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文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇取样光栅
  • 3篇离子刻蚀
  • 3篇刻蚀
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻版
  • 3篇光栅
  • 2篇保护层
  • 2篇波导
  • 2篇波导结
  • 2篇波导结构
  • 1篇芯片
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇朱洪亮
  • 3篇王宝君
  • 3篇王桓
  • 2篇阚强
  • 2篇周帆

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
借助保护层的取样光栅的制作方法
一种借助保护层的取样光栅的制作方法,包括:在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、有源区、上波导层和保护层;在保护层之上,均匀地涂上一层光刻胶,借助于取样光栅光刻版,在光刻胶上曝光出需要制作光栅的区域;将曝光后的结构进行选择性...
王桓阚强周帆王宝君朱洪亮
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借助保护层的取样光栅的制作方法
一种借助保护层的取样光栅的制作方法,包括:在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、有源区、上波导层和保护层;在保护层之上,均匀地涂上一层光刻胶,借助于取样光栅光刻版,在光刻胶上曝光出需要制作光栅的区域;将曝光后的结构进行选择性...
王桓阚强周帆王宝君朱洪亮
文献传递
用于半导体器件中的取样光栅的制作方法
一种用于半导体器件的取样光栅的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层,得到含有半导体波导结构的芯片;步骤2:在上波导层的上面,均匀地涂上一层光刻胶;步骤3:对涂有...
王桓王宝君朱洪亮
文献传递
共1页<1>
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