曾晖
- 作品数:11 被引量:27H指数:4
- 供职机构:长江大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金湖北省教育厅科学技术研究项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域:理学文化科学一般工业技术更多>>
- 地方高校理工科学生科研素质的培养被引量:1
- 2013年
- 教育部教高[2012]4号文件明确鼓励本科生参与科研活动,培养创新精神和科研素质。以长江大学为例,介绍了该校物理科学与技术学院本科生科研素质培养取得的成绩,同时也分析了物理科学与技术学院在培养学生科研素质方面存在的主要问题,并在此基础上提出了地方高校理工科学生科研素质的培养方法与途径。
- 赵俊曾晖徐大海
- 关键词:理工科学生
- 硼氮共掺杂碳管门压输运特性第一性原理研究被引量:2
- 2011年
- 利用结合第一性原理的密度泛函理论的非平衡格林函数数值方法,计算了硼氮共掺杂(5,5)单壁碳纳米管的电子透射特征和电流电压曲线。结果表明,硼氮共掺杂使得金属型(5,5)单壁碳管转变为半导体性,硼氮共掺杂使得体系透射峰值随偏压发生非线性变换。门电压较小时对体系的输运特性的调制才属于线性关系。
- 韦建卫曾晖蒲利春刘群英
- 关键词:输运特性调制
- SeN_2自由基解析势能函数的耦合簇理论研究
- 2014年
- 利用单双迭代耦合簇理论CCSD结合相关一致四重基组cc-pVQZ对SeN2基态的平衡结构和谐振频率进行了优化计算.计算结果表明:基态SeN2自由基分子稳定态为C2v构型,基态电子组态为X1A1,平衡核间距RSe-N=0.1691 nm,RN-N=0.1970 nm,αN-Se-N=71.289?,离解能De=4.78 eV.基态简正振动频率分别为:ν1=326.9288 cm-1,ν2=808.0161 cm-1以及ν3=948.3430 cm-1.对SeN基态和N2基态采用上述相同方法进行几何构型与谐振频率的计算并进行单点能扫描,使用Murrell-Sorbie函数进行最小二乘拟合得到其势能函数和光谱常数,通过和其他理论值以及实验值做比较,显示本文的计算工作达到了很高的精度.应用多体项展式理论导出了基态SeN2的全空间解析势能函数,其势能函数等值势能图准确再现了SeN2分子的结构特征和能量变化.
- 曾晖赵俊
- 关键词:解析势能函数多体项展式理论
- 含有碳链通道的石墨烯纳米带电子特性的第一性原理研究被引量:7
- 2013年
- 采用第一性原理的密度泛函理论结合非平衡格林函数的计算方法,研究了含有多碳链通道的石墨烯纳米带的原子结构、电子能带结构与电子输运特性.结果表明,移除大量原子后含有双碳原子链的纳米带的能隙显著增大,这说明电子从占据态到未占据态的跃迁将更加困难;并且最高占据子能带与最低未占据子能带几乎与费米能级平行,说明边缘态几乎完全消失.电子输运特性的计算结果与电子能带结果是自洽的,碳链的引入导致纳米带电导隙的增大和费米能级位置电导的湮没.这说明通过电子束轰击的方式裁剪纳米带的原子结构来制备集成度更高、尺度更小的一维半导体纳米器件是可行的.
- 曾晖赵俊韦建卫郑艳田雕
- 关键词:第一性原理石墨烯纳米带原子结构电子能带结构
- 边缘重构对锯齿型石墨烯纳米带电子输运的影响被引量:6
- 2014年
- 实验研究表明石墨烯纳米带中广泛地存在边缘结构重构且稳定的边缘缺陷结构.本文采用第一性原理的计算方法研究了锯齿型石墨烯纳米带中边缘结构重构形成的两种不同缺陷结构对材料电子输运性能的影响.研究发现两种缺陷边缘结构对稳定纳米尺度位型结构和电子能带结构具有显著影响,它使得费米能级发生移动并引起了共振背散射.两种边缘缺陷重构均抑制了费米能级附近电子输运特性并导致不同区域的电子完全共振背散射,电导的抑制不仅与边缘缺陷结构的大小有关,它更取决于边缘缺陷重构位型引起的缺陷态的具体分布和电子能带的移动.
