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许秀来

作品数:11 被引量:17H指数:3
供职机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 6篇理学

主题

  • 10篇发光
  • 6篇电致发光
  • 2篇平板显示
  • 2篇光材料
  • 2篇光性质
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光材料
  • 2篇发光性
  • 2篇发光性质
  • 2篇半导体
  • 2篇GD
  • 2篇场发射显示
  • 2篇12
  • 1篇电场
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇新奇
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇荧光粉

机构

  • 8篇北方交通大学
  • 4篇天津理工学院
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 11篇许秀来
  • 8篇徐征
  • 3篇章婷
  • 2篇侯延冰
  • 2篇赵辉
  • 2篇徐叙瑢
  • 2篇苏艳梅
  • 2篇陈晓红
  • 1篇吕惠宾
  • 1篇申德振
  • 1篇董金凤
  • 1篇谷林
  • 1篇王永生
  • 1篇杨国桢
  • 1篇衣丽新
  • 1篇陈正豪
  • 1篇熊光楠
  • 1篇郭向欣
  • 1篇娄志东
  • 1篇王灿

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 2篇天津理工学院...
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第二届全国有...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2001
  • 5篇2000
  • 3篇1999
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Gd_3Ga_5O_(12):Ag薄膜电致发光浓度和退火温度特性的研究被引量:3
2000年
本文研究了 Ag+的浓度对 Gd3Ga5O12 薄膜光致发光和电致发光的影响。当 Ag+的浓度达到 0 .2at% ,薄膜的光致发光发生很强的淬灭 ,但是电致发光的淬灭浓度却达 1at%。通过对不同浓度的薄膜样品的吸收光谱的测量 ,发现随着 Ag+的浓度的升高 ,吸收边发生红移。由于 Gd3Ga5O12 :Ag薄膜电致发光有一部分是属于带间激发 ,所以电致发光的淬灭浓度要比光致发光高。Gd3Ga5 O12 :Ag薄膜的退火有助于提高晶格的完整性、光致发光及电致发光的强度。
徐征许秀来陈晓红章婷申德振
关键词:电致发光
Gd3Ga5O12:Ag材料的发光性质
1999年
采取在不同的温度下烧结不同的时间方法制备了一种新型的兰色发光材料,用X光衍射对材料的结构进行了分析,并利用电子束蒸发的方法制备该材料的薄膜电臻发光器件,对该器件进行了光致发光,电致发光,亮度电压等发光性质进行了测试,得出器件亮度大约为2尼特。
许秀来徐征
关键词:光致发光GD3GA5O12发光材料发光性质
薄膜场致发光显示的研究进展被引量:2
1999年
描述了薄膜场致发光(TFEL)显示的电学和光学性质.介绍了夹层结构,它等效于齐纳二极管组成的线路.分析了影响亮度和效率的因素,主要是发光中心浓度、电子的能量和发光体的结晶状态.为了提高电子能量,提出了分层优化方案,它具有明显的优越性;为改善发光层的结晶状态,提出了厚膜场致发光(TDEL).对场致发光的机理进行了讨论,描述了多色和全色TFEL器件的材料和结构的研究进展.
许秀来徐征
关键词:电致发光平板显示场致发光TFEL器件
影响蓝色场致发光的几个因素被引量:2
2000年
在分层优化方案的框架和以前分析的基础上 ,研究了影响蓝光产生和亮度的因素 ,比如 :谷间散射 ,激发中心的离化 ,分层优化的级联 ,以CdS做初电子源及硫空位的影响等 .
徐叙瑢娄志东赵辉徐春祥许秀来
关键词:电致发光硫化镉
电致发光平板显示材料与器件的研究(Ⅱ)彩色场致发光平板显示技术
王永生徐叙瑢侯延冰何大伟徐征赵辉衣丽新许秀来王晓峰苑庆国
研制了三基色电致发光显示材料,彩色指标为:红色,33nit;绿色,78nit;蓝色,1.1nit。研制了单色薄膜电致发光器件和驱动电路,显示屏象元数为320×240,分辨率为3线/mm。平板化显示是未来显示的发展目标,其...
关键词:
关键词:电致发光平板显示
FEDs用荧光粉亮度和效率研究被引量:3
2001年
对目前国内外FED荧光粉的研究现状进行了综合的描述,特别对涉及的关键问题给予评论,介绍了两种新的荧光粉的主要指标。
李岚卫常红王世铭熊光楠陶洪武许秀来
关键词:发光亮度发光效率场发射显示器
激子分解的电场强度研究
徐征许秀来陈晓红章婷董金凤
关键词:发光聚合物极化解离
Gd_3Ga_5O_(12):Ag薄膜电致发光材料的制备及其发光性质被引量:1
2000年
研究了Gd3 Ga5O12 :Ag材料的制备及其发光性质 .Gd3 Ga5O12 :Ag材料通过固相反应法制得 ,采用X射线衍射法分析了材料的结晶度及成分 .用电子束蒸发将该材料制备成交流的薄膜电致发光器件 ,得到了较好的蓝紫色发光 ,发光峰分别位于 397和 46 7nm .通过对材料的光致发光和激发光谱的研究和比较 ,得出 397和 46 7nm分别来自于氧空位和Ag+ 的发光 .
许秀来徐征侯延冰苏艳梅徐叙
关键词:电致发光光致发光半导体
过渡金属氧化物异质结在多场调控下的新奇物性及器件研究
金奎娟杨国桢陈正豪吕惠宾杨芳谷林张颖高炬王灿马秀良胡小永龚旗煌许秀来葛琛江安全郭向欣何萌周鹏孙清清
半导体器件中的量子尺寸效应和散热等问题已成为制约微电子工业发展的瓶颈。氧化物异质结构界面诱导的一系列新奇物理现象为探索多场调控的多功能、低功耗、高密度集成的氧化物器件带来了新机遇。推动氧化物异质结从基础原理到器件应用的系...
关键词:
关键词:半导体器件量子尺寸效应
场发射显示技术研究进展被引量:7
1999年
介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理,讨论了目前这项技术所面临的问题。着重介绍了近两年来在场发射显示技术研究领域的最新进展,包括发光材料的改进、器件寿命的提高、器件结构的改进以及样机的试制工作等。
徐征赵辉杨盛谊许秀来
关键词:显示技术场发射发光材料
共2页<12>
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