沈龙海
- 作品数：55 被引量：45H指数：3
- 供职机构：沈阳理工大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术天文地球更多>>
- 纳米金属氮化物的直流电弧法制备与高压物性研究
- 沈龙海
- 关键词：纤锌矿硫化矿物细粉超细粉末高压物性纳米
- 文献传递
- 高Al组分Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N三元合金微晶球及其制备方法
- 一种高Al组分Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N三元合金微晶球及其制备方法，属于半导体合金材料制备的技术领域。该微晶球是不同Al组分纤锌矿结构Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x<...
- 沈龙海吕伟
- 直接氮化法制备单晶AlN纳米线被引量：3
- 2008年
- 采用直流电弧放电装置,通过金属铝和氮气直接反应,在钼阴极上沉积出大量的AlN纳米线。利用XRD、SEM、TEM和拉曼(Raman)光谱对所制样品的结构、形貌和光学特性进行了表征。结果表明:大部分AlN纳米线沿着[001]方向生长,平均直径为45nm,长度5μm左右;Raman光谱的峰值与单晶体材料AlN的结果一致,说明AlN纳米线结晶质量较好。
- 沈龙海崔启良成泰民
- 关键词：电子技术半导体材料
- 等离子体辅助蒸发制备InN及其光电性能研究
- 2021年
- 采用射频等离子辅助蒸发法,在玻璃衬底上制备InN薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行表征,使用分光光度计、拉曼光谱仪和霍尔测量系统检测薄膜的光电特性。结果表明:制备的InN薄膜沿非极性晶面择优生长,薄膜表面由不规则晶粒紧密堆积而成;InN晶体的对称性存在一定缺陷,出现B1振动模式峰;室温下背景电子浓度为1.48×1023cm-3,电子迁移率为2.36×10-1cm2/(V·s);薄膜在近红外波段的透过率高达60%;室温光致发光谱中存在中心波长为573nm的发光峰。
- 孙辉刘俊陈建金沈龙海
- 关键词：氮化铟光电性能禁带宽度
- 亚微米尺寸K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)红色荧光粉的沉淀法合成及其发光性能
- 2024年
- 亚微米尺寸K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)荧光粉被认为是Micro-LED显示领域的变革性技术,但是小粒径K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)荧光粉的合成技术不成熟,难以实现亚微米尺度下的高效发光。因此,本文报道了一种亚微米级K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)荧光粉的沉淀合成新方法。经荧光光谱分析,该荧光粉在450 nm蓝光激发下展现出典型的Mn^(4+)红色发光,其内量子效率高达94.9%。经扫描电子显微镜(SEM)观察,合成的荧光粉粒径分布在150~450 nm范围。该荧光粉具备良好的热猝灭性能,在443 K可保持室温发光强度的102%。将绿色荧光粉β-sialon∶Eu^(2+)和K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)混合涂覆在蓝光芯片上制成白光LED,其色域覆盖范围达到133%NTSC,在驱动电流从10 mA增加到120 mA的情况下,色温波动~10%、显色指数波动~2%,总体性能保持稳定。本文将为亚微米尺寸K_(2)SiF_(6)∶Mn^(4+)荧光粉的合成提供新的方法,以促进Micro-LED显示技术的进一步发展。
- 张鑫鑫宋建宇雷云龙沈龙海张亮亮
- 关键词：荧光粉
- 940 nm滤光片的设计、制备及低角度效应的研究
- 2022年
