王广君
- 作品数：15 被引量：41H指数：4
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 利用特殊脉冲电源电沉积制备CuInSe_2薄膜被引量：1
- 2010年
- 采用钟形波调制的方波脉冲电源以恒电流模式在导电玻璃基底(ITO)上电沉积制得了CuInSe2薄膜,用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对在不同频率下制备的CuInSe2薄膜的表面形貌、成分组成和组织结构进行了研究.结果发现,在合适频率下制得的薄膜表面平整,颗粒均匀致密,成分接近理想化学计量比,具有单一的黄铜矿结构.在氮气气氛下退火处理后,薄膜结晶性能有较大提高.同时,通过薄膜截面分析发现,在脉冲恒电流模式下沉积速率较快,膜层与基底结合紧密,对工业化生产具有重要意义.
- 王晓丽王广君田宝丽万绍明杜祖亮
- 关键词：脉冲电沉积太阳能电池
- 光盘表面结构的软模板复制及图案化氧化锌薄膜的纳米压印制备被引量：1
- 2011年
- 模板的制备和选择在纳米压印技术中非常重要.采用廉价的光盘为模板,利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)浇铸到光盘表面,分离后复制得到光盘的负形结构.采用纳米压印技术,以PDMS软模板作为印章对氧化锌纳米溶胶进行直接压印,实现了氧化锌薄膜的表面图案化,经煅烧后得到晶态氧化锌薄膜.
- 丁万勇戴树玺王洋王广君张兴堂杜祖亮
- 以乙醇作溶剂电沉积制备CIGS薄膜被引量：4
- 2011年
- 利用恒电位电沉积法在以乙醇为溶剂的溶液中制备了铜铟镓硒(CIGS)薄膜.并采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计分别对薄膜的形貌、成分、晶体结构和吸收特性进行了表征.结果表明在-1.6V(相对于饱和甘汞电极电位)工作电位下沉积的薄膜经450°C退火后能够形成形貌均匀致密、结晶性良好、带隙约为1.17eV的黄铜矿结构CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜.实验过程中发现,以乙醇为溶剂可以有效避免在水溶液中出现的析氢现象,减小了沉积电位的限制.
- 王信春胡彬彬王广君杨光红万绍明杜祖亮
- 关键词：CIGS薄膜电沉积乙醇析氢太阳能电池
- 一种利用特殊脉冲电源电沉积铜铟硒或铜铟镓硒薄膜的方法
- 本发明具体公开了一种利用特殊脉冲电源电沉积铜铟硒或铜铟镓硒薄膜的方法：在含有铜、铟、硒离子或铜、铟、镓、硒离子的电解质溶液中，采用钟形波调节的方波脉冲，在阴极基底上电沉积制得预制膜，然后将预制膜放在有固态硒源的真空、氮气...
- 杜祖亮王晓丽王广君万绍明张兴堂
- 文献传递
- 溶剂对锐钛矿型TiO_2纳米结构材料形貌及结构的影响
- 2011年
- 以CTAB/TiO2有序复合结构为水热反应的前驱体,分别以乙醇,PEG-200,PEG-400,丙三醇为反应溶剂,制备出了一系列不同形貌的TiO2微纳结构,通过TEM、SEM和XRD等表征技术研究了不同溶剂、反应时间和反应温度下产物的结构形态.结果表明,该溶剂热方法前驱体制备简单,操作方便,反应溶剂对TiO2纳米结构的形貌和结晶性有显著的影响.
- 武艳强戴树玺王洋王广君张兴堂杜祖亮
- 关键词：水热法纳米TIO2锐钛矿
- 纯水亚相二十二酸单分子膜循环曲线研究被引量：1
- 2007年
- 利用近来提出的Vollardt方程和二维聚集的准化学平衡模型,研究了不同表面压下的二十二酸(简称BA)单分子膜循环等温(π-A)曲线,其理论计算结果与实验曲线相一致,随着循环曲线中选取表面压的增加,分子膜聚集过程中形成的聚集体单个分子面积(ω(n))减少,而聚集度(ε值)相应增加;另外考察了二十二酸单分子膜热力学性质和聚集作用,其热力学计算表明压缩和扩张曲线中聚集自由能(ΔG0)有较大改变;且从低表面压(9 mN/m)到高表面压(18 mN/m)聚集自由能(ΔG0)的改变量比高表面压(26 mN/m与35 mN/m)时要大.结果显示,压缩和扩张曲线在液相区出现明显的不重合,不重合区域的大小反映分子膜聚集程度的大小.
