您的位置: 专家智库 > >

柴飞

作品数:5 被引量:37H指数:4
供职机构:汕头大学理学院物理系更多>>
发文基金:汕头市科技计划项目更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇发光
  • 4篇EU
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇CA
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷迁移
  • 2篇一维结构
  • 2篇基质
  • 2篇光谱
  • 1篇性能研究
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光粉
  • 1篇荧光衰减
  • 1篇谱特性
  • 1篇共掺
  • 1篇共掺杂
  • 1篇固相
  • 1篇固相反应
  • 1篇固相反应法

机构

  • 5篇汕头大学

作者

  • 5篇柴飞
  • 4篇张汉焱
  • 4篇符史流
  • 3篇陈洁
  • 2篇周涛
  • 2篇尹涛

传媒

  • 2篇无机化学学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇汕头大学学报...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Eu^(3+)离子在Ca_2PbO_4一维结构基质中的发光研究
2007年
发光材料由基质化合物和掺人的少量激活剂组成。常用的固体发光基质材料为三维体系。低维体系固体材料由于化学键的链接方式在不同维度上存在着差异而通常拥有特殊的化学键和晶体场环境.在稀土离子发光材料的研究中引起了重视旧.
陈洁柴飞尹涛张汉焱符史流
关键词:一维结构光致发光
CaSnO_3:Eu^(3+)荧光粉的制备及其发光性能研究被引量:5
2008年
利用高温固相反应法制备CaSnO3:Eu3+发光体,采用X射线衍射(XRD)技术和荧光光谱等测试手段对样品进行研究.结果表明:Eu3+离子的掺杂未改变CaSnO3的晶体结构;Ca1-xEuxSnO3样品的发射以电偶极跃迁5D0-7F2为主,在紫外光照射下产生强的红光发射;Ca1-xEuxSnO3样品在240~340 nm范围内存在Eu3+-O2-电荷迁移吸收带,随着Eu3+掺杂浓度x的增加,吸收带峰位从276 nm红移到281 nm附近.
陈洁柴飞张汉焱周涛
关键词:光致发光固相反应法
Ce^(4+)和Eu^(3+)共掺杂的Ca_2SnO_4发光材料的合成与光谱特性被引量:10
2009年
利用高温固相反应法合成了Ce4+和Eu3+共掺杂的Ca2-xEuxSn1-yCeyO4样品,并对其结构和发光特性进行了研究。X射线衍射结果显示,在Ca2SnO4中同时掺入Ce4+和Eu3+离子没有改变其晶体结构。Ca2-xEuxSn1-yCeyO4样品的发射光谱随Eu3+掺杂浓度产生很大变化,当Eu3+掺杂浓度低时,样品中同时存在着Ce4+-O2-的蓝光发射和Eu3+的红光发射;当Eu3+掺杂浓度较高时,样品呈现出Eu3+离子的红光发射。Ce4+-O2-蓝色发光的寿命约为81μs,其能量来源于O2-和Ce4+离子间的电荷迁移吸收;而Eu3+红色发光的寿命约为830μs,其能量来源于O2-和Eu3+离子间的电荷迁移吸收。Eu3+-O2-键比Ce4+-O2-键更容易吸收紫外光,两者之间没有能量传递现象。
符史流柴飞周涛张汉焱
关键词:发光特性荧光衰减电荷迁移
Ca_2SnO_4:Eu^(3+)的固相反应形成机理及发光性质研究被引量:15
2007年
利用高温固相反应法合成了Ca_(2-x)Eu_xSnO_4发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段对样品的固相反应形成机理及光谱特性进行了研究.对于CaCO_3和SnO_2(2:1)混合粉料,在1250℃进行固相反应时将优先反应生成不稳定的中间相CaSnO_3,该相再与CaO继续反应生成最后稳定的目标相Ca_2SnO_4.Ca_(2-x)Eu_xSnO_4样品在240~360nm范围内存在着Eu^(3+)-O^(2-)电荷迁移吸收带,随着Eu^(3+)掺杂浓度(x=0.01~0.15)的增加,吸收带峰位从274nm红移至292nm附近.Ca_2SnO_4:Eu^(3+)发光体的发射以电偶极跃迁~2D_o-~7F_2为主导地位,在紫外光激发下产生强的红光发射.在Ca_2SnO_4基质中,Eu^(3+)离子的多声子弛豫过程几率小,当Eu^(3+)掺杂浓度较低时,可以观察到来自于Eu^(3+)较高激发态能级~5D_2和~5D_1上的辐射跃迁.Eu^(3+)离子在同构的Ca_2SnO_4和Sr_2CeO_4基质中的发射光谱形状类似,但Ca_2SnO_4:Eu^(3+)的红光发射强度远大于Sr_2CeO_4:Eu^(3+).
符史流尹涛柴飞
关键词:反应机理光致发光
Ce^(4+)离子在Ca_2SnO_4一维结构基质中的电荷迁移光谱研究被引量:11
2008年
利用高温固相反应法制备了Ca2Sn1-xCexO4和Ca2-ySrySn1-xCexO4一维结构发光体.XPS结果显示Ca2SnO4拥有两种结合能分别为527.7eV和529.3eV的晶格O2-离子,前者对应于SnO6八面体终端上的O2-离子,而后者属于八面体平面上的O2-离子.Ca2Sn1-xCexO4和Sr2CeO4一维结构发光体的发光来源于Ce4+-O2-的电荷迁移跃迁,通常认为O2-与Ce4+离子之间的电荷迁移激发在紫外波段存在着两个激发峰.Sr2+离子掺杂的Ca2Sn1-xCexO4样品的光谱测量结果显示Ca2Sn1-xCexO4在紫外波段实际上存在着三个激发峰.Ca2Sn1-xCexO4样品的三个激发峰分别位于31000cm-1,34500cm-1和37400cm-1附近.在Ca2Sn1-xCexO4的Ca2+格位上掺杂Sr2+离子,三个激发峰明显显露,且分别蓝移至31200cm-1,34700cm-1和38400cm-1左右;然而,样品发射光谱的形状保持不变.Sr2CeO4激发光谱也可以用三个高斯峰拟合,其峰值分别位于29300cm-1,33400cm-1和37000cm-1附近.
符史流柴飞陈洁张汉焱
关键词:一维结构
共1页<1>
聚类工具0