- 本文对人脸识别中使用的940 nm窄带滤光片进行设计及制备,研制一种具有低角度效应的窄带滤光片。选择TiO_(2)、SiO_(2)作为高、低折射率材料,在Essential Macleod软件中对膜系进行设计,通过改变间隔层材料对膜系进行优化,最终设计的膜系层数为11,膜系总厚度为2480.76 nm。采用电子束热蒸发沉积技术对薄膜进行镀制,使用傅里叶红外光谱仪完成透射率光谱特性测试。最终研制的滤光片中心波长为940 nm,在截止区间(200~1100 nm)内,通带透射率大于80%,平均截止透射率小于1%,0°~22°通带偏移量为14 nm。
- 唐家建沈龙海仲维平李想罗皓
- 关键词：光学薄膜窄带滤光片人脸识别
- 氮化铝纳米线的高压同步辐射研究被引量：1
- 2010年
- 利用金刚石对顶砧和同步辐射光源,对用电弧法制备的、具有纤锌矿结构的氮化铝(AlN)纳米线进行了最高压力达51.1 GPa的原位角散X射线衍射研究。结果表明:当压力上升至24.9 GPa时,纤锌矿结构的AlN纳米线开始向岩盐矿结构转变;当完全卸压后,最终的岩盐矿结构被保留下来;纤锌矿AlN纳米线的轴向比例c/a随压力增加而线性减小。AlN纳米线独特的线状结构决定了其区别于AlN微晶和AlN纳米晶的高压行为。
- 沈龙海崔启良李雪飞
- N_2气流量比对磁控溅射Mo-N涂层结构和性能的影响被引量：1
- 2019年
- 目的研究N_2气流量比对直流反应磁控溅射Mo-N涂层结构、力学性能和摩擦性能的影响。方法采用直流反应磁控溅射技术在304不锈钢基体表面制备Mo-N涂层,对涂层结构进行X射线衍射(XRD)分析,对涂层形貌和磨痕形貌进行扫描电镜(SEM)分析,采用维氏显微硬度计测试涂层的显微硬度,采用划痕法表征涂层的结合强度,采用球盘式摩擦磨损试验仪评价涂层的摩擦磨损性能。结果随着N_2气流量比R从0.3增加至0.7,涂层主要由面心立方γ-Mo2N相构成,当R为0.7时,制备的涂层中出现少量的六方δ-MoN相。涂层的显微硬度先降低后增加,最高硬度可达3060HV。结合强度先增加后降低,当R为0.4和0.5时,涂层的结合力较高,约为40N,且具有较好的摩擦学性能,平均摩擦系数约为0.22,磨损形式主要为磨粒磨损。结论在基体温度为300℃时制备涂层,N_2气流量比在0.3～0.7的范围变化对涂层相结构的影响较小。硬度相对较高时,结合力越好,摩擦学性能越好。
- 齐东丽宋健宇沈龙海
- 关键词：磁控溅射显微硬度摩擦磨损性能
- 射频磁控溅射制备高In组分Al_(1-x)In_(x)N薄膜及其光学性能被引量：2
- 2021年
- 采用射频磁控溅射法,在硅和石英衬底上生长了高In组分Al_(1-x)In_(x)N薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见-红外分光光度计分别对Al_(1-x)In_(x)N薄膜的结构、形貌和光学带隙进行表征,并在室温下测量Al_(1-x)In_(x)N薄膜的光致发光(PL)谱。结果表明:Al_(1-x)In_(x)N薄膜均呈(002)择优取向,具有单相纤锌矿结构,In组分为x=0.64-0.76。随着In组分升高,薄膜表面更加光滑,光学带隙值由1.93 eV红移至1.87 eV。In组分x=0.64,薄膜以本征发光为主,随着In组分增加,出现了附加的发光峰,这可归因于Moss-Burstein效应。
- 陈建金齐东丽刘俊李想宋健宇沈龙海
- 关键词：光致发光
- 基于无催化剂化学气相沉积法的氮化镓纳米线制备和表征被引量：2
- 2015年
- 采用化学气相沉积法,通过金属镓和氨气的直接反应,在石英衬底上沉积出GaN纳米线。利用XRD和SEM对制备的GaN纳米线进行了结构和形貌的表征。结果表明合成的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,直径为100~200 nm,长度达几微米,GaN纳米线的生长符合VLS生长模型。室温PL光谱表明GaN纳米线在395 nm和566 nm的发光峰主要与Ga空位或者N空位引起的缺陷能级相关。
- 李林虎张勃沈龙海
- 关键词：石英GAN纳米线
