文杰
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Ag纳米颗粒对富Ag二氧化硅薄膜电致发光谱的影响
- 2011年
- 利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶Ag),制作了电致发光结构ITO/SiO2∶Ag/p-Si,观测到了可见区的电致发光。发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提高器件的发光强度,还明显地移动电致发光的峰位。Ag含量越高,颗粒越大,发光峰位越红移。氧化硅中的发光中心与纳米Ag间的电磁相互作用,可用来定性解释这一实验结果。这种效应可把低效发光的材料转换为相对高效的发光材料。
- 冉广照文杰尤力平徐万劲
- 关键词：电致发光AG纳米颗粒
- 硅基掺锰富硅氧化硅薄膜的电致发光
- 2009年
- 硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源,文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n+型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅(SiO2∶Si)薄膜,然后用热扩散法进行了锰(Mn2+)掺杂和光学活化。高分辨透射电镜观察表明薄膜中形成了3~5 nm的硅纳米晶体。该薄膜在紫外光照射下发射出明亮的绿光,光致发光谱峰位在524 nm(2.36 eV),一般认为这是来自Mn2+能级4T1→6A1基态跃迁的绿光辐射;其荧光寿命为0.8 ms。将该掺锰富硅二氧化硅(SiO2∶Si∶Mn2+)做成电致发光结构,在低反偏电压下观察到近乎白色的电致发光(EL),光谱范围覆盖了400~800 nm。研究表明,该电致发光谱来源于薄膜中的Mn2+以及氧化硅中的缺陷发光中心两者光谱的叠加;Mn2+的发光是靠薄膜中的热电子来激发的;并由此探讨了薄膜中的硅纳米晶体在电致发光过程中的作用。
- 文杰陈挺冉广照
- 关键词：纳米硅电致发光光致发光
- 硅基氧化锌和二氧化硅薄膜发光特性
- 本文对氧化锌(ZnO)、掺锰富硅氧化硅(SiO2:Si:Mn2+)以及掺银氧化硅(SiO2:Ag)体系进行了初步的研究。这些体系分别涉及硅基半导体薄膜发光、离子发光中心掺杂以及金属纳米颗粒表面等离激元对材料发光的增强和调...
- 文杰
- 关键词：二氧化硅薄膜光致发光电致发光金属纳米颗粒表面等离激元
- 追求"双赢"-环境保护与企业经营活动的接合
- 文杰
- 关键词：环境保护
