您的位置: 专家智库 > >

徐大印

作品数:18 被引量:93H指数:4
供职机构:烟台大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金甘肃省自然科学基金河北省教育厅科研基金更多>>
相关领域:理学电子电信文化科学艺术更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇艺术

主题

  • 6篇发光
  • 5篇光致
  • 4篇氧化铝模板
  • 4篇光致发光
  • 3篇多孔硅
  • 3篇溅射
  • 3篇光发射
  • 3篇半导体
  • 2篇阳极
  • 2篇阳极氧化
  • 2篇阳极氧化铝
  • 2篇阳极氧化铝模...
  • 2篇碳化硅
  • 2篇半导体材料
  • 2篇SIC
  • 2篇表面处理
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 2篇TB
  • 1篇单相

机构

  • 12篇烟台大学
  • 4篇兰州大学
  • 3篇河北师范大学
  • 3篇中国农业大学
  • 1篇鲁东大学

作者

  • 16篇徐大印
  • 8篇吴现成
  • 4篇王文海
  • 4篇张道明
  • 3篇王印月
  • 3篇甄聪棉
  • 3篇何志巍
  • 3篇方泽波
  • 3篇赵丽丽
  • 2篇刘雪芹
  • 2篇闫大为
  • 2篇龚恒翔
  • 1篇杨咏东
  • 1篇何志巍
  • 1篇李剑平
  • 1篇刘彦平
  • 1篇黄春明
  • 1篇杨映虎
  • 1篇王春苗
  • 1篇卢振伟

