李洋
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：太原理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 硅化镁热电材料的一步合成法制备及性能表征被引量：1
- 2014年
- 采用MgH2代替Mg粉,与Si粉和Bi粉按照一定比例混合后,在FAPAS(电场激活压力辅助合成)炉中,用一步合成法制备Bi(1%(摩尔分数))掺杂的硅化镁(Mg2Si)块体热电材料。系统研究了一步合成法烧结制备Mg2Si基热电材料的工艺过程,对试样进行了成分和热电性能分析,并且与管式炉+FAPAS(T+F)法制备出的样品进行比较。实验结果表明,一步合成法制备块体Mg2Si基热电材料效率高,产物具有纯净和纳米的特征,有效降低了热导率,从整体上改善了材料的热电性能。同时,适度过量的Si有助于提高材料的热电性能,配比为1.95∶1的样品在热电性能上要优于配比为2∶1的样品,在725K时,前者的ZT值可达0.54。
- 李洋陈少平焦媛媛曾博孟庆森易堂红S.M.KauzlarichD.V.QuanchZ.A.Munir
- 关键词：一步合成法MG2SI热电材料
- 一步合成法制备Mg_2Si_(1-x)Sn_xBi_y热电材料及其性能表征
- 2015年
- 基于重带轻带收敛简并和合金散射,通过调整掺杂可以使Mg2Si1-xSnx材料在增加态密度的同时保证载流子迁移率不下降,进而获得较高的热电性能。以氢化镁代替单质镁粉,以重金属Bi作为施主原子,采用一步合成工艺制备出高纯度n型Mg2Si1-xSnxBiy基半导体热电材料;通过改变反应物的配比,研究了Si/Sn比和Bi的含量对Mg2Si1-xSnxBiy热电材料能带结构和热电性能的影响。结果表明,本热电材料断口呈现多晶板条层状结构,层与层之间的平均间距小于200nm;Sn含量的增加有利于通过增加晶格畸变降低晶格热导;适量的Bi则可通过施主掺杂有效提高其电性能,最终提高其综合热电优值;当温度为775 K时,Mg2Si0.6Sn0.4Bi0.01的热电优值达到1.29。本合成法工艺简单,产物成分易于控制,可成功制备出纯净的纳米复合Mg2Si1-xSnxBiy热电材料。
- 张永忠曾博陈少平孟庆森李洋
- 关键词：一步合成法热电材料
