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查杉

作品数:5 被引量:13H指数:2
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电池
  • 2篇预制
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇铜铟镓硒
  • 2篇金属
  • 2篇
  • 2篇
  • 2篇
  • 1篇电阻率
  • 1篇性能研究
  • 1篇透过率
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇功率
  • 1篇功率密度
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备
  • 1篇SE

机构

  • 5篇清华大学

作者

  • 5篇查杉
  • 4篇庄大明
  • 4篇张弓
  • 2篇韩东麟
  • 2篇丁晓峰
  • 1篇元金石
  • 1篇赵方红

传媒

  • 2篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
铜铟镓硒或铜铟镓硫或铜铟镓硒硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法
本发明涉及铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层的制备方法,是在钠钙玻璃Mo衬底上,先用真空磁控溅射法制备CuInGa的金属预制层,再在热处理真空室中进行预蒸发后硒化或硫化处理。本发明的特点是真空磁控溅射法采用的靶材为CuI...
张弓庄大明丁晓峰韩东麟查杉
文献传递
铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法
本发明涉及铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层的制备方法,是在钠钙玻璃Mo衬底上,先用真空磁控溅射法制备CuInGa的金属预制层,再在热处理真空室中进行预蒸发后硒化或硫化处理。本发明的特点是真空磁控溅射法采用的靶材为CuI...
张弓庄大明丁晓峰韩东麟查杉
文献传递
铜铟硫薄膜的固态硫化法制备及其性能研究被引量:8
2007年
采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In预制膜,并采用固态源蒸发硫化方法制备CuInS2薄膜。考察了硫源温度对CuInS2薄膜性能的影响。采用扫描电镜(SEM)和X射线能量色散谱仪(EDS)分别观察了薄膜的表面形貌和分析了薄膜的成分,采用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的组织结构。结果表明,在硫源温度处于280℃到360℃范围之内时,制备的CuInS2薄膜都具有单一的黄铜矿型结构,颗粒均匀,晶粒大小约为1μm。
查杉元金石张弓庄大明
关键词:太阳能电池
功率密度对中频磁控溅射制备的氧化锌镓薄膜性能的影响被引量:5
2005年
利用中频磁控溅射方法,溅射Ga2O3含量为6.7wt%的氧化锌镓陶瓷靶材,在低温下(约40℃)制备了ZGO薄膜。考察了溅射功率密度对ZGO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响。结果表明:溅射功率密度对薄膜的结构、红外反射以及导电性能有较大影响。当溅射功率密度为3.58W/cm2,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率低达1.5×10-3Ω·cm,方块电阻为23Ω时,可见光(λ=400nm~800nm)平均透过率高于90%。
赵方红庄大明张弓查杉
关键词:磁控溅射电阻率透过率
CuInS2及CuIn(Se,S)2薄膜的制备工艺及性能研究
查杉
关键词:太阳能电池
共1页<1>
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