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用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料被引量：1: 2007年; 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.; 刘林生王文新刘肃赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭; 关键词：分子束外延砷化镓衬底

半导体自旋电子学的研究与应用进展被引量：1: 2007年; 自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋探测以及自旋输运等.本文综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.; 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳陈弘周均铭; 关键词：半导体自旋电子学磁性半导体

Sr_2CoO_(4-δ)薄膜中的自旋玻璃态的磁性质研究被引量：1: 2010年; 用脉冲激光沉积方法(PLD)在铝酸镧衬底上制备了c取向的高氧空位含量的锶钴氧薄膜.X射线衍射分析表明薄膜单一取向且没有明显杂相.原位的高气压反射式高能电子衍射仪(RHEED)监测显示,薄膜为层状生长.通过对薄膜磁化强度随温度、磁场及时间的变化曲线进行测量,发现零场冷曲线上可能存在两个特征温度:Tf和Ta.Tf为对应玻璃态的冻结温度而Ta对应少量的不缺氧锶钴氧团簇沿c轴的各项异性场的特征温度.磁弛豫、记忆效应和磁滞回线等进一步研究均表明体系中主要成分更可能是自旋玻璃,且在冻结温度之上自旋玻璃即开始了冻结.较高缺氧样品引入的三价钴离子和体系原有的四价钴离子共存,两者的共同效果形成了双交换和超交换作用的竞争,从而导致了系统复杂的自旋玻璃行为.; 储海峰李洁李绍黎松林王佳高艳丽邓辉王宁张玉吴玉林郑东宁; 关键词：自旋玻璃脉冲激光沉积

GaAs(110)量子阱的电子自旋弛豫: 2007年; 采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/Al GaAs多量子阱结构.对样品进行了低温光致发光谱和时间分辨光致发光谱的测量,结果表明激发功率和激发波长对室温下量子阱内电子的自旋弛豫时间有强烈的影响.对于常见的GaAs(100)量子阱起支配作用的D'yakonov-Perel'(DP)自旋弛豫机制,在GaAs(110)量子阱材料里被充分地抑制了.对于缺失了DP相互作用的GaAs(110)多量子阱,电子-空穴相互作用对自旋弛豫时间随激发功率变化有重要的影响.; 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利高汉超蒋中伟王佳黄庆安陈弘周均铭; 关键词：多量子阱分子束外延

关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究: 2007年; 在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能,使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料,成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面,最佳生长温度窗口很小;反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和V/Ⅲ束流比不敏感,难于通过观察再构图案的变化,准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中,观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下,在GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明:在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差,而在单层生长模式下量子阱光学性能较好,但是界面会变粗糙.利用这一特点,我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术,找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法.; 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭; 关键词：反射高能电子衍射分子束外延

GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性被引量：2: 2007年; GaAs(110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周期的变化。通过透射电子显微镜(TEM)、室温和低温光荧光谱(PL谱)对两种生长模式下的样品进行了测量。结果表明,量子阱样品在双层生长模式下光学性能较差,单层生长模式下光学性能比较好,但是量子阱界面会变得粗糙。利用这一特点,采用RHEED强度振荡技术,能够实现在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱。; 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭; 关键词：光荧光谱砷化镓分子束外延

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王佳