王灵婕
- 作品数：30 被引量：31H指数：3
- 供职机构：厦门理工学院更多>>
- 发文基金：福建省教育厅科技项目国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法
- 本发明公开一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法，以通孔AAO为模板，采用CVD、水热、热处理等制备出碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列三维结构膜层材料。本发明可有效地解决锡基材料因体积膨胀而导致循...
- 杨尊先郭太良李松李福山王灵婕徐胜张永爱
- 文献传递
- 阳极氧化铝模板制作方法及利用该模板制作场发射阴极阵列材料方法
- 本发明涉及一种阳极氧化铝模板制作方法及利用该氧化铝模板制作场发射阴极阵列材料方法，通过采取一系列表面保护措施，制得形貌规则、表面洁净的阳极氧化铝模板再利用水热等方法向氧化铝模板纳米孔洞中灌注有机物质、金属有机溶液或溶胶，...
- 杨尊先郭太良李福山王灵婕叶芸张永爱胡利勤李松
- 基于ISEC项目的概念物理课程改革与实践
- 2017年
- 国际本科学术互认课程(ISEC),是国家留学基金委主导的国际教育合作项目,目的是通过该项目为高等院校整合国际化教育资源、培育国际化标准师资、建设国际化课程,深入推进高等院校教育国际化。本文结合ISEC项目教育理念和教学要求对通识课程《概念物理》的教学内容,教学方法和考核方式进行了改革和实践。
- 王灵婕
- 关键词：概念物理教学改革
- 任意初始态下离散量子随机行走的平均位置
- 2017年
- 用模拟及傅里叶变换等数学方法,研究离散量子随机行走的平均值与初始态和硬币算符之间的关系。研究发现:在固定θ=β=π/4时,离散量子随机行走平均位置和其他参数满足余弦函数;而且如果选择参数φ-α-γ=π/2时,平均位置和初始态θ的关系也满足余弦函数。再通过傅里叶变换反向证明,得到任意初始态和硬币算符下,离散量子随机行走平均位置与初始态和硬币算符的数学表达式。只要已知初始态为0L〉和(0L〉+0R〉)2/2,硬币算符U(0,β,0)下的平均位置,就可以按照公式计算得到任意初始态和U(2)算符下的离散量子随机行走的平均位置。
- 李敏程再军王灵婕黄海波
- 关键词：量子计算
- 新型MEMS氨气传感器的测试
- 本文主要论述了新型MEMS氨气传感器的性能测试.研究氨气浓度、工作温度与阈值电压的变化关系、传感器的热稳定性和气体选择性能的测试,以及应用微处理器,采用人工自动校正法对测量系统进行校准.
- 王灵婕陈盛林吉申
- 关键词：氨气传感器气敏器件
- 文献传递
- 新型MEMS氨敏传感器的研制与测试
- 王灵婕
- 关键词：氨气MEMS传感器MOS
- 催化金属薄膜对MOS结构MEMS氨敏传感器性能的影响被引量：2
- 2006年
- 利用MEMS技术,在硅平面上经过热氧化、掺杂、溅射、光刻、清洗等工艺,制成MOS结构的氨敏传感器,并将双加热器和测温器集成于一体.该传感器的栅极是以Pd栅为主,同时修饰多种金属薄膜.通过研究修饰催化金属薄膜的种类以及薄膜的厚度对传感器的灵敏度和选择性的影响,结果表明:采用多种金属薄膜混合修饰栅极表面的传感器对氨气有较好的选择性和稳定性;催化金属薄膜厚度在10～30nm时,该传感器对氨气最敏感.
- 程树英阮文农王灵婕林吉申
- 关键词：氨气MEMS传感器MOS结构
- 热蒸发法原位生长一维氧化锌纳米材料及其场发射特性研究被引量：3
- 2011年
- 利用磁控溅射在ITO电极上沉积氧化锌薄膜,以氧化锌薄膜为种子层,采用热蒸发法合成ZnO一维纳米材料,利用XRD和SEM方法对氧化锌一维纳米材料的微观结构进行分析,测试其场发射性能。结果显示,氧化锌纳米材料为钉子状结构,每个氧化锌纳米钉由几微米大的钉帽和细棒组成,垂直于基底生长。场发射性能研究表明它具有较低的开启场强,高的发射电流和好的稳定性,是一种优良的冷阴极电子发射源。
- 林金阳王灵婕张永爱郭太良
- 关键词：氧化锌热蒸发法场发射
- 不同转移法对碳纳米管场发射特性的影响被引量：3
- 2012年
- 通过印刷法、喷涂法和电泳沉积法转移经过处理的碳纳米管(CNT)原料到ITO电极上,高温烧结制备CNT阴极阵列,并对CNT的表面形貌和场发射性能进行测试分析。结果表明,不同转移方法对CNT阴极场发射性能的影响不同,印刷法、喷涂法及电泳沉积法3种方法制备CNT阴极场发射的开启电场分别为2.21、1.62和1.85 V/μm;当电场为2.3 V/μm时,喷涂法制备的CNT阴极场发射性能最佳,电泳沉积法制备CNT阴极次之,印刷法制备的CNT阴极最差,并根据金属半导体理论分析其原因。
- 林金阳王灵婕张永爱郭太良
- 关键词：喷涂法场发射
- 氧化锡薄膜场致发射研究被引量：4
- 2012年
- 利用直流磁控反应溅射法,制备氧化锡薄膜,利用扫描电镜等方法对氧化锡薄膜微观结构进行分析。在低真空下,对不同厚度的氧化锡薄膜进行场致发射测试,结果显示,在氧化锡薄膜厚度为60nm时,场致发射性能最佳,当电流密度为10μA/m2时,开启电压为4.5 V/μm,阴阳两极电场为7 V/μm时,有较佳的场发射密度,同时发光亮度达到2180 cd/m2,结果表明,氧化锡薄膜在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力。
- 林金阳王灵婕张永爱郭太良
