张燕文
- 作品数：11 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- MeV级高能Si离子注入GaAs的HVEM研究
- 1993年
- 研究MeV级高能n型离子注入GaAs技术,以期制备出平面结构的深埋层,从而,提高用光刻工艺制备FET和阻挡层的成品率。这在制备单片微波集成电路和光电器件方面很有意义。
- 孙贵如李国辉姬成周张燕文
- 关键词：砷化镓离子注入HVEM
- 两步快退火改善InP（Fe）中MeV硅注入层的品质被引量：1
- 1995年
- ２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢复完全，较大程度（２０％～３５％）地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在０．５～３．０μｍ的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻（７．５Ω）高浓度［（２～３）×１０１８ｃｍ－３］的ｎ型导电层。
- 姬成周张燕文李国辉王文勋苏里曼
- 关键词：磷化铟
- 离子束方法在纳米科学中的应用
- Ion beam method is based on the introduction of energetic ions into the surface layer of a solid substrate to ...
- 张燕文
- 关键词：低能离子束金属硅化物离子注入技术飞行时间硅原子
- 文献传递
- ＭｅＶ硅离子注入ＩｎＰ、ＧａＡｓ制作ｎ型埋层
- 姬成周张燕文
- 关键词：砷化镓半绝缘体半导体工艺
- MeV Si^+注入SI-GaAs的激活能研究被引量：1
- 1993年
- 报导不同注量下MeV硅离子注入半绝缘砷化镓衬底的激活能,随注量增加激活能增大。对相同注入条件分别经一步或两步快退火处理样品的电特性进行了比较,认为MeV硅离子注入砷化镓衬底的退火行为可以分为损伤恢复和杂质激活两步,其杂质激活与点缺陷的运动有关。从能量角度分析了两步快退火优于一步快退火的原因。
- 张燕文姬成周李国辉
- 关键词：MEV离子注入砷化镓激活能
- 深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果
- 1994年
- 对深亚微米器件，由于工作电压下降，要求重新确定ＬＤＤ和常规ＭＯＳＦＥＴ在ＶＬＳＩ中的作用．本文从基本器件数理方程出发，对深亚微米常规及ＬＤＤＭＯＳＦＥＴ的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟，指出了常规和ＬＤＤＭＯＳＦＥＴ各自的局限性，明确了在深亚微米ＶＬＳＩ中，ＬＤＤ仍然起主要作用。
- 余山陈达张燕文黄敞
- 关键词：MOSFET数值模拟深亚微米
- MeV P^+/Si^+共注入SI-GaAs制备高品质n^+埋层
- 1993年
- 采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P^+(3MeV,1×10^(14)～3×10^(14)cm^(-2))与MeV能量的Si^+(3MeV,1×10^(14)cm^(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余缺陷等进行了分析。研究表明,较大注量的P^+与Si^+共注入,可以降低注区薄层电阻,有效地提高MeV Si^+的激活效率,改善有源层迁移率,得到高品质的n^+埋层。共注入样品的HALL迁移率大于2400cm^2/(V·s),激活率可达95％以上。
- 姬成周张燕文李国辉王文勋
- 关键词：MEV离子注入砷化镓
- 离子束方法在纳米科学中的应用
——弹性反冲粒子探测技术、低能离子束合成表面硅化物薄膜、高能离子注入导致晶格配比不平衡分布
- Ion beam method is based on the introduction of energetic ions into the surface layer of a solid substrate to ...
- 张燕文
- MeV^（28）Si~＋注入GaAs的两步快退火行为被引量：2
- 1995年
- 从电特性、激活能、应力和剩余损伤几个方面，对ＧａＡｓ晶体中以较大剂量注入的ＭｅＶ硅原子在一步快退火、两步快退火下的行为进行了分析．经过两步快退火处理的样品，剩余位错环密度降低，晶格应力消除，注入区的结晶品质得到改善，硅原子替位所需激活能较小，提高了注入杂质电激活效率和迁移率，降低了薄层电阻．两步快退火使注入杂质在大多数辐射损伤消除后更易激活，特别适用于大剂量ＭｅＶ硅注入后的退火处理．
- 张燕文姬成周李国辉王文勋
- 关键词：砷化镓离子注入退火
- MeV硅离子注入砷化镓的两步快退火被引量：1
- 1992年
- 报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si^+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10^(14)cm^(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350～450℃),长时间(20～30 s)退火和高温(970～1050℃),短时间(1～2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30％,迁移率为2400～2 515cm^2·V^(-1)·s^(-1),薄层电阻为42～46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。
- 张燕文姬成周李国辉
- 关键词：砷化镓离子注入
