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射频磁控共溅射GaAs/SiO_2纳米颗粒镶嵌薄膜的光学性质被引量：4: 2002年; 应用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAs SiO2 纳米颗粒镶嵌薄膜 .X射线衍射实验结果表明 ,经高温退火的薄膜中形成了面心立方闪锌矿结构的GaAs纳米晶粒 ,晶粒平均直径为 1.5— 3.2nm .吸收光谱展示了由于强量子限域引起的 1.5— 2eV的吸收边蓝移 .室温光致荧光 (PL)光谱显示了电子重空穴激子与电子劈裂空穴激子的近紫外和紫外双PL谱峰以及深俘获态的PL谱峰 .对实验吸收边蓝移量与有效质量模型的蓝移量的悬殊差别、俘获态PL谱的形成以及PL谱线的特征作了解释 .应用激光Z扫描技术测量了退火温度为 5 0 0℃的复合膜在非共振条件下的光学非线性 ,结果表明 ,复合膜的非线性折射率系数和非线性吸收系数都比块材GaAs相应的系数增大了 5个数量级 .; 丁瑞钦王浩于英敏王宁娟佘卫龙李润华丘志仁罗莉蔡志岗W Y CheungS P Wong; 关键词：射频磁控共溅射光谱光学性质砷化镓半导体纳米材料

多层间隔式结构多孔硅冷阴极电子发射的研究被引量：3: 2000年; 在多孔硅 (PS)表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此 ,器件电子发射效率显著提高 ,在32 .5 V偏压下 ,发射效率达 13.5 % ,发射电流密度 2 9μA/ cm2 ;工作电流和发射电流的波动性明显减小 ;器件稳定性得到提高。; 刘志钢薛俊明王宁娟任立儒孙钟林张丽珠; 关键词：多孔硅冷阴极电子发射

纳米微粒镶嵌薄膜的光学性质: 该文主要研究了两种纳米镶嵌薄膜——GaAs/SiO<,2>、InPSiO<,2>的不同于一般块材的独特的光学性质.作为课题的前段,进行了纳米薄膜材料的制备和表征.薄膜制备采用射频磁控溅射方法完成,用各种不同工艺条件制备了...; 王宁娟; 关键词：Z扫描三阶光学非线性; 文献传递

制备工艺对InP/SiO_2纳米膜性能的影响被引量：1: 2001年; 应用射频磁控共溅射方法，分别在ＩｎＰ薄片与磁控靶底座紧接触（方法１）和ＩｎＰ薄片放在石英靶表面（方法２）两种情况下制备了ＩｎＰ／ＳｉＯ_２复合薄膜，并分别在高纯Ｈ_２中和在Ｐ气氛中对薄膜进行了热处理．Ｘ射线光电子能谱表明，对于用方法１制备的复合膜，其ＳｉＯ_２中的氧缺位、Ｐ和Ｉｎ的氧化物的含量都比用方法２的少得多．Ｘ射线和卢瑟福背散射实验结果表明，在Ｐ气氛下的高温（５２０℃）热处理，可以彻底地消除这些氧缺位和氧化物而得到符合化学计量的ＩｎＰ／ＳｉＯ_２纳米颗粒复合薄膜．复合薄膜的光致发光特性与制备工艺密切相关．较详细地阐述了俘获态对光致发光影响的机理．; 丁瑞钦王浩佘卫龙王宁娟于英敏; 关键词：化学组分微观结构光致发光磷化铟射频磁控溅射

InP／SiO2纳米颗粒膜的非线性光学性质: 2001年; 采用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光单晶硅片上制备了InP/SiO2纳米复合薄膜,并在磷气氛保护下对薄膜进行了高温(520℃)退火处理,以消除复合薄膜中残存的In和In2O3,得到了纯净的InP/SiO2纳米颗粒膜样品.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明薄膜中InP和SiO2的化学组分基本上保持理想化学计量配比;X射线衍射和激光拉曼光谱实验结果都证实了薄膜中InP纳米晶粒的存在;线性吸收光谱实验观察到了室温下纳米颗粒膜光学吸收边明显的蓝移现象.采用单光束脉冲激光Z扫描方法测量了InP/SiO2纳米颗粒膜的非线性光学性质.测量结果表明,我们所制备的InP/SiO2纳米颗粒膜的三阶光学非线性折射率系数达10-8 cm2/W量级,比InP晶体块材的相应值大4个数量级.(OB3); 丁瑞钦王浩王宁娟佘卫龙丘志仁罗莉S.P.Wong; 关键词：磷化铟二氧化碳纳米颗粒膜非线性光学

InP/SiO_2纳米复合膜的微观结构和光学性质被引量：5: 2001年; 应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP SiO2 复合薄膜 ,并在几种条件下对这些薄膜进行退火 .X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明 ,复合薄膜中InP和SiO2 的化学组分都大体上符合化学计量配比 .X射线衍射和激光喇曼谱实验结果都证实了复合薄膜中形成了InP纳米晶粒 .磷气氛保护下的高温(5 2 0℃ )退火可以消除复合薄膜中残存的In和In2 O3 并得到了纯InP SiO2 纳米复合薄膜 .; 丁瑞钦王浩W.F.LAUW.Y.CHEUNGS.P.WONG王宁娟于英敏; 关键词：纳米晶粒微观结构光学性质纳米复合膜磷化铟

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王宁娟