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张耀华

作品数:13 被引量:43H指数:4
供职机构:中国科学院合肥智能机械研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 8篇气敏
  • 4篇氧化锡
  • 4篇SNO
  • 2篇氧化物
  • 2篇溶胶
  • 2篇气敏器件
  • 2篇气敏特性
  • 2篇气敏性
  • 2篇气敏元件
  • 2篇胶体
  • 2篇感器
  • 2篇ITO薄膜
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇电流变
  • 1篇电流变液
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇振荡
  • 1篇振荡特性
  • 1篇溶胶-凝胶法

机构

  • 13篇中国科学院

作者

  • 13篇张耀华
  • 5篇李民强
  • 3篇张正勇
  • 3篇祁志美
  • 2篇唐红霖
  • 2篇刘锦淮
  • 1篇李宁
  • 1篇焦正
  • 1篇孙怡宁
  • 1篇谷丰

传媒

  • 3篇功能材料
  • 2篇传感技术学报
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇郑州轻工业学...
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇郑州轻工业学...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1997
  • 2篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1991
  • 1篇1989
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ITO薄膜的气敏特性被引量:9
1999年
本文研究了用胶体法制备的ITO薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ITO薄膜的气敏特性的影响.通过实验发现ITO薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性,一般催化剂型掺杂物如资金属等掺杂对提高ITO薄膜的灵敏度没有多大帮助.ITO薄膜与 SnO_2薄膜相比具有更高的稳定性.ITO薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征,又具有体效应气敏材料的敏感特性.
张正勇张耀华
关键词:ITO薄膜气敏特性掺杂
SnO_2主体材料气敏振荡特性的进一步研究被引量:2
2000年
经对以SnO2为主体材料的掺杂Pd的振荡型气敏元件的实验研究和分析,对其振荡机理获得了进一步的认识:掺杂Pd是发生电导振荡的必要条件;高浓度的H2对振荡有抑制作用;某些气体对元件的振荡特性亦能产生影响,而振荡频率的高低取决于气体吸附反应产物的能力;该类型气敏元件在低温或常温下对H2具有较好的敏感特性.
张正勇张耀华刘锦怀
关键词:氧化锡气敏器件贵金属
SnO_2-SiO_2双层薄膜氢敏元件的特性研究被引量:6
1994年
采用溶液-凝胶浸渍涂布工艺在Al_2O_3陶瓷管上制备了掺杂SnO_2气敏薄膜;利用高温热解法在SnO_2薄膜表面覆盖SiO_2气体分离膜后制得双层薄膜气敏元件。分别测试并比较单层和双层薄膜元件的气敏特性,结果表明:单层薄膜元件对可燃性气体无选择性、响应和恢复时间短;而双层薄膜元件对氢气表现出极高的灵敏度和优越的选择性,其响应和恢复时间都比单层薄膜元件有所延长,结合实验结果,从理论上阐述了双层薄膜元件对氢气的敏感机理。
祁志美张耀华李民强唐红霖
关键词:氧化物氧化锡气敏器件
厚膜pH传感器研究
1995年
用沉淀法制备pH敏感粉料。用厚膜和陶瓷技术制备pH厚膜传感器。测试了传感器的pH特性,分析了两种配方的有关物性结构。对于与敏感玻璃厚膜集成在同一基片上的加热厚膜电阻的应用亦作初步研究。
张耀华刘锦淮张正勇
关键词:PH传感器厚膜加热器
热处理对SnO_2胶体薄膜结构和气敏性能的影响被引量:4
1997年
采用Solgel方法制备SnO2胶体气敏薄膜,在400~8000C范围对薄膜进行了热处理。XRD和XPS分析表明热处理前后薄膜由非晶态转变为多晶的金红石结构。在较高温度下处理的薄膜比在较低温度下处理的薄膜有更好的结晶度,稳定性有所提高,但对气体的灵敏度下降。
张耀华李民强
关键词:晶态气敏性氧化锡
胶体敏感膜技术
2005年
编号:0501133 该项目研究了多种气体敏感材料成胶机理,采用胶体技术制备了多种超微粉和纳米薄膜材料,以及高灵敏度氢敏、酒敏和广谱气敏元件,并获得了一种制备Y-三氧化二铁薄膜的新工艺。该项目还分析了氯化亚锡乙醇溶胶的成膜机理,讨论了影响薄膜质量的因素,理论上解释了胶体敏感膜的气敏机理。
刘锦淮张耀华
关键词:氯化亚锡溶胶膜材料膜技术胶体敏感膜
一种制备γ-Fe_(2)O_(3)薄膜的新方法
1995年
采用一种简单的新工艺分别在硅片和氧化铝陶瓷基片上制备了γ-Fe_2O_3薄膜。该工艺分3步完成:首先利用Fe(NO_3)_3酒精溶液通过浸渍涂布工艺制备α-Fe_2O_3薄膜,其次α-Fe_2O_3薄膜在氢气流中、320~350℃之间热处理30min被还原为Fe_3O_4薄膜,最后Fe_3O_4薄膜在空气中250℃左右热处理30min被氧化为γ-Fe_2O_3薄膜。XRD和SEM分析结果表明该γ-Fe_2O_3薄膜呈尖晶石物相和自由取向,晶粒为针形,具有疏松多孔的微结构。
祁志美张耀华唐红霖
关键词:半导体薄膜技术氧化物半导体
高分子材料电流变液的特性研究被引量:7
2001年
以两种典型的高分子材料淀粉和甲基纤维素分别加硅油,制备了电流变液并测试了它们的动态与静态特性 ,特别研究了材料的配比、形状、颗粒尺寸等对电流变效应的影响。在流体的弹性粘度较低以及电场强度不太高的情况下,流体的力学行为可用 Binghan模型描述 ,其剪切应力正比于 电场强度的平方以及材料的重量百分浓度。
张正勇张耀华孙怡宁
关键词:剪切速率剪切应力屈服应力高分子材料
溶胶-凝胶法制备α-Fe_2O_3及其气敏性能研究①被引量:3
1997年
采用溶胶-凝胶法制备了α-Fe_2O_3纳米材料,平均粒径在10nm左右。并研究了α-Fe_2O_3的电学性能和气敏效应,发现掺杂降低了表面氧吸附-解吸活化能,提高了对还原性气体的灵敏度。据此推断α-Fe_2O_3气敏效应为表面控制型,并对其气敏机理加以探讨。
焦正张耀华
关键词:溶胶-凝胶法气敏元件气敏性能
浸渍涂布法制备ITO气敏薄膜
1994年
利用含In,Sn成分的水溶液,经浸渍涂布工艺在不同衬底上制备了ITO薄膜(掺Sn的In_2O_3薄膜)。采用XRD、XPS、SEM分析了薄膜的结构,成分和表面形貌;测试薄膜的气敏特性,发现其对NO_2有良好的选择性和灵敏度,而且薄膜显示出长时间良好的工作稳定性,可望制成实用的NO_2敏感元件。
祁志美张耀华李民强唐红霖
关键词:ITO薄膜气敏特性
共2页<12>
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