传媒

  • 4篇烟台大学学报...
  • 3篇材料导报(纳...
  • 2篇物理学报
  • 2篇科技创新导报
  • 1篇物理通报
  • 1篇兰州大学学报...
  • 1篇明日风尚
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
表面处理对阳极氧化铝模板光发射性质的影响
本文利用二次阳极氧化法制备出了阳极氧化铝模板,之后利用氩离子轰击氧化铝模板的表面,研究了氩离子轰击前后氧化铝模板的光致发光性质变化和氩离子轰击对氧化铝模板光发射性能的影响。
徐大印
关键词:氧化铝表面处理光发射
文献传递
沉积在氧化铝模板上的纳米SiC的结构和发光性质研究被引量:1
2013年
用二次阳极氧化法制备了高质量的氧化铝模板,用磁控溅射法在氧化铝模板上溅射生长了非晶SiC材料.原子力显微镜结果显示,在不同的溅射气压下(0.5~1.5Pa),能够形成层状、点状和棒状的SiC纳米结构.光致发光谱显示,在550~700nm之间有一个很强的发光峰,随着生长条件的改变,这个发光峰的强度有显著的变化.分析了纳米结构的形成、发光峰的变化与制备条件的关系.
徐大印杨咏东何志巍李剑平吴现成
关键词:磁控溅射氧化铝模板SIC光致发光
退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响被引量:60
2003年
用射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了C轴取向的多晶ZnO薄膜 ,通过不同温度的退火处理 ,研究了退火对多晶ZnO薄膜结构和发光特性的影响 .由x射线衍射得知 ,随退火温度的升高 ,晶粒逐渐变大 ,薄膜中压应力由大变小至出现张应力 .光致发光测量发现 ,样品在 4 30nm附近有一光致发光峰 ,峰的强度随退火温度升高而减弱 ,联合样品电阻率随退火温度升高而逐渐变大的测量及能级图 。
方泽波龚恒翔刘雪芹徐大印黄春明王印月
关键词:发光特性退火氧化锌薄膜半导体材料
表面处理对阳极氧化铝模板光发射性质的影响
2011年
阳极氧化铝模板是一种得到广泛研究和应用的重要模板物质。针对阳极氧化铝模板的光致发光起源问题进行了探讨,主要研究了表面因素是否对阳极氧化铝的发光有影响,以及如何影响的问题。利用二次阳极氧化法制备了阳极氧化铝模板,之后利用氩离子轰击氧化铝模板的表面,在室温下测定了氩离子处理后的氧化铝模板的发光特性,研究了氩离子轰击前后氧化铝模板的光致发光性质变化和氩离子轰击对氧化铝模板光发射性能的影响。结果表明,表面因素对阳极氧化铝模板的发光有重要影响。
徐大印何志巍王文海张道明吴现成
关键词:阳极氧化氧化铝模板光致发光
模板及沉积在模板上的低维SiC及SiC:Tb材料的研究
SiC材料是第三代半导体核心材料之一,具有优异的物理化学特性,如高击穿场强、高熔点、饱和电子漂移速度大等,在高温、高频、大功率和抗辐射器件方面具有极其重要的应用价值,具有巨大的发展潜力和应用前景。但是由于SiC是一种间接...
徐大印
关键词:半导体材料碳化硅材料发光效率
文献传递
电磁感应中辅助线的运用
2016年
以法拉第电磁感应现象中的一道习题为例,简单地探讨了利用辅助线处理电磁场问题时应该注意的一些事项.
徐大印
关键词:电磁感应辅助线
直流磁控溅射镀镍的金刚石粉体的拉曼光谱
2022年
利用直流磁控溅射法在微米量级的金刚石粉体上通过改变溅射功率和溅射时间等制备条件,实现了金属镍在金刚石粉体上的有效沉积。用激光共聚焦拉曼光谱研究了溅射前后金刚石粉体的拉曼光谱;同时,利用拉曼光谱仪的mapping模式,研究了镀镍后金刚石的拉曼成像。
徐大印赵浩
关键词:磁控溅射镀镍
利用光致发光研究多孔硅制备参数对孔隙度影响
2008年
研究多孔硅制备参数对其光致发光行为的影响,是开发新型光电器件的基础。一般考虑三个主要因素:电流密度,腐蚀时间,溶液浓度,这些因素首先对孔隙度产生直接影响.本文提出利用光致发光探测一定辐照面积下吸附形成的Si-C键数量表征局部孔隙度的设想,并实际研究了电流密度和腐蚀时间对孔隙度的影响。结果表明,一定氢氟酸溶液浓度下随着电流密度的增大,孔隙度先变大后减小,主要有两方面的原因:第一个是临界电流,第二个是横向腐蚀的停止;随着腐蚀时间的延长,孔隙度不断变大。
吴现成闫大为徐大印甄聪棉
关键词:多孔硅孔隙度临界电流
多铁材料中的耦合效应和单相BiFeO_3的研究状况被引量:1
2010年
多铁材料同时自发地具有铁电性、铁磁性或铁弹性,这些性质在一定条件下相互耦合,极大地改变了多铁材料的性能。人们又发现BiFeO_3的居里温度T_c=820K和奈尔温度T_N=643K远在室温之上,在同一相中同时具有铁电有序和反铁磁有序,这样可以用外加电场控制反铁磁畴提高磁性或者用外加磁场控制铁电畴,提高极化强度,所以该材料已成为一个研究热点。主要介绍了单相BiFeO_3薄膜的结构和物理性质,同时介绍了多种提高单相BiFeO_3薄膜磁化强度、铁电性和压电性的方法。
张道明吴现成徐大印赵丽丽王文海
关键词:磁电耦合铁电性磁化强度压电性
磁场作用下氧化铝模板孔洞平行于衬底生长的方法被引量:4
2012年
通过对阳极氧化法制备氧化铝模板的原理和过程分析,提出了在阳极氧化过程中引入一定强度和方向的磁场,用以控制氧化铝模板生长过程中铝箔内部电流流向,进而实现氧化铝模板孔洞平行衬底生长的一种新方法.从而克服了传统的"一次阳极氧化"或"二次阳极氧化"方法制备的氧化铝模板只能实现氧化铝模板孔洞阵列垂直于衬底生长,限制了其在许多重要领域中的应用这一问题.在原理上探讨了用磁场控制实现氧化铝模板孔洞阵列平行于衬底生长的可行性.并设计了相应的实验装置.
徐大印何志巍王春苗吴现成
关键词:氧化铝模板阳极氧化
共2页<12>
聚类工具0