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王成杰

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国航天北京微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇SIC
  • 1篇电压
  • 1篇电压控制
  • 1篇压控
  • 1篇直流
  • 1篇直流侧
  • 1篇直流侧电压
  • 1篇直流侧电压控...
  • 1篇下一代
  • 1篇开关
  • 1篇开关优化
  • 1篇功率模块
  • 1篇功率器件
  • 1篇光伏
  • 1篇光伏系统
  • 1篇高可靠
  • 1篇PFC
  • 1篇SIC材料
  • 1篇TM
  • 1篇BJT

机构

  • 4篇中国航天北京...
  • 2篇北京时代民芯...

作者

  • 4篇王传敏
  • 4篇王成杰

传媒

  • 4篇电力电子

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
为高效高可靠开关优化的一种成熟的1200V SiC JFET技术
2011年
在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。
J.HilsenbeckF.BjorkW.Bergner王成杰王传敏
下一代功率模块用新型1.7kV CSTBT^(TM)(Ⅲ)
2011年
功率模块用最新的IGBT性能已有了显著提高,且已经非常接近物理极限。作为下一代IGBT功率模块,我们已经在1.2kV级别上提出了CSTBT^(TM)(Ⅲ)的概念,主要体现为精细加工的沟槽栅结构和CS层(载流子存储层)倒退型掺杂分布。基于CSTBT^(TM)(Ⅲ)的概念,我们优化了1.7kV级的MOS结构,同时改进了为发射极电极表面新开发的平坦化技术,以扩大功率循环能力。
Kenji SuzukiTetsuo TakahashiRyoichi FujiiKoichi TsurusakoYoshifumi Tomomatsu王成杰王传敏
关键词：直流侧电压控制
600V工作的高效率GaN产品
2011年
本文主要介绍了新型600V量级器件工作的高效率GaN产品应用。
Ertugrul SonmezUlrich HeinleMike KunzeIngo Daumiller王成杰王传敏
关键词：GANPFC
基于SiC材料的BJT作为高效功率器件的复兴
2012年
SiC BJT代表了最具吸引力的SiC开关结构之一,具有很低的电阻系数、较快的开关速度以及较小的温度依赖性。其良好的短路能力及不存在二次击穿可实现器件可靠工作。我们对与实际应用直接相关的器件性能进行了详细研究,并对以降耗为目的的驱动解决方案进行了测试。鉴于光伏系统降低成本的压力不断增加,我们额外进行了以实现节约为目的的实验,不仅基于SiC技术,同时包括新型磁芯材料方面。为此,我们在实验室中对一个额定功率为17kW的小型升压转换器进行了测试,并在本文中给出了结果。
Samuel AraujoLucas MenezesTomas HjortPeter Zacharias王成杰王传敏
关键词：SIC光伏系统
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