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焦洋

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：河南大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇学位论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 3篇晶体管
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇增益
  • 2篇增益特性
  • 2篇探测器
  • 2篇频带
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基结
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体管器件
  • 2篇工作频带
  • 2篇沟道
  • 2篇厚度
  • 2篇场效应
  • 1篇地产

机构

  • 7篇河南大学

作者

  • 7篇焦洋
  • 3篇张新安
  • 3篇丁玲红
  • 3篇张伟风
  • 2篇党玉敬
  • 2篇海富生
  • 1篇郑海务
  • 1篇喻先坤
  • 1篇翟俊霞

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种肖特基栅场效应紫外探测器及其制备方法
本发明涉及一种肖特基栅场效应紫外探测器及其制备方法，本发明通过采用了肖特基栅场效应晶体管结构，以蓝宝石衬底上外延生长的N型ZnO薄膜为有源层，并在此有源层上利用磁控溅射法制备欧姆源漏电极和肖特基栅极，探测器采用背照式探测...
张新安海富生郑海务党玉敬丁玲红焦洋张伟风
文献传递
沟道层厚度对室温下制备In2O3薄膜晶体管器件性能的影响
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,本文对沟道层厚度对底栅式In2O3薄膜晶体管的电学性质的影响进行了讨论.经验证器件的特性与沟道层厚度有关。最优沟道层厚度的I...
Yang Jiao焦洋Xin'an Zhang张新安Linghong Ding丁玲红Weifeng Zhang张伟风
关键词：薄膜晶体管电学特性
“光明日报客户端”发展策略研究
媒体融合时代的到来，改变了纸媒的生存环境与价值地位，随着移动互联网技术的发展与智能手机的逐渐普及，纸媒转型成为大势所趋。新闻客户端因拥有获取信息及时便利、传播分享渠道多元化、注重满足用户需求等特点备受用户喜爱，迅速成长为...
焦洋
关键词：媒体融合知识营销
文献传递
一种肖特基栅场效应紫外探测器及其制备方法
本发明涉及一种肖特基栅场效应紫外探测器及其制备方法，本发明通过采用了肖特基栅场效应晶体管结构，以蓝宝石衬底上外延生长的N型ZnO薄膜为有源层，并在此有源层上利用磁控溅射法制备欧姆源漏电极和肖特基栅极，探测器采用背照式探测...
张新安海富生党玉敬丁玲红焦洋张伟风
文献传递
沟道层厚度对室温制备的In_2O_3薄膜晶体管器件性能的影响(英文)被引量：1
2013年
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2.5 V,开关电流比约为106,场效应迁移率为6.2 cm2·V-1·s-1。
焦洋张新安翟俊霞喻先坤丁玲红张伟风
关键词：薄膜晶体管电学特性
氧化物薄膜晶体管的制备与研究
薄膜晶体管是一种以沉积形成的绝缘体,半导体,金属薄膜组成的场效应晶体管器件。而薄膜晶体管液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管的驱动电路的核心部件就是薄膜晶体管。而传统的非晶硅存在着载流子迁移率较低,光敏性强的问题;多晶硅T...
焦洋
关键词：薄膜晶体管氧化物磁控溅射电学性能
文献传递
渑池县农村土地流转问题研究
土地是人类赖以生存的最根本的物质基础，是一切生产和存在的源泉，农村社会面貌的种种变化总是与土地关系变化相联系。农村土地流转是顺应时代发展的要求，有利于服务三农，有利于新农村建设和新型城镇化。解决了农村土地流转问题，很大程...
焦洋
关键词：土地产权土地流转
文献传递
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