蔡雪梅
- 作品数：50 被引量：93H指数：4
- 供职机构：重庆邮电大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 三种铁电阴极材料电子发射性能试验研究被引量：2
- 2005年
- 本文采用锆钛酸铅、钛酸铋钠和钛酸钡三种不同铁电阴极材料,进行了电子发射试验,测定了电子发射电流密度,并对其在电子发射试验时的波形进行了分析讨论。结果认为:锆钛酸铅材料的电子发射电流密度略优于其他两种材料,但从无铅化角度来讲,钛酸钡与钛酸铋钠材料将有望取代现有的锆钛酸铅铁电阴极材料。
- 陈忠道张树人郭曙光蔡雪梅
- 关键词：锆钛酸铅钛酸铋钠钛酸钡电子发射
- 一种电源管理驱动芯片及该芯片的应用电路
- 本发明公开一种电源管理驱动芯片及该芯片的应用电路，芯片设置有电源输入脚、接地脚、峰值电压输入脚、采样电阻脚、零电流检测脚、电流感应脚以及栅极驱动脚，在芯片内部设置有V/I变换器、延时单元1、延时单元2、RS触发器、单稳态...
- 周前能林金朝李红娟庞宇李章勇李琪李国权蔡雪梅
- 文献传递
- NBT基陶瓷中相变致电子发射的研究(英文)被引量：2
- 2007年
- 在无铅铁电阴极钛酸铋钠(NBT)中获得了20 A/cm2的电流发射密度。在施加激励电压过程中,观察到了和其他阴极材料不同的3个发射电流峰。通过考虑相变因数对电流发射的影响,修正了基于极化反转致电子发射模型的电流发射公式,由此定量解释了在NBT基陶瓷中观察到的不同电流发射现象,揭示了电流发射不仅仅由已有文献中提出的快极化反转产生,也可以由极化的变化(比如相变)产生。为进一步验证该结论和弄清不同种类铁电阴极电子发射的机理,进行了NBT与锆钛酸铅(PZT)的电子发射比较实验。在电子发射前后观察到NBT的压电常数和介电常数没有变化,而在PZT中有变化,由此得出PZT的电子发射机制主要基于极化反转,而NBT的电子发射机制主要基于相变。相变致电子发射机理的提出和实验验证,为新型抗疲劳铁电阴极的研制指明了一个切实可行的方向。
- 蔡雪梅吴贵能王宝英陈世杰郭曙光张树人
- 强电流铁电阴极材料的研究进展被引量：3
- 1999年
- 铁电阴极材料是一种在脉冲电压或脉冲激光激励下从铁电材料表面获得脉冲强流电子发射的新型功能材料．本文介绍了铁电阴极的主要特点，并对电子发射机理、材料种类和发射实验条件进行了讨论．最后还概述了铁电阴极材料的应用前景及实用化过程中尚待研究的问题．
- 蔡雪梅张树人
- 关键词：电子发射铁电阴极强电流
- 前栅工艺下高k/金属栅CMOS器件EOT控制技术研究被引量：1
- 2010年
- 随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄,由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重。传统的SiO2栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要,而利用高介电常数栅介质(高k)取代SiO2已成为必然趋势。而在前栅工艺下,SiO2界面层生长问题严重制约了EOT的缩小以及器件性能的提升。介绍了一种前栅工艺下的高k/金属栅结构CMOS器件EOT控制技术,并成功验证了Al元素对SiO2界面层的氧吸除作用。
- 陈世杰蔡雪梅
- 关键词：高K栅介质EOT
- 铁电阴极材料电子发射机理的实验研究被引量：3
- 2000年
- 快极化反转在铁电阴极电子发射过程中具有决定性的作用 ,本工作采用XRD ,SEM等方法研究铁电发射机理 ,XRD图谱、晶胞参数测试结果以及扫描电镜观察到的电畴排列状况等从多个角度反映出不同铁电材料在电子发射前、后的晶体结构及电畴结构的相应变化状况 ,对实验结果的分析有助于理解铁电阴极电子发射机理以及性能与组成、结构之间的关系 .
- 张树人蔡雪梅钟朝位郭曙光
- 关键词：铁电体
- 大功率LED芯片倒焊装方法
- 本发明请求保护一种大功率LED芯片倒装焊方法，涉及微电子技术领域，本发明所采用的技术方案是在LED芯片上淀积TiNiAg层，在LED芯片电极上淀积金属铟，在硅基板上淀积TiNiAg层，对应于LED芯片电极位置的硅基电板上...
- 唐政维李秋俊关鸣蔡雪梅何小凡
- 文献传递
- 无线传感器网络双连通并优化通信路径的方法
- 本发明公开了一种使无线传感器网络双连通并优化通信路径的方法，主要涉及无线传感器网络的可靠性。无线传感器网络部署后如果没有实现双连通，关节点失效将导致网络不再连通，缩小传感、监测的覆盖范围，影响网络寿命。本发明用基于广度优...
- 周应华蔡雪梅
- 文献传递
- 新型无铅阴极的电子发射性能研究被引量：2
- 2006年
- 采用NBT基铁电陶瓷,获得了20 A/cm2的电流发射密度。与PZT的发射性能相比,NBT发射电流密度稍低,但NBT具有更低的发射起始阈值,更高的耐压强度和更好的退极化性能。NBT表现出来的较PZT良好的耐压和退极化性能是与其结构有关的,由于A位阳离子与八面体间较PZT有更强的耦合作用,因此,NBT的铁电电畴较PZT稳定,在反复施加电场进行电子发射后表现出来的退极化性能更好,这与电性能参数介电常数ε、压电常数d33值的测试结果是一致的。正是这些特点使得NBT基陶瓷成为一种新型的极有前途的电子发射源。
- 蔡雪梅谢光忠余昌奎
- 关键词：退极化
- 电场作用下MgS分子电子激发特性的理论研究被引量：2
- 2011年
- 以6-311++G(2D)为基函数,采用密度泛函的B3LYP方法优化了不同外电场下MgS分子的稳定几何构型,分析了电偶极矩、电荷分布、HOMO能级、LUMO能级、能隙、红外光谱和谐振频率等随电场的变化情况,利用杂化CIS-DFT(B3LYP)方法在相同基组下研究了外电场下MgS分子激发态。计算结果表明:分子结构与外电场有着强烈的依赖关系;除此之外,基态键长和分子偶极矩μ随电场增加而增大;HOMO能级和LUMO能级始终是减小的,而能隙先增大后减小,在电场为0.03 a.u.时,达到最大值2.58650 eV;外电场对MgS分子的激发能、振子强度和振动频率均影响强烈。
- 谭兴凤蔡雪梅隆正文
- 关键词：外电场结构参数能隙
