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一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法被引量：2: 2003年; 在双台面SiGeHBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度。现有的许多对材料厚度及掺杂浓度的分析方法,具有各自的优缺点。本文提出了一种可以同时检测外延层的厚度及掺杂浓度分布的方法,这种方法具有简单、高效、低成本的优点。; 刘志农熊小义付玉霞张伟陈培毅钱佩信; 关键词：EFL 四探针双极性晶体管

多晶发射极微波SiGe/Si HBT: 本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5'圆片0.8umCMOS工艺线上,研制...; 张伟熊小义刘志弘许军付玉霞单一林刘爱华窦维治王玉东刘朋钱佩信; 关键词：SIGE HBT UHV/CVD 多晶发射极; 文献传递

BV_(CBO)为23V且f_T为7GHz30叉指微波功率SiGe HBT(英文)被引量：1: 2004年; 在 12 5 m m标准 CMOS工艺线上 ,对标准 CMOS工艺经过一些必要的改动后 ,研制出了多叉指功率 Si GeHBT.该器件的 BVCBO为 2 3V .在较大 IC范围内 ,电流增益均非常稳定 .在直流工作点 IC=4 0 m A ,VCE=8V测得 f T为 7GHz,表现出较大的电流处理能力 .在 B类连续波条件下 ,工作频率为 3GHz时 ,测得输出功率为 31d Bm,Gp 为10 d B,且 PAE为 33.3% .测试结果表明 ,单片成品率达到了 85 % ,意味着该研究结果已达到产业化水平 .; 熊小义张伟许军刘志宏陈长春黄文韬李希有钟涛钱佩信; 关键词：SIGE HBT FT

多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT(英文)被引量：3: 2003年; 研制成功了可商业化的 75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE50 0 ,并生长了器件级SiGeHBT材料 .研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT器件 ,其性能为 :β =60 @VCE/IC=9V/ 30 0 μA ,β=1 0 0 @5V/ 50mA ,BVCBO=2 2V ,ft/ fmax=5 4GHz/ 7 7GHz @1 0指 ,3V/ 1 0mA .多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷 ,该工艺总共只有 6步光刻 ,与CMOS工艺兼容且 (因多晶发射极 )无需发射极外延层的生长 ,这些优点使其适合于商业化生产 .利用 60指和 1 2 0指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器 .60指功放在 90 0MHz和 3 5V/ 0 2A偏置时在 1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE =2 2dBm/ 1 1dB/ 2 6 1 % .1 2 0指功放 90 0MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE =33 3dBm (2 1W ) / 1 0 3dB/ 33 9% @1 1V/ 0 52A .; 刘志农熊小义黄文韬李高庆张伟许军刘志弘林惠旺许平陈培毅钱佩信; 关键词：锗硅异质结双极晶体管微波功率放大器

Ti-Si_(0.84)Ge_(0.16)和Ti-Si系统的温度特性研究: 2006年; 实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16和Ti-Si系统在依次经历700℃及730～900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明，Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性。造成这一差异的原因与Ge原子在高温下的行为有关。实验利用XRD，研究了Ti（SiGe）2从C49相到C54相的转变。物相分析结果显示，其相转变温度在760～800℃之间。结合实验结论，对采用Ti硅化物工艺的自对准SiGeHBT进行了退火温度的优化，其适合的高温退火温度为850℃左右。; 李翊张伟许军陈长春单一林熊小义李希有刘志弘钱佩信; 关键词：SIGE HBT RTA 温度特性

SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究: 2003年; 在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。; 熊小义刘志农张伟付玉霞黄文韬刘志弘陈长春窦维治钱佩信; 关键词：SIGE HBT 湿法腐蚀异质结双极晶体管硅锗

TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用被引量：2: 2006年; 通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别越大。; 张伟王玉东熊小义许军单一林李希有刘爱华钱佩信; 关键词：锗硅异质结双极晶体管微波低噪声

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熊小义