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罗昌平

作品数：9 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇理学
  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 2篇晶格
  • 2篇半导体
  • 2篇INGAAS...
  • 2篇超晶格
  • 1篇导体
  • 1篇电子核双共振
  • 1篇动力学
  • 1篇跃迁
  • 1篇载流子
  • 1篇砷化铝
  • 1篇隧穿
  • 1篇逃逸
  • 1篇强电
  • 1篇强电场
  • 1篇子带
  • 1篇碲化镉
  • 1篇铟镓砷
  • 1篇温度
  • 1篇量子

机构

  • 9篇中国科学院
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 9篇罗昌平
  • 5篇徐仲英
  • 4篇江德生
  • 4篇许继宗
  • 3篇郑宝真
  • 2篇金世荣
  • 2篇罗晋生
  • 2篇李锋
  • 2篇张耀辉
  • 2篇袁之良
  • 2篇庄蔚华
  • 2篇褚君浩
  • 1篇崔丽秋
  • 1篇汤定元
  • 1篇徐土杰
  • 1篇刘伟
  • 1篇李玉璋
  • 1篇宋春英
  • 1篇武建青
  • 1篇孙宝权

传媒

  • 4篇红外与毫米波...
  • 3篇Journa...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇1996
  • 4篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1900
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
超晶格在强电场下的量子效应和非线性输运研究
江德生张耀辉宋春英孙宝权崔丽秋刘伟武建青徐土杰罗昌平吴文
对半导体超晶格在强电场下的量子效应和非线性输运进行了系统和深入的研究，结合流体静压力、变温、光偏置、磁场等条件，在实验和理论上研究了多种超晶格中的Ｗａｎｎｉｅｒ局域化效应，双稳态电光调制，在直流电场作用下稳定高场畴的形成...
关键词：
关键词：量子化超晶格半导体
GaAs／AlGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
1996年
研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加。
金世荣褚君浩汤定元罗晋生徐仲英罗昌平袁之良许继宗郑宝真
关键词：半导体
非对称耦合双阱P—I—N结构的光伏谱研究
1993年
首次报道了GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As/GaAs(50(?)/40(?)/100(?))非对称耦合双阱P-I-N结构的室温光伏谱,清楚地观察到双阱的轻、重空穴激子峰,这些激子峰的能量位置与光荧光和光电流谱得到的数据吻合得很好,而且光伏谱谱形非常类似于光电流谱,呈现清晰的台阶状结构。此外,还观察到轻、重空穴激子跃迁对激发光偏振态的依赖,并讨论了产生光伏谱的机制。
徐士杰江德生张耀辉罗昌平罗晋生
非对称耦合双阱中的载流子隧穿和隧穿逃逸过程研究
罗昌平徐仲英
关键词：载流子电子核双共振
InGaAs／GaAs和InGaAs／AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程
1995年
利用时间分辨光谱技术，在１１～９０Ｋ温度范围研究了不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ应变层量子阱子带弛豫过程，讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用．
金世荣罗晋生褚君浩徐仲英袁之良罗昌平许继宗郑宝真
关键词：铟镓砷激子
Si　NIPI　结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁
1994年
我们对不同光照条件下ＳｉＮＩＰＩ结构的光伏效应进行了研究，并在正面光照时作了外加Ｈｅ－Ｎｅ激光连续照射前后的对比实验．结果表明，ＳｉＮＩＰＩ结构中存在Ｂｒｕｍ等预言的因光生载流子空间分离而产生的光伏效应，并且进一步从实验上证实了ＮＩＰＩ结构光伏极性是空间固定的．对外加激光连续照射前后结果的分析表明，ＳｉＮＩＰＩ结构的光伏效应中，实空间中的间接跃迁如电子空穴子带间跃迁不起主要作用，而主要取决于实空间中与浅杂质有关的直接或准直接跃迁．
罗昌平江德生李锋庄蔚华李玉璋
关键词：硅光伏效应
（GaAs／AlAs）_n短周期超晶格类型及其转变的光伏研究被引量：1
1995年
首次用光伏方法研究了（ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）ｎ短周期超晶格中的超晶格类型及其转变问题．不同于其它方法，光伏方法仅涉及到载流子在实空间中的分离及其大小．这种空间分离在Ⅰ类超晶格中为零，而在Ⅱ类超晶格中不为零．（ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）ｎ短周期超晶格在ｎ＝１０和１１时被指认为Ⅱ类超晶格，在ｎ＝１５时被指认为Ⅰ类超晶格．与其它大部分实验结果一致．
罗昌平江德生李锋庄蔚华
关键词：超晶格砷化镓砷化铝
InGaAs／GaAs应变量子阱中的激子发光动力学被引量：1
1995年
本文详细测量并分析了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中的激子发光衰退特性，研究了激子发光寿命与Ｉｎ组分和阱宽的关系．发现Ｉｎ组分增大时，激子寿命变短，而发光寿命与阶宽的关系不大．文章分析了影响发光寿命的诸多因素，指出在ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱中，由合金无序造成的散射对激子发光寿命有重要的影响．
徐仲英罗昌平金世荣许继宗郑宝真
关键词：砷化镓动力学
MBECdTe／GaAs光致发光研究
1995年
在１０Ｋ低温下对分子束外延（ＭＢＥ）生长的ＣｄＴｅ（１１１）Ｂ／ＧａＡｓ（１００）／ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ外延膜进行了光致发光（ＰＬ）测量，得到了ＰＬ谱和带边激子辐射的精细结构．计算得到束缚激子的半峰宽（ＦＷＨＭ）分别为０．２～０．ｓｍｅＶ和１～２ｍｅＶ．实验结果表明外廷膜的质量和生长工艺均良好．
陈世达林立何先忠许继宗罗昌平徐仲英
关键词：分子束外延光致发光碲化镉
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