
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇TIN薄膜
  • 1篇衬底
  • 1篇TIN

机构

  • 3篇广西大学

作者

  • 3篇谢尚昇
  • 2篇符跃春
  • 1篇何欢
  • 1篇王云云
  • 1篇杨为家
  • 1篇李雪飞

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇真空

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
立方AlN薄膜的激光分子束外延法制备及性能研究
本文采用激光分子束外延法在Si(100)衬底上制备立方AlN薄膜,系统研究了沉积工艺(主要是衬底温度、激光脉冲能量、N2分压)和TiN缓冲层对薄膜生长和质量的影响。借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、UV-VIS分光光度计...
谢尚昇
关键词:激光分子束外延显微结构光电性能
文献传递
Si(100)衬底上激光分子束外延制备高质量TiN薄膜
2011年
采用激光分子束外延(LMBE)技术在Si(100)上制备了高质量的TiN薄膜。对N2分压和激光脉冲能量对TiN薄膜晶体结构、生长模式和表面形貌影响的研究表明,TiN单晶薄膜呈(200)择优取向,在N2分压为10-1 Pa时,薄膜的结晶度高且表面平整致密。随着N2分压的增加,TiN(200)衍射峰向低角度移动。激光脉冲能量显著影响TiN薄膜的生长模式,在能量为200 mJ/p时,薄膜呈二维层状生长模式且具有纳米级平滑表面,为制备高取向度AlN薄膜提供了很好的条件。
杨为家谢尚昇李雪飞王云云符跃春
关键词:TIN薄膜晶体结构
脉冲激光沉积AlN薄膜的结构表征和性能研究进展被引量:4
2010年
脉冲激光沉积法(PLD)以其低温成膜优势被公认为是宽禁带半导体AlN薄膜的优选制备方法。获得高质量的AlN薄膜需要最佳的薄膜/衬底匹配和工艺参数。综述了各种常见异质外延衬底与AlN薄膜的取向关系,分析了影响薄膜质量的工艺因素,介绍了薄膜在电、光、热方面的性能研究现状,并指出了今后工作的方向。
谢尚昇何欢符跃春
关键词:脉冲激光沉积ALN薄膜衬底工艺参数
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