王生浩
- 作品数：5 被引量：23H指数：3
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺理学更多>>
- CdTe薄膜的射频磁控溅射制备及表征被引量：4
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术制备了CdTe薄膜,使用探针式台阶仪、X射线衍射分析仪、紫外可见分光光度计、扫描电镜等表征了薄膜的厚度、结构、透过率、表面形貌等随溅射工艺的变化.结果表明:沉积速率随着功率的增加而增加,随气压的增加而呈线性减小;薄膜的结晶程度随气压增大而降低;功率从100 W增大到180 W,出现了CdTe薄膜晶相从立方相向六方相的转变;当沉积条件为纯氩气氛、气压0.3 Pa、功率100 W、室温时,沉积的CdTe薄膜结晶性能最好.
- 王波张静全王生浩冯良桓雷智武莉莉李卫黎兵曾广根
- 关键词：射频磁控溅射CDTE禁带宽度
- 氧化锌薄膜的制备、表征及其碲化镉薄膜太阳电池应用
- 使用直流磁控溅射技术制备氧化锌薄膜。用紫外可见分光光度计、原子力显微镜、X射线衍射等表征了氧化锌薄膜的光学性质和结构。使用氧化锌薄膜制备了结构为“玻璃/ITO/ZnO/Cds/CdTe/Au”的碲化镉薄膜电池。比较了有无...
- 王波曾广根付文博张静全王生浩冯良桓蔡亚平武莉莉李卫黎兵
- 关键词：太阳电池氧化锌薄膜碲化镉直流磁控溅射光学性质
- 文献传递
- Ag-Sn合金的氧化过程与热力学性质被引量：9
- 2008年
- 采用密度泛函微扰理论(DFPT)计算了Ag-Sn-O体系中O原子在Ag-Sn合金中的运动与反应,及该体系中几种化合物的结合能、生成焓以及热容与自由能随温度的变化.计算发现O原子存在于Ag晶格的四面体间隙,若存在八面体间隙会使体系能量升高288.23kJ·mol-1;Sn则在Ag晶格中主要以置换形式存在.计算得到结合能大小顺序为Ag6O2>SnO2>Ag2SnO3>SnO>Ag2O.SnO2的稳定性最高,生成焓约-591.1kJ·mol-1,SnO是一种过渡相,而Ag2SnO3和Ag6O2为亚稳相,都能在常温下存在,这与相关实验结果一致.原子间相互作用曲线说明Sn—O的成键能力明显高于Ag—O,氧化时只会形成Sn—O键.准谐函数近似计算(QHA)表明Ag2SnO3的热容远高于其它化合物,其德拜温度约500K,升温能力仅为SnO2的1/3,可有效解决AgSnO2电接触材料中温升过快的问题,而布居分布和Gibbs自由能则进一步说明SnO2是Ag-Sn-O体系中最稳定的相.
- 冯晶陈敬超肖冰杜晔平王生浩张利娟
- 关键词：电接触材料AGSNO2结合能第一原理计算
- 直流磁控溅射法制备ITO薄膜的研究
- 在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了铟锡氧化物(ITO)薄膜,用四探针测试仪、紫外可见分光光度计、X射线衍射等对薄膜样品进行了表征,研究了工艺条件中溅射功率、氧分压、工作气压对薄膜光电性能的影响,优化了ITO的制备工艺...
- 王生浩王波冯良桓张静全蔡亚平雷智黎兵武莉莉李卫郑家贵蔡伟
- 关键词：ITO溅射电阻率透光率
- 文献传递
- 溅射功率和氧分压对ITO薄膜光电性能的影响研究被引量：10
- 2009年
- 采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:溅射功率对ITO的光电性能影响较小,沉积速率随着溅射功率的增大而加快;随着氧分压的升高,载流子浓度降低,霍尔迁移率先增大后减小,电阻率逐渐增大。在优化的工艺条件下,制备了在可见光区平均透过率达85%、电阻率为1×10-4Ω.cm的光电性能优良的ITO薄膜。
- 王生浩张静全王波冯良桓蔡亚平雷智黎兵武莉莉李卫曾广根郑家贵蔡伟
- 关键词：氧化铟锡直流磁控溅射透光率