- 李彪徐大海曾晖
- 关键词:石墨烯纳米带电子结构电子输运
- 硼氮共掺杂碳纳米管水分子内表面吸附电子特性研究
- 2010年
- 基于第一性原理的密度泛函理论,通过迭代求解密度泛函理论近似的薛定谔方程,计算硼氮共掺杂碳纳米管体系的总能,得到了体系的几何结构和电子结构,并研究了硼氮共掺杂碳纳米管的水分子内表面吸附3种位型的吸附特性。结果表明,不论水分子初始位置如何,都将吸附在一个特定的位型上。此外,水分子吸附在体系的能隙中引入一个强局域性的吸附杂质带,导致体系的范霍夫奇异峰值发生变化,这对体系的输运和光学性能产生不可忽视的影响。
- 韦建卫曾晖田永红陶必松于永兵蔡安康陈亚强
- 关键词:碳纳米管电子结构
- 双空位缺陷对金属性碳纳米管量子电子学特性的影响研究
- 2010年
- 采用第一性原理的密度泛函理论计算方法,研究了2种不同分布的双原子空位缺陷(平行于管轴和斜交于管轴)对金属型(12,0)碳纳米管量子电子特性的影响。研究结果表明,平行于管轴的五边形-八边形-五边形(5-8-5)缺陷的转变能是最小的,是最稳定的缺陷结构分布;平行于管轴的5-8-5缺陷和斜交于管轴5-8-5缺陷都在价带部分引入了出现2个电子背散射中心,这对电子输运非常不利;斜交于管轴5-8-5缺陷比平行于管轴5-8-5缺陷对电导的抑制作用更大,这是由于斜交于管轴5-8-5缺陷破环了碳纳米管的轴向对称性。
- 曾晖韦建卫
- 关键词:空位缺陷碳纳米管电学特性
- 地方高校专业课程双语教学的探索与研究被引量:2
- 2012年
- 双语教学作为地方高校一种非常重要的教学模式已经受到普遍关注。针对目前国内地方高校专业课程双语教学的现状,结合对长江大学开展的专业课程双语教学的调查研究,并与相关双语教学人员沟通交流,分析并总结了当前我国地方高校专业课程双语教学中存在的师资力量不足、学生英语水平参差不齐、双语教材选择困难等亟待解决的几大难题,提出了对双语教学质量工程建设的几点建议,探讨了适合地方高校专业课程双语教学的模式和方法。
- 曾晖赵俊张昆实
- 关键词:双语教学
- 硼氮共掺杂单壁碳纳米管电子特性研究被引量:4
- 2011年
- 基于第一性原理的密度泛函理论、结合非平衡格林函数方法,计算了硼氮共掺杂情况下单壁碳纳米管的电子结构和输运特性。结果表明:单壁碳纳米管中进行硼氮共掺杂时,硼氮原子更趋向于形成沿管轴方向的硼氮原子对。针对硼氮共掺杂电子效应,从电子结构、态密度、透射系数、电流-电压曲线等方面进行了系统地探讨。硼氮原子对共掺杂显著提升了半导体性单壁管(10,0)的输运特性。而对于金属型(5,5)管的掺杂使得其在小偏压区间内表现出明显的半导体特性。
- 韦建卫蒲利春胡南胡慧芳曾晖梁君武
- 关键词:单壁碳纳米管电子结构
- HNO分子基态的结构与解析势能函数研究被引量:5
- 2011年
- 应用群论及原子分子反应静力学的方法,导出了HNO分子基态电子态和合理的离解极限.利用优选出的密度泛函理论B3LYP方法结合6-311G**优化计算了HNO分子基态的平衡结构和谐振频率.计算结果表明基态HNO分子稳定态为CS构型,电子组态为X1A',平衡核间距分别为RH—N=0.1065nm,RN—O=0.1200nm,键角∠H—N—O=108.60°,离解能De=15.379eV.基态简正振动频率分别为:弯曲振动频率ν1=1575.6351cm-1,对称伸缩振动频率ν2=1673.2890cm-1,反对称伸缩振动频率ν3=2837.7856cm-1.在此基础上,应用多体项展式理论导出了基态HNO分子的全空间解析势能函数,该势能函数等值势能图准确再现了HNO分子平衡结构和离解能.
- 赵俊曾晖朱正和
- 关键词:势能函数光谱常数密度泛函方法