翟剑波
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- δ掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的拉曼光谱被引量：1
- 2014年
- 通过显微拉曼(Raman)光谱仪,对一系列δ掺杂GaAs/AlAs量子阱中浅受主铍(Be)原子能级间跃迁进行了研究.实验样品是利用分子束外延技术生长在GaAs衬底(100)面上的GaAs/AlAs多量子阱,阱宽范围从30到200 A,并在阱中央进行了受主Be原子的δ掺杂.在4.2 K液氦温度下,对样品进行了Raman光谱测量,并与光致发光(PL)光谱进行了对比,清楚地观测到了受主原子从基态能级1S_(3/2)(Γ_6)到第一激发态能级2S_(3/2)(Γ_6)之间的跃迁.根据量子力学中的变分原理和打靶法算法,计算了量子阱中类氢受主Be原子1 s到2 s能级间跃迁能量,并和实验结果进行了比较.计算结果表明,受主1 s到2 s能级间跃迁的能量随量子阱宽度减小而单调增加,并且与实验结果符合较好.
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- 关键词：拉曼光谱多量子阱打靶法
- 基于量子限制的受主带间跃迁太赫兹探测器的制备与测量被引量：1
- 2014年
- 使用分子束外延生长设备,在GaAs(100)衬底上生长了量子阱宽度为3 nm的GaAs/AlAs多量子阱样品,并在量子阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。根据量子限制受主从束缚态到非束缚态之间的跃迁,设计并制备了δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱太赫兹光探测器原型器件。在4.2 K温度下,分别对器件进行了太赫兹光电流谱和暗电流-电压曲线的测量。在6 V直流偏压下,空穴载流子沿量子阱层方向输运。当正入射激光频率为6.8 THz时,器件响应率为2×10-4V/W(2μA/W)。通过器件的暗电流-电压曲线计算了器件全散粒噪声电流,在4.2 K、6 V直流偏压下,全散粒噪声电流为5.03 fA·Hz-1/2。
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- 掺杂稀土元素的纳米晶硅薄膜的发光特性研究
- 自集成电路出现以来，微电子产业已经对社会生活的诸多方面产生了重要的影响。然而随着微电子产业不断发展，在其发展过程中出现了了巨大的挑战。集成电路性能的提高是通过增大集成度来实现，具体是通过减小器件的关键尺寸的方法。但随着器...
- 翟剑波
- 关键词：稀土掺杂红外光谱光致发光特性
- 文献传递
