梁双
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京交通大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- GaN/AlN量子点结构中的应变分布和压电效应
- 2007年
- 从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度.结果表明,应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化,使电子聚集在量子点顶部,空穴聚集在量子点下面的湿润层中,在量子点结构中产生显著的极化电场,并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响.
- 梁双吕燕伍
- 关键词：自发极化压电极化
- 氮化物半导体量子点光电性质的研究与设计
- Ⅲ族氮化物半导体及其化合物发光器件的发光波长覆盖了绿光到紫外的范围。而量子点生长技术的发展，可以通过S-K模式生长出相对均匀的应变自组织量子点，使量子点成为人们研究的另一热点。Ⅲ族氮化物量子点的研究不但可以从基础物理方面...
- 梁双
- 关键词：半导体量子点光电性质电子能级
- 文献传递
- 有限元法计算GaN/AlN量子点结构中的电子结构被引量：4
- 2007年
- 根据有效质量理论单带模型,采用有限元方法(FEM)计算了GaN/AlN量子点结构中的电子结构,分析了应变和极化对电子结构的影响,计算了不同尺寸的量子点的能级,分析了量子点的大小对电子能级的影响.结果表明,形变势和压电势提升了电子能级,而且使简并能级分裂.随着量子点尺寸的增大,量子限制能减小,而压电势能起到更显著的作用,使电子的能级降低,吸收峰发生红移.
- 梁双吕燕伍
- 关键词：电子能级有限元方法