- 张超张丹桦戴树玺王广君张兴堂李蕴才杜祖亮
- 关键词：单分子膜聚集体相变
- 磁控溅射法制备氧化铜纳米线阵列薄膜及其气敏性质被引量：6
- 2011年
- 通过磁控溅射法在掺氟二氧化锡导电玻璃(FTO)衬底上溅射金属铜薄膜,所制备的Cu薄膜在管式炉中退火氧化生长得到CuO纳米线阵列薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对其形貌和结构进行了表征,并研究了这种通过磁控溅射得到的CuO纳米线阵列薄膜对CO和H2S的气敏性质.研究结果表明,CuO纳米线阵列薄膜在250℃时对CO气体具有最强的气敏响应,并且当CO浓度增大时其气敏响应明显增强.而对于H2S气体,在常温下CuO纳米线阵列薄膜能够对低浓度的H2S气体响应,说明这种CuO纳米线阵列薄膜可以在常温、低浓度下探测H2S气体;而当测试温度升高时,其电阻值在H2S气体氛围中迅速减小.我们对这种异常的电阻变化现象进行了解释.
- 乔振聪程轲袁占强武兴会庞山王广君万绍明杜祖亮
- 关键词：磁控溅射气敏性质
- CuInS_2:两步电沉积制备及性能被引量：12
- 2008年
- 采用恒电位沉积法制备铜铟合金预制膜,并在管式炉中通过固态源蒸发硫化预制膜得到CuInS2薄膜。通过扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对CuInS2薄膜的表面形貌、截面厚度、成分组成和薄膜的组织结构进行了研究,并利用紫外可见光吸收谱仪(UV-Vis)研究了不同硫化温度对CuInS2薄膜的形貌及其光学吸收性质的影响。结果表明:不同的退火温度能够影响CuInS2薄膜的表面形貌以及带隙的大小,从而影响其光学吸收特性。
- 刘小雨王广君田宝丽余腊锋张兴堂杜祖亮
- 关键词：电沉积退火温度光学特性
- 一种利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe<Sub>2</Sub>薄膜的方法
- 本发明涉及一种利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe<Sub>2</Sub>薄膜的方法：在含有铜、铟、硒离子的电解液中，室温下先将电解液pH值调至1.0—2.5，然后在阴极基底上电沉积制得铜铟硒预制膜，晾干后，把预制膜...
- 杜祖亮王信春王广君张兴堂
- 文献传递
- 模板法制备CdS/TiO_2纳米管复合阵列薄膜及其光电性质被引量：2
- 2011年
- 采用ZnO纳米棒阵列为模板在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了CdS/TiO2纳米管复合薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见吸收分光光度计(UV-Vis)及表面光电压谱(SPS)研究了不同CdS沉积时间对复合薄膜的形貌、晶体结构、光电性质的影响.研究结果表明,TiO2纳米管阵列表面沉积5minCdS纳米颗粒后,其表面光电压信号得到增强,并且其吸收光谱可拓展到可见光区;与吸收光谱相对应,在可见光区出现新的光电压谱响应区,这一现象说明与CdS复合可显著提高TiO2纳米管阵列的光电特性;随着CdS纳米颗粒沉积时间的增加,复合纳米管阵列薄膜在可见光区域的光电压强度逐渐减弱,我们用不同的电荷转移机制对此现象进行了详细的讨论和解释.除此之外,我们对TiO2纳米管阵列结构的比表面积对复合结构的光电特性影响也做了深入的讨论.
- 付冬伟程轲袁占强庞山王广君李蕴才杜祖亮
- 关键词：模板法光电特性
