李玉现
- 作品数：27 被引量：49H指数：4
- 供职机构：河北师范大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程一般工业技术机械工程更多>>
- 耦合Majorana束缚态T形双量子点中的Andreev反射被引量：1
- 2016年
- 研究了连接在正常金属电极和超导电极之间的耦合Majorana束缚态(MBSs)T形双量子点结构中的Andreev反射.研究发现,对于T形双量子点结构,当入射能量等于边耦合量子点能级时Andreev反射电导出现Fano振荡,连接MBSs之后,零费米能附近出现一对新的Fano型振荡峰.如果忽略两个MBSs之间的相互作用,零费米能点的Andreev反射电导为定值1/2G_0(G_0=2e^2/h),不受量子点能级、双量子点之间耦合强度以及量子点与MBSs之间的耦合强度的影响.此外,在没有耦合MBSs的T形双量子点结构中,调节双量子点间的耦合强度可以使零费米能附近的Andreev反射电导出现由共振带向反共振带的转变,而耦合MBSs之后,又可以使反共振消失转而出现新的共振峰.
- 王素新李玉现王宁刘建军
- 关键词：双量子点ANDREEV反射
- 质量效应对抛物量子阱中电子子带的影响
- 2000年
- 考虑有效质量随空间位置的变化 ( SDEM效应 ) ,计算了垂直磁场作用下量子阱中电子的第一子带 ,与不考虑 SDEM效应的结果做了比较 。
- 李玉现刘建军霍吉良孔小均
- 关键词：束缚能抛物量子阱半导体
- 基于自旋亚稳态的零场冷交换偏置研究
- 2021年
- 磁性材料中自旋亚稳态的存在往往会使体系中出现新奇的物理现象,例如磁跳变、变磁相变、斯格明子等.本文从亚稳态和自发交换偏置的研究现状出发,介绍了基于自旋亚稳态设计、构建自发交换偏置新体系的思路和研究方法,力图以此激发学生的创新思维,同时为相关领域的科研人员提供借鉴.
- 李婕高林齐世飞马丽翟晓霞李玉现
- 含δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中的自旋输运和渡越时间被引量：8
- 2008年
- 研究了含δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和渡越时间,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应对隧穿特性的影响.研究结果表明:δ势垒的存在降低了自旋电子的透射概率,改变了透射概率的位相.Rashba自旋轨道耦合强度的增加加大了透射概率的振荡频率.不同自旋取向的电子隧穿异质结时,渡越时间随着半导体长度、Rashba自旋轨道耦合强度以及两铁磁电极中的磁化方向的夹角的变化而变化.
- 杜坚张鹏刘继红李金亮李玉现
- 关键词：渡越时间
- 次近邻电子跳跃对顺式聚乙炔中双极化子的电子态和局域振动模的影响
- 1998年
- 在ＳＳＨ模型的基础上，考虑了次近邻电子跳跃对顺式聚乙炔元激发性质的影响，用数值计算的方法，研究了顺式聚乙炔中双极化子的能谱和电子态及其附近的局域振动模．结果表明：双空穴极化子能谱的电子－空穴对称性被解除，双极化子的电子束缚态数目及附近的局域振动模的数目都发生了改变．
- 谢尊安忠李玉现李有成
- 关键词：顺式聚乙烯双极化子电子跳跃
- 磁场调制下单层石墨烯势垒结构的隧穿特性
- 2012年
- 利用传递矩阵方法,在多方势垒基础上,采用渐近手段,研究了单层石墨烯不同势垒结构(方势垒和劈形势垒)的隧穿特性,结果发现势垒形状影响隧穿特性.对于2种形状的势垒结构,无论是透射系数还是平均电导率,既展现出相同的特点,又有明显不同之处.通过比较透射系数与平均电导率,得出各自的特点,为实际设计纳米器件提供理论基础.
- 史淑惠冯树波李玉现
- 关键词：石墨烯方势垒电导率
- 利用菲涅耳双棱镜研究光的干涉现象被引量：10
- 2017年
- 简要地给出了菲涅耳双棱镜干涉实验的基本光学原理和实验过程;重点对在实际教学中常见的观察不到干涉条纹、测量误差较大、凸透镜的选择、干涉条纹不均匀等情况进行了详细地讨论,并给出了解决问题的方法.
- 杨振军许景周庞兆广李玉现
- 关键词：菲涅耳双棱镜波动光学
- 二维双激子束缚能的研究
- 1999年
- 用简单的几何模型计算了双激子体系的束缚能，得到二维双激子与单激子的束缚能比率随σ＝ｍ＊ｅ／ｍ＊ｈ从０．３２４到０．２２８之间变化。
- 李玉现刘建军孙小均
- 关键词：束缚能半导体结构
- 磁场对正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响被引量：4
- 2002年
- 利用有效质量近似 ,计算了磁场影响下正方体量子点中类氢杂质体系的束缚能 ;与相同条件下量子线以及球形量子点的束缚能进行了比较 ,得出合理的结果 ;
- 李玉现刘增军邸冰刘建军
- 关键词：类氢杂质束缚能磁场半导体量子理论量子线
- 平膜状双自旋过滤隧道结的磁电阻:偏压,垒高,垒厚和分子场的影响
- 针对平膜状NM/FI/NM型双自旋过滤隧道结(DSFJ;此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘(半导)体层),计算了偏压V,FI垒高U<,0>,FI厚度d<,FI>和FI分子场大小h<,0>对磁电阻(TMR)的影响.结...
- 谢征微李玉现李伯臧
- 关键词：磁电阻偏压分子场
- 文献传递
