罗跃川
- 作品数：31 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
- 发文基金：四川省非金属复合与功能材料重点实验室一省部共建国家重点实验室培育基地开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 太赫兹QCL技术研究进展
- 2013年
- 综述了太赫兹QCL(THz QCL)有源区结构设计与制备、波导结构设计和频率控制3方面的基本原理及研究进展。THz QCL有源区薄膜厚度、组分和掺杂浓度的精确控制是材料制备过程的关键。通过提高注入电流和器件温度的稳定性可以有效减小THz QCL线宽和提高频率稳定性。随着器件功率和频率特性的提升,THz QCL将在通讯、成像和谱分析等技术领域获得广泛的应用。
- 沈昌乐王雪敏黎维华阎大伟赵妍罗跃川彭丽萍吴卫东唐永建
- 关键词：太赫兹波导频率稳定性
- 高电子迁移率晶体管材料结构的制备及分析被引量：1
- 2013年
- 针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,分析了双δ掺杂GaAs HEMT的结构组成,基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范德堡霍尔测试结果表明,HEMT的2DEG测试浓度为1.82×1012cm-3,电子迁移率大于6 520 cm2·V-1·s-1。
- 王雪敏阎大伟沈昌乐赵妍黎维华周民杰罗跃川彭丽萍吴卫东唐永建
- 关键词：高电子迁移率晶体管多层结构
- GDP小球表面缺陷分析
- 采用双测头微纳米测量仪检测了未抛光的 GDP 掺Ge 胶囊的表面微区结构。利用白光干涉测头成功表征出了GDP 小球的表面形貌图，通过Gwyddion 软件得到了小球的表面宏观曲线和缺陷分布情况。结果 表明，未抛光的GDP...
- 杨奇张继成周民杰孟令彪李佳罗跃川李兆国曾勇房奇吴卫东
- 对温湿度及压力进行控制的传感器测试腔体及应用方法
- 本发明公开了一种对温湿度及压力进行控制的传感器测试腔体及应用方法，包括：测试腔，其内设置有放置待测传感器样品的平台；设置在与测试腔上方的盖体，其在与平台相配合的位置上设置有透明窗口；设置在平台下方的第一加热机构；设置在测...
- 杨奇邹蕊矫舒琳罗跃川李恪宇蒋涛阎大伟王雪敏彭丽萍吴卫东
- 平面肖特基二极管的制作
- 2015年
- 为研究制作THz频段下工作的肖特基二极管器件,系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺。通过分子束外延(MBE)生长了掺杂浓度分别为5×1018 cm-3的缓冲层和2×1017 cm-3的外延层,并研究温度对厚度的影响,使得膜层厚度控制良好,晶格完整。通过参数控制,减小了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的Si O2钝化层应力,使压指结构的翘曲情况得以改善。研究了不同退火温度下欧姆接触的情况,使接触电阻率减小到0.8×10-7Ω/cm2。用电子束光刻和干法刻蚀制作了亚微米级的阳极区域,结合Ga As湿法刻蚀的速率控制,完成了表面沟道的制作,制作出完整的平面肖特基二极管。通过I-U曲线理论计算,二极管的截止频率达到太赫兹量级,为后续工作奠定了基础。
- 罗跃川赵妍沈昌乐阎大伟
- 关键词：截止频率太赫兹
- 硅基支撑系统的光刻工艺被引量：5
- 2012年
- 为提高硅基支持系统制备中光刻过程的线宽精度,用正交试验分析了前烘、曝光、显影主要步骤中一些主要参数对制备结果的影响,得到了它们的影响程度的规律以及较优的参数组合。在此基础上设计和训练了合适的前向误差反向传播神经网络,对主要工艺参数进行了进一步的分析、预测和优选,并用实验加以验证。最终得到在胶厚约1.55μm时,前烘温度100℃,时间90s;曝光时间5s;显影温度15℃,时间90s时,光刻后图形的线宽偏差最小,达到了0.3μm以下。
- 罗跃川张继成
- 关键词：光刻正交试验BP神经网络
- 一种检测装置的制作方法
- 本发明涉及一种检测装置的制作方法，属于微型电子器件技术领域。该制作方法包括：一待测试金属结构部件，在所述待测试金属结构部件上设置声阻挡层；在所述声阻挡层上设置声表面波传感器，其中，在对所述待测试金属结构部件进行测试时，所...
- 舒琳吴卫东王雪敏阎大伟罗跃川王进
- 文献传递
- 对温湿度及压力进行控制的传感器测试腔体及应用方法
- 本发明公开了一种对温湿度及压力进行控制的传感器测试腔体及应用方法，包括：测试腔，其内设置有放置待测传感器样品的平台；设置在与测试腔上方的盖体，其在与平台相配合的位置上设置有透明窗口；设置在平台下方的第一加热机构；设置在测...
- 杨奇邹蕊矫舒琳罗跃川李恪宇蒋涛阎大伟王雪敏彭丽萍吴卫东
- 一种具备防尘、加热功能的氢气传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种具备防尘、加热功能的氢气传感器，包括衬底，以及设置在所述衬底上的钯镍合金薄膜，且所述衬底上设置有用于连接钯镍合金薄膜的两个第一引线电极，微纳防尘罩，其与所述衬底键合形成腔室，所述钯镍合金薄膜位于所述腔室内...
- 舒琳阎大伟张继成罗跃川彭丽萍湛治强吴卫东樊龙蒋涛王雪敏杨奇李恪宇陈风伟
- 粉尘过滤器以及半导体材料制备设备
- 本实用新型提供了一种粉尘过滤器以及半导体材料制备设备，属于半导体材料制备技术领域，包括过滤组件以及机械真空泵，过滤组件包括壳体以及滤芯，壳体设置有进气口、出气口以及位于进气口和出气口之间的流动通道，滤芯安装在流动通道内，...
- 阎大伟罗跃川杨奇吴卫东王雪敏彭丽萍黎维华沈昌乐赵妍湛治强蒋涛王新明邓青华
- 文献传递
