杨铭
- 作品数：9 被引量：4H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- FPGA布局算法研究和软件实现
- FPGA布局算法和软件位于工艺映射和布线之间，是一个承上启下的阶段，对最终的布通率和时序都有着重要的影响。
本论文的工作之一便是研究旨在提高布通率的布局算法。在研究了国内外装箱和布局算法的基础上，本文提出了一种...
- 杨铭
- 关键词：FPGA模拟退火
- 文献传递
- 掺铜氧化镍导电透明薄膜及其制备方法
- 本发明属于透明电子学研究领域，具体涉及一种p型导电透明掺铜氧化镍薄膜及其制备方法。本发明提供了一种p型导电透明氧化物半导体薄膜，该薄膜是化学配比为Ni<Sub>1-x</Sub>Cu<Sub>x</Sub>O的掺铜氧化镍...
- 杨铭张群施展
- 文献传递
- 一种p型半导体掺镍氧化铜靶材及其制备方法
- 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种P型半导体掺镍氧化铜(Cu<Sub>1－x</Sub>Ni<Sub>x</Sub>O)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气作为...
- 张群施展杨铭王颖华
- 文献传递
- 一种p型半导体掺镍氧化铜靶材及其制备方法
- 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种p型半导体掺镍氧化铜(Cu <Sub>1-x</Sub>Ni <Sub>x</Sub>O)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气...
- 张群施展杨铭王颖华
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- 近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法
- 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>:M(M＝W，Mo)。本发明以普通玻璃为基板，利...
- 张群李桂锋杨铭
- 文献传递
- 一种p型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法
- 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu<Sub>1-x</Sub>Ni<Sub>x</Sub>O)陶瓷靶，在基板温度为室温的条...
- 张群施展杨铭王颖华
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- 一种p型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法
- 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu<Sub>1－x</Sub>Ni<Sub>x</Sub>O)陶瓷靶，在基板温度为室温的条...
- 张群施展杨铭王颖华
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- 近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法
- 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>:M(M＝W，Mo)。本发明以普通玻璃为基板，利...
- 张群李桂锋杨铭
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- LowTARP:低温交替改善的模拟退火布局算法被引量：3
- 2007年
- 在模拟退火算法的基础上,提出一种“低温交替改善”的FPGA布局算法.在模拟退火的低温阶段,该算法不仅交换可配置逻辑单元(CLB)的位置,也改变逻辑单元(LE)所属的CLB,即同时对布局和装箱进行优化,并采用布局的目标函数来衡量装箱的优劣.实验数据表明,采用3种不同的装箱算法的结果作为布局的输入,布线通道宽度与最具代表性的VPR布局算法相比,分别提高21.3%,15.5%和10.7%,而引入的额外计算量不到20%.
- 杨铭来金梅唐璞山胡欣曾璇童家榕
- 关键词：装箱模拟退火
