詹达
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 基于低温键合技术制备SOI材料的研究
- 本文通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系,研究结果表明退火温度在100℃升到300℃的过程中,键合强度得到明显加强,高于300℃,键合强度随退火温度略有增加,但不明...
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- 关键词：SOI材料键合强度低温键合
- 文献传递
- 用smart-cut方法制备GOI材料及研究被引量：1
- 2007年
- 研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H+注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H+膨胀压力导致其全部脱落。利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H+的Ge片与热生长SiO2片的键合,通过热处理完成SiO2上的Ge薄膜转移,形成了GOI(Germanium-on-insulator)结构。采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、以及X射线四晶衍射对GOI的微结构进行了表征和分析。研究表明,获得的GOI中顶层Ge具有较好的晶体质量,锗和二氧化硅埋层界面陡直。
- 詹达马小波刘卫丽朱鸣宋志棠
- 关键词：键合
- 等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究
- 为了降低Smart-Cut技术的热处理温度,采用等离子体表面处理和B+/H+共注的方法增强硅/二氧化硅键合界面结合力并降低硅的剥离温度.研究了等离子体表面处理对键合界面的影响,系统研究了不同硼注入剂量和不同温度退火时硅表...
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- 文献传递
- 新型硅基薄膜材料转移技术的研究
- 传统的体硅芯片的特征尺寸缩小到了几十个纳米级，已受到传统体硅工艺制程以及硅材料本身电学性质的限制，以体硅为基础的半导体技术的发展将面临严峻的挑战。而新的硅基半导体薄膜技术，包括绝缘层上的硅、绝缘层上的锗、锗硅、应变硅等，...
- 詹达
- 关键词：钽酸锂共晶键合硅基薄膜电学性质
- 文献传递
- 基于低温键合技术制备SOI材料
- 2006年
- 通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中,键合强度明显加强;高于300℃,键合强度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和Smart-Cut技术制备出SOI结构,顶层硅缺陷密度表征表明在500℃退火后可得到较好的缺陷密度.该研究结果提供了一种SOI低温技术.
- 詹达马小波刘卫丽宋志棠封松林
- 关键词：SOI键合强度
