王瑾
- 作品数：11 被引量：21H指数：3
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- MOCVD法制备NixZn1-xO薄膜
- 作为一种被关注十多年的光电材料,ZnO(室温下禁带宽度3.36eV)具有光透过率高,热稳定性好,激子束缚能高(60meV),原料易得,价格低廉等特点,并且在发光器件、紫外探测器、太阳能电池等领域有重要的应用。ZnO基材料...
- 王瑾杜国同张仕凯殷伟王辉吴国光史志锋李万程董鑫张宝林
- 基于MOCVD法制备的NiO薄膜结构与光学特性被引量：3
- 2011年
- 用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上制备了NiO薄膜。分别采用X光电子能谱、电子显微镜、X射线衍射以及紫外-可见分光光度计对样品的结构和光学特性进行测试。X光电子能谱测试结果表明:薄膜中Ni元素以二价态存在,Ni与O比值接近1∶1,表明制备的样品为NiO薄膜;电子显微镜和X射线衍射分析显示NiO薄膜呈现多晶态;紫外-可见分光光度计测试结果显示:NiO薄膜具有高透过率,400 nm附近最高透过率为96%,通过线性外推法作图得到NiO薄膜的禁带宽度在3.7 eV左右。
- 赵洋赵龙王辉王辉汤正新王瑾
- 关键词：透射率
- Nixzn1-xO薄膜材料的表征
- 王瑾杜国同王辉赵洋张仕凯赵龙史志锋李万程董鑫张宝林
- MOCVD法制备NiO薄膜的结构和光学特性研究
- 采用双卤钨灯金属有机化学气相沉积法(PA-MOCVD)在Si衬底上制备了NiO薄膜。XPS测试结果显示(图2),薄膜中Ni与O的化学元素比接近1:1。扫描电子显微镜(SEM)(图1)和X射线衍射(XRD)测试结果显示,随...
- 王辉张仕凯殷伟王瑾史志锋赵洋董鑫张宝林杜国同
- 光辅助对MOCVD法生长ZnO∶Ga薄膜的n型掺杂影响
- 作为一种直接带隙宽禁带半导体材料,ZnO是继GaN之后在光电研究领域的又一热门研究课题。ZnO除了在短波光电器件上具有巨大的应用前景外,因其具有较高的热、化学稳定性,良好的导电性能以及较高的光透性,在显示器、太阳能电池以...
- 张金香杜国同殷伟史志锋张仕凯王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林
- 基于四取代铜酞菁的有机近红外电致磷光器件被引量：10
- 2010年
- 制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/BCP/Alq3/Al的近红外(NIR)有机电致发光器件(OLED),器件在室温下的发射峰位于1110nm附近,来源于(4-tert)CuPc分子的磷光发射,器件的最佳掺杂浓度为14wt%。制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/DCJTB/BCP/Alq3/Al的器件,结果表明,DCJTB层的加入没有改变器件的NIR电致发光(EL)峰位置,而器件的NIR发光强度与没有DCJTB层的器件相比,提高了50%左右,这是由于DCJTB向(4-tert)CuPc进行了有效的能量传输。
- 范昭奇程传辉申人升李万成王瑾白青龙夏道成杜国同
- 关键词：酞菁
- MOCVD法生长Ga掺杂n型ZnO的特性研究
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了不同Ga掺杂浓度的n型ZnO薄膜,本实验分别以二乙基锌(DEZn)、高纯O_2作为反应源,三甲基镓(TMGa)作为掺杂源,高纯Ar作为载气。通过改变Ga源的掺...
- 殷伟张金香赵龙王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林杜国同
- MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能被引量：2
- 2012年
- 采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合。
- 史志锋伍斌蔡旭浦张金香王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林杜国同
- 关键词：电致发光
- 金属有机化学气相沉积法制备ZnO和ZnO：Ni薄膜及其特性分析被引量：4
- 2011年
- 采用金属有机化学气相沉积法制备了ZnO和ZnO∶Ni薄膜,并对它们的结构、光学和电学特性进行了对比研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的表面形貌和晶体结构进行了分析,结果表明,Ni元素的掺杂虽然降低了薄膜的晶体质量,但并未改变ZnO的纤锌矿结构.通过紫外-可见分光光度计对薄膜的光学特性进行了测试与分析,结果表明,ZnO∶Ni薄膜在可见光区的平均透过率可达90%,优于ZnO薄膜在可见光区的平均透过率(85%).霍尔(Hall)测试显示ZnO∶Ni薄膜的导电类型仍为n型,但其电阻率已经明显增加,载流子浓度也远低于未掺杂ZnO薄膜的载流子浓度,说明Ni元素的掺杂对ZnO薄膜的特性产生了很大影响.
- 王辉王辉王瑾赵洋赵龙赵旺史志锋夏晓川马艳杜国同
- 关键词：ZNO薄膜金属有机化学气相沉积透过率
- 利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜被引量：2
- 2011年
- 利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和光致发光(PL)谱等表征方法对薄膜的晶体结构、电学性能和光学特性进行分析。结果表明:高温生长的ZnMgO薄膜具有良好的c轴取向性;480～520℃时所制备的ZnMgO薄膜为p型导电,500℃时所制备的样品电阻率最低,为26.33Ω.cm,空穴浓度达1.638×1017 cm-3,迁移率为1.45 cm2/(V.s);室温PL谱显示,制得的p型ZnMgO薄膜具有较大的紫外与可见发光峰强度比,表明其具有良好的光学性能。
- 赵龙殷伟夏晓川王辉史志锋赵旺王瑾董鑫张宝林杜国同
- 关键词：ZNMGO薄膜P型掺杂MOCVD
