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李冀东

作品数：5 被引量：5H指数：2
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金国家创新方法工作专项更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇硅
  • 2篇抗弯强度
  • 2篇硅片
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇电路
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻率
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇真空
  • 1篇真空退火
  • 1篇退火
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇扩展电阻
  • 1篇扩展电阻探针
  • 1篇集成电路
  • 1篇硅薄膜

机构

  • 4篇中南工业大学
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇浙江大学

作者

  • 5篇李冀东
  • 2篇谢书银
  • 2篇佘思明
  • 2篇石志仪
  • 1篇夏雯
  • 1篇施锦行
  • 1篇刘淑凤
  • 1篇张丽民

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2012
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
GB/T 15615-1995硅片抗弯强度测试方法研究
1998年
根据动能定理和薄板理论提出了一种新的脆性材料强度测试方法——圆片冲击法。通过当硅片较薄时偏离小挠度条件的实验校准，使该方法适用于各种厚度硅片的强度测量，进而制订了硅片抗弯强度测试方法的国家标准。
谢书银石志仪李冀东
关键词：硅片抗弯强度集成电路
扩展电阻探针在硅材料研究上的应用被引量：2
1996年
主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面的应用。
李冀东施锦行佘思明
关键词：扩展电阻探针硅电阻率
PECVD制备纳米晶多晶硅薄膜
2012年
以Si(100)为衬底,采用磁控溅射和射频等离子体增强化学气相沉积系统制备了Si(100)/Al膜/非晶Si膜结构的样品。对该样品进行Al诱导真空退火以制备多晶硅薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和AFM分析薄膜微结构及表面形貌。实验结果表明,在经过500℃、550℃Al诱导退火后,形成了择优取向为〈111〉晶向的多晶硅薄膜。AFM给出了550℃退火后薄膜表面形貌,为100～200nm大小的圆丘状硅晶粒,密集排列在薄膜表面;并对Al诱导真空退火晶化的机理进行了分析。
张丽民刘淑凤夏雯李冀东
关键词：PECVD非晶硅
热处理对硅片抗弯强度的影响被引量：2
1997年
研究了热处理温度、时间及降温方式对不同氧、氮含量的氩气氛直拉硅（ＡＣＺ）及氮气氛直拉硅（ＮＣＺ）抗弯强度（σ）的影响规律。结果表明：硅氧络合物和氮硅氧络合物的生成使抗弯强度提高，沉淀的形成使强度下降。提出了既能消除热施主。
谢书银石志仪李冀东董萍
关键词：硅抗弯强度硅片单晶硅
硅中氮的电学行为的研究被引量：1
1996年
用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为．结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”，ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧复合物施主；氮氧复合物及其施主呈现可逆性；ＮＣＺＳｉ的电阻率稳定化处理温度初步可选为９００℃．
佘思明李冀东廖平婴
关键词：硅氮半导体材料
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共1页<1>
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