苏丽娜 作品数:8 被引量:21 H指数:2 供职机构: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 更多>> 发文基金: 中央高校基本科研业务费专项资金 国家自然科学基金 中国科学院科研装备研制项目 更多>> 相关领域: 电子电信 自动化与计算机技术 更多>>
应变PMOS二维阈值电压解析模型 2012年 利用准二维方法求解二维泊松方程,建立了锗硅源漏单轴应变PMOS阈值电压的二维解析模型,理论计算结果和实验报道的结果能很好吻合。研究了不同沟道长度和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度、漏压及锗硅源漏中锗摩尔组分等参数对阈值电压的影响。利用TCAD工具进行仿真模拟,结果表明,沟道长度和漏压是单轴应变PMOS阈值电压漂移的主要影响因素,而锗摩尔组分在一定成分范围内影响较小。 苏丽娜 周东 顾晓峰关键词:PMOS 阈值电压 二维解析模型 石英音叉匹配电路 本发明提供了一种石英音叉匹配电路,该电路包括:石英音叉电路;与所述石英音叉电路连接的补偿电路,所述补偿电路产生一补偿电容;所述补偿电容的值接近于石英音叉电路产生的寄生电容的值,其相差值落在寄生电容值的±5%以内;变压器,... 苏丽娜 吕利 秦华 顾晓峰文献传递 短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型 2015年 在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推导了器件阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型,分析了沟道直径、栅氧化层厚度和三栅长度比对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。利用Atlas对具有不同结构参数的器件进行了模拟研究和比较分析。结果表明,基于解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了所建模型的准确性,为设计和应用此类新型器件提供了理论基础。 赵青云 于宝旗 苏丽娜 顾晓峰关键词:表面势 阈值电压 单电子晶体管电流解析模型及数值分析 被引量:1 2013年 本文首先建立单电子晶体管的电流解析模型,然后将蒙特卡罗法与主方程法结合进行数值分析,研究了栅极偏压、漏极偏压、温度与隧道结电阻等参数对器件特性的影响.结果表明:对于对称结,库仑台阶随栅极偏压增大而漂移;漏极电压增大,库仑振荡振幅增强,库仑阻塞则衰减;温度升高将导致库仑台阶和库仑振荡现象消失.对于非对称结,源漏隧道结电阻比率增大,库仑阻塞现象越明显. 苏丽娜 顾晓峰 秦华 闫大为关键词:单电子晶体管 解析模型 蒙特卡罗法 单电子晶体管用于电荷检测的研究 被引量:3 2014年 单电子晶体管可用作超灵敏电荷计进行高灵敏电荷检测。首先建立了单电子晶体管电荷检测的电路模型,阐释了其电荷检测机制;然后利用COMSOL和MATLAB软件对检测过程进行了模拟研究,分析了不同电荷量和检测距离时单电子晶体管库仑岛的电势,并研究了电荷量、检测距离及电荷间静电耦合对单电子晶体管电导的影响。结果表明,单电子晶体管电荷检测时工作点和检测距离决定其电荷检测的量程,最佳检测距离应设置在电导-距离曲线的斜率最大处。 苏丽娜 吕利 李欣幸 秦华 顾晓峰关键词:电荷检测 一种改进的Sobel边缘检测算法的设计及其FPGA实现 被引量:16 2012年 为了快速得到边缘更清晰、敏感度更高的实时边缘图像数据,提出了一种改进的Sobel边缘检测算法.对原始图像的边缘进行平滑滤波后,利用2个3×3模板对选定的二维图像中同样大小区域内的数据进行卷积,合并水平及垂直方向的导数得到该区域的梯度值,再通过添加的梯度方向模块对该区域进行4个方向的判断以帮助确定边缘,最后通过非极大值抑制及二值化处理确定图像边缘.将改进后的Sobel边缘检测算法在FPGA上进行了实现并证明了其有效性. 曹杨 苏丽娜 沈琪 顾晓峰关键词:边缘检测 SOBEL算法 梯度方向 现场可编程门阵列 单电子晶体管用于电荷检测的研究 苏丽娜 吕利 李欣幸 秦华 顾晓峰基于射频单电子晶体管的超灵敏电荷计的数值分析 被引量:1 2016年 集成单电子晶体管SET(Single Electron Transistor)与射频共振电路的射频单电子晶体管RF SET(Radio FrequencySingle Electron Transistor)是一种高速高灵敏的电荷计。通过建立RF SET的等效电路模型,对共振电路及其与射频传输线的集成进行模拟分析,得到了SET阻抗的最佳匹配,获得了所需的谐振频率、品质因子和对SET阻抗的灵敏度。结果表明,受电荷调制的SET阻抗直接影响着共振电路的品质因子、阻抗和射频透射/反射系数。射频信号随着SET的阻抗降低而减小,峰位基本不变。在SET阻抗小于200 kΩ时,共振信号幅度随阻抗的变化率较大。透射式与反射式两种结构相比,前者共振频率及品质因子更高,后者则具有更高的灵敏度优势。 苏丽娜 李欣幸 秦华 顾晓峰关键词:等效电路 透射