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李冀东
作品数:
5
被引量:5
H指数:2
供职机构:
北京有色金属研究总院
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发文基金:
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国家创新方法工作专项
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
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合作作者
佘思明
中南工业大学应用物理与热能工程...
石志仪
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
谢书银
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
施锦行
中南工业大学应用物理与热能工程...
张丽民
北京有色金属研究总院
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李冀东
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中国有色金属...
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半导体光电
年份
1篇
2012
1篇
1998
1篇
1997
2篇
1996
共
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GB/T 15615-1995硅片抗弯强度测试方法研究
1998年
根据动能定理和薄板理论提出了一种新的脆性材料强度测试方法——圆片冲击法。通过当硅片较薄时偏离小挠度条件的实验校准,使该方法适用于各种厚度硅片的强度测量,进而制订了硅片抗弯强度测试方法的国家标准。
谢书银
石志仪
李冀东
关键词:
硅片
抗弯强度
集成电路
扩展电阻探针在硅材料研究上的应用
被引量:2
1996年
主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布,及经氧外扩散后,硅片表面区中间隙氧分布等方面的应用。
李冀东
施锦行
佘思明
关键词:
扩展电阻探针
硅
电阻率
PECVD制备纳米晶多晶硅薄膜
2012年
以Si(100)为衬底,采用磁控溅射和射频等离子体增强化学气相沉积系统制备了Si(100)/Al膜/非晶Si膜结构的样品。对该样品进行Al诱导真空退火以制备多晶硅薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和AFM分析薄膜微结构及表面形貌。实验结果表明,在经过500℃、550℃Al诱导退火后,形成了择优取向为〈111〉晶向的多晶硅薄膜。AFM给出了550℃退火后薄膜表面形貌,为100~200nm大小的圆丘状硅晶粒,密集排列在薄膜表面;并对Al诱导真空退火晶化的机理进行了分析。
张丽民
刘淑凤
夏雯
李冀东
关键词:
PECVD
非晶硅
热处理对硅片抗弯强度的影响
被引量:2
1997年
研究了热处理温度、时间及降温方式对不同氧、氮含量的氩气氛直拉硅(ACZ)及氮气氛直拉硅(NCZ)抗弯强度(σ)的影响规律。结果表明:硅氧络合物和氮硅氧络合物的生成使抗弯强度提高,沉淀的形成使强度下降。提出了既能消除热施主。
谢书银
石志仪
李冀东
董萍
关键词:
硅
抗弯强度
硅片
单晶硅
硅中氮的电学行为的研究
被引量:1
1996年
用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为.结果指出:氮对热施主无明显的促进和抑制作用;NCZSi中不存在“热受主”,NCZSi的电学性质上的特点是氮氧复合物施主;氮氧复合物及其施主呈现可逆性;NCZSi的电阻率稳定化处理温度初步可选为900℃.
佘思明
李冀东
廖平婴
关键词:
硅
氮
半导体材料
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