程立文
- 作品数：4 被引量：17H指数：2
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- 980nm光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的理论研究和结构设计
- 光泵浦垂直外腔面发射激光器集成了边发射激光器的高功率和面发射激光器的高光束质量的优点，这种器件结构具有腔内倍频、锁模和波长可调谐等一些特殊的功能。光泵浦垂直外腔技术和腔内倍频技术的结合为全色激光显示提供了希望。因此，有报...
- 程立文
- 关键词：垂直外腔面发射激光器应变量子阱
- 980nm OPS-VECSEL单个谐振周期内量子阱数目的理论分析
- 2009年
- 设计了一种新型的980 nm底发射光抽运垂直外腔面半导体激光器(OPS-VECSEL),对比分析计算了器件在单个谐振周期内不同量子阱数目下的性能。得到了在单阱条件下,阈值光功率密度为5 kW/cm2时,输出功率超过1.8 W,斜率效率超过40%的优异性能。
- 秦莉田振华程立文梁雪梅史晶晶张岩彭航宇宁永强王立军
- 关键词：光抽运应变量子阱垂直外腔面发射激光器
- 980nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析被引量：10
- 2008年
- 光抽运半导体垂直外腔面发射激光器(Optically Pumped Semiconductor Vertical External Cavity SurfaceEmission Laser)的输出特性受到诸多参数的影响,理论分析和模拟显得尤为重要。设计了一种以808 nm二极管激光耦合模块为光抽运光源,In0.159Ga0.841As/GaAs0.94P0.06为增益介质的980 nm光抽运垂直外腔面发射激光器,并借助于PICS3D软件计算了器件各种特性参数。分析了芯片半径、量子阱的周期数以及外腔镜反射率对器件性能的影响,特别是对阈值和光-光转换效率的影响。模拟结果表明,器件的半径影响光-光转换效率。量子阱个数和外腔镜反射率对器件的输出功率和光-光转换效率都有影响,所以要根据实际需要,设计、生长结构和进行实验。
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- 关键词：半导体激光器垂直外腔面发射激光器光抽运
- 920nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计(英文)被引量：11
- 2010年
- 设计并优化了一种用808nm的大功率激光二极管为抽运光源,In0.09Ga0.91As量子阱结构为增益介质的920nm光抽运半导体垂直外腔面发射激光器。运用有限元方法,对激光器的电特性方程和光特性方程求自洽解,计算了器件各种特性参量。分析了单个周期内不同阱的个数(1,2和3)、不同阱深、不同垒宽、不同非吸收层组分、不同非吸收层尺寸条件下,器件性能的改变,特别是模式、阈值和光-光转换效率的改变,从而选择一个最佳的结构。
- 梁雪梅吕金锴程立文秦莉宁永强王立军
- 关键词：半导体激光器有限元垂直外腔面发射激光器光抽运
