林琳
- 作品数：26 被引量：30H指数：3
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- Cr、Cu掺杂ZnO电子结构和光学性质的理论计算
- 2023年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对Cr、Cu掺杂ZnO的电子结构和光学性质进行了计算分析。计算结果表明:Cr-Cu共掺杂体系晶胞体积介于二者单掺杂体系之间,形成能最低,体系最稳定。Cr-Cu共掺杂后费米能级进入导带,价带顶下移,带隙较Cr单掺杂时有所降低。共掺杂体系费米能级附近的电子态更加丰富,介电函数虚部强度在低能端方向的峰较Cu单掺杂时有所提高。Cu的引入使共掺杂体系吸收带边相对于Cr单掺杂有一定程度的红移,Cr、Cu的3d电子态的引入使得其在可见光区域及紫外光区域的吸收均有所增强。
- 何瑞强王皓渤林琳迎春
- 关键词：氧化锌掺杂电子结构光学性质
- 场频率变化对保真度的影响
- 2008年
- 利用数值计算、数学推导,对比研究等方法,研究了场频率作正弦微小变化时原子与光场相互作用系统中保真度的演化。研究表明:场频率变化的幅值越大,即失谐量越大,则系统、光场和原子的保真度就越大;另外,场频率变化的角频率只影响系统、光场和原子的保真度演化曲线变化频率,当场频率变化的角频率增大一倍,则演化曲线的频率也增大一倍。
- 包秀丽林琳
- 关键词：保真度光场与原子相互作用
- 用第一性原理计算六角BC_2N的光学性质(英文)
- 2009年
- 基于采用密度泛函理论详细计算了六角化合物BC_2N的光学性质,包括介电函数、折射指数、吸收、能量损失谱、反射,计算结果表明:六角化合物BC_2N的光学性质与c-BN的光学性质相似.
- 林琳李继军迎春杜云刚
- 关键词：密度泛函理论广义梯度近似
- 一种在刀具表面均匀沉积类金刚石薄膜的装置
- 本实用新型公开了一种在刀具表面均匀沉积类金刚石薄膜的装置，其包括真空腔以及设置在真空腔两侧壁底部的进气口，在真空腔外壁设有接地端子，在真空腔内腔顶部活动固定设有尖端向下设置的刀具基底；在刀具基底下方的真空腔底部设有沉积靶...
- 林琳孙建华迎春
- 文献传递
- 立方尖晶石C2SiN4和Si2CN4电子结构和硬度的理论研究
- 基于密度泛函理论的第一性原理,在广义梯度近似和局域密度近似下,计算了立方尖晶石C2SiN4争Si2CN4的体变模量、切变模量、电子结构和维氏硬度。结果表明,C2SiN4和Si2CN4都属超硬材料,并得出材料的硬度与电子密...
- 林琳刘全龙迎春
- 关键词：密度泛函理论电子结构维氏硬度
- 文献传递
- Ca掺杂纤锌矿ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：4
- 2013年
- 采用第一性原理的超软赝势方法,对ZnO、Ca掺杂ZnO的电子结构和光学性质进行了研究。结果表明,能隙宽度随掺杂浓度的增大而增大;掺杂后ZnO的光学性质发生了一些变化,静态介电常数总趋势随着掺杂浓度的增大而减小;与纯ZnO吸收谱相比,Ca掺杂后出现了新吸收峰,吸收边发生蓝移,介电函数虚部也出现了新波峰。
- 林琳赵春旺迎春
- 关键词：电子结构光学性质
- 不同浓度Ag掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：2
- 2021年
- 基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,研究了不同浓度Ag掺杂ZnO体系的电子结构和光学性质.计算结果表明,不同浓度Ag原子代替Zn原子后会导致电子结构和光学性质有显著的改变,能带随掺杂浓度的增大带隙渐渐变窄,光吸收、反射等也随银掺杂浓度的增大先是向高能端偏移再向低能端移动.这暗示Ag掺杂ZnO对其电子结构及光学性质有很大的影响,为进一步研究掺杂对ZnO性质的影响提供理论基础.
- 范海廷王佳默林琳
- 关键词：ZNO掺杂电子结构光学性质
- 碱土金属掺杂ZnO电子结构的理论研究被引量：2
- 2013年
- 采用第一性原理的超软赝势方法,对碱土金属掺杂纤锌矿ZnO以及未掺杂ZnO的电子结构进行了详细的计算。计算结果表明,随着原子序数的增加,能带带隙逐渐变小,但仍大于未掺杂的带隙(除镭外),这一现象显示了碱土金属比Zn的金属性强而导致O离子的电子密度分布向碱土离子的方向偏移的程度比原来为Zn离子时更大。
- 林琳杨友昌杨桔材
- 关键词：密度泛函理论电子结构
- 变迹光纤光栅中布拉格孤子相互作用特性的数值研究
- 2009年
- 在耦合模理论基础上,运用有限差分法分别数值模拟了布拉格孤子在抛物线平方变迹和高斯变迹光纤光栅中的相互作用。结果表明,同振幅孤子对在不同变迹光纤光栅中的相互作用特点都具有一定的规律性。在高斯变迹光纤光栅中,合适选择相对相位和相对振幅等参数可以使两个不同振幅孤子的相互作用表现为排斥作用,而在抛物线平方变迹光纤光栅中两个不同振幅孤子相互作用较复杂。
- 迎春敖特根林琳
- 关键词：有限差分法
- 铬掺杂硅团簇的结构、稳定性和光电子谱性质研究被引量：2
- 2020年
- 采用CCSD(T)/aug-cc-pVTZ-DK//MP2/6-31G(2df,p)和B3LYP/aug-cc-pVTZ基组研究了小尺寸团簇CrSin(n=3~9)及其阴离子的结构、稳定性以及光电子谱。结果表明:中性及其阴离子的基态结构是外嵌结构。由计算得出的解离能可知,在n<5时,CrSin中性结构的稳定性弱于其阴离子结构。在n≥5时,CrSin中性结构中,CrSi5和CrSi8结构的稳定性强于其相邻团簇;CrSin阴离子结构中,CrSi4和CrSi7结构的稳定性弱于其相邻团簇。计算得出的CrSin垂直电子解离能分别为:CrSi3(2.26 eV),CrSi4(3.21 eV),CrSi5(2.72 eV),CrSi6(3.54 eV),CrSi7(2.45 eV),CrSi8(2.71 eV)和CrSi9(2.95 eV)。除CrSi4以外,其他CrSin结构的垂直电子解离能数值与实验值很好符合,平均绝对误差仅为0.073 eV。计算得出的CrSin绝热电子亲和能分别为:CrSi3(2.07 eV),CrSi4(1.95 eV),CrSi5(2.4 eV),CrSi6(2.32 eV),CrSi7(2.38 eV),CrSi8(2.67 eV)和CrSi9(2.63 eV)。除CrSi6以外,其他CrSin结构的绝热电子亲和能与实验值很好符合,平均绝对误差仅为0.09 eV。此外,在PBE1PBE/6-31G(2df,p)水平下模拟了CrSin(n=3~9)阴离子基态结构的光电子光谱,并与报道的实验结果相比较,可以得出该研究得到的基态结构是可靠的。
- 林琳杨桔材迎春李继军赵二俊
- 关键词：基态结构稳定性光电子谱
