李永富
- 作品数：27 被引量：36H指数：3
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- 相关领域：电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 一种测量InGaAs探测器偏振敏感响应的装置
- 本发明公开了一种测量InGaAs探测器偏振敏感响应的装置，它由光源系统、偏振态控制系统、光阑、待测InGaAs探测器、电流放大器和示波器组成，其中偏振态控制系统由两个格兰-汤普森棱镜组成，用于产生纯净的线偏振光；待测In...
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- 文献传递
- InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片
- 本发明公开了一种InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片，包括：在p－InP/InGaAs/n－InP外延片上通过刻蚀形成线列或面阵p－InP微台面。在p－InP微台面上置有与其欧姆接触的Au/Zn/Pt/Au/P电极...
- 唐恒敬吴小利张可锋汪洋刘向阳李永富吴家荣李雪龚海梅
- 文献传递
- 台面型InGaAs探测器暗电流及低频噪声研究被引量：3
- 2010年
- 制备了一系列不同面积的台面型InGaAs红外探测器,通过周长面积比(P/A)的变化分析了器件的暗电流机制及低频噪声性能。结果表明,在现有的材料和工艺水平下,台面边缘和体内的产生复合电流都在总暗电流中占了较大部分。对测试结构器件的低频噪声测量表明,在反偏下,器件表现出明显的1/f噪声;由于边缘产生复合电流对小尺寸器件的影响大,其产生的噪声使得器件总噪声变大。这些结果表明,以后的工艺改进应注重减少边缘电流和体内产生复合电流。
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- 关键词：红外探测器噪声
- AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用(英文)被引量：2
- 2010年
- 为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜（AFM）及扫描电容显微镜（SCM）获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流（LBIC）技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后,器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中,比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间.
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- 关键词：保护环INP/INGAAS
- InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制被引量：2
- 2009年
- 采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大。SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义。
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- 关键词：二次离子质谱ZN扩散
- InGaAs短波红外探测器的偏振响应特性分析
- 2009年
- 在偏振成像和激光功率测量技术领域,凡涉及偏振光的定量测量,都会由于光束的偏振态对探测器的影响而产生显著的误差。这种现象主要是由于许多类型的光探测器存在偏振敏感响应引起的。本文对光电探测器的偏振响应进行了分析,推导了光电探测器偏振相关损耗的斯托克斯模型。分析了SiN_x钝化膜对InGaAs探测器偏振响应的影响。结果表明,无SiN_x钝化膜时,随着入射角度的增加,偏振响应损耗明显增加,而随着波长的增加,偏振响应损耗明显降低;采用SiN_x钝化膜时,随着波长的增加,偏振响应损耗先减小后增加。由于设计的SiN_x薄膜的增透中心波长为1550nm,1310nm波长处的偏振响应损耗大于1550nm处的偏振响应损耗。
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- 关键词：光电探测器INGAAS偏振SINX
- 平面型InGaAs红外探测器I-V特性研究被引量：2
- 2009年
- 采用闭管扩散方式,利用SiO2及Si3N4扩散掩膜在NIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料上制备了两种不同的平面型InGaAs红外探测器,研究了室温下不同扩散区面积的两种器件的正向I-V特性及反向暗电流密度与器件周长面积比的关系,结果表明,扩散区边缘的钝化是平面型InGaAs探测器的制备过程中非常重要的一环,而且Si3N4薄膜的钝化效果优于SiO2薄膜。室温下和-0.1V偏压下,采用Si3N4扩散掩膜的器件的暗电流密度约为20nA/cm2。
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- 关键词：电流密度
- 空间遥感用近红外InGaAs焦平面组件(英文)被引量：8
- 2009年
- 介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μm的正照射和背照射256×1元InGaAs线列焦平面组件,室温下其峰值响应率分别为7.8×1011cm·Hz1/2/W和4.5×1011cm·Hz1/2/W,而且利用正照射256×1元InGaAs线列焦平面组件实现了扫描成像,图像清晰。此外,研制了光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件,其室温下峰值探测率为2.5×1010cm·Hz1/2/W。这些研究结果为下一步更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础,同时器件的性能需要进一步提高,以满足空间遥感应用的要求。
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- 关键词：INGAAS红外探测器
- 背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
- 本发明公开了一种背照射铟镓砷微台面探测器芯片及制备工艺，包括在p－InGaAs/p－InP/i－InGaAs/n－InP外延片上刻蚀形成p－InGaAs/p－InP/i－InGaAs微台面，InGaAs吸收层厚度设计为1...
- 唐恒敬张可锋吴小利朱慧宁锦华李淘汪洋李雪李永富龚海梅
- 文献传递
- InGaAs台面探测器的AlN钝化研究被引量：1
- 2009年
- 首次介绍了采用AlN介质薄膜为钝化层的InGaAs台面型探测器(λc=2.4μm)。探测器采用分子束外延(MBE)方法生长的原位掺杂的PIN In0.78Ga0.22As/In0.78Ga0.22As/InxGa1-xAs/InP外延材料。由于台面型器件的裸露面积较大,特别是台面的成形工艺所带来的侧面损伤,加大了光生载流子的表面复合,使器件的暗电流、噪声等性能急剧下降。采用新的AlN钝化工艺,制备了8元正照射台面InGaAs探测器,室温下(T=300K)电压为-0.5V时,探测器的暗电流(ID)约为9×10-8A,优值因子(R0A)大于30Ωcm2,通过与其他钝化工艺所制备的器件的性能进行分析对比得出:AlN能有效地改善器件的表面状态,减小表面复合,从而降低了暗电流,提高了探测器的性能。
- 张可锋李淘唐恒敬李永富宁锦华李雪龚海梅
- 关键词：INGAAS探测器ALN钝化层暗电流
