庄宝煌
- 作品数：11 被引量：9H指数：2
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- GAT的优化设计分析
- 2001年
- 通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》,定量研究了优化设计 GAT的材料参数和结构参数的关系。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：功率器件优化设计电力半导体器件
- GAT栅屏蔽效应二维解析模型被引量：3
- 2000年
- 建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：功率器件屏蔽效应解析模型
- 定量分析功率器件GAT的栅屏蔽效应被引量：1
- 1999年
- 建立了 Ｇ Ａ Ｔ 器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型，定量研究了 Ｇ Ａ Ｔ 的栅屏蔽效应的解析表达式并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实．该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考．
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠张志鹏李开航吴丽清
- 关键词：功率器件屏蔽效应解析模型
- GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析被引量：1
- 2000年
- 通过作者最近建立的关于 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：兼容性功率晶体管
- GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析被引量：1
- 2000年
- 通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了 GAT的雪崩击穿特性 ,并且定量解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：电流增益兼容性功率晶体管
- GAT双极晶体管的高频高压兼容特性被引量：1
- 2000年
- 建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的栅屏蔽效应和 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果 .该模型可供优化设计双极型高频、高压。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航吴丽清
- 关键词：双极晶体管
- 抗核辐照功率晶体管GAT优化设计的必要条件
- 2000年
- 通过关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型定量研究了优化设计 GAT的工艺参数和结构参数的关系 ,即抗核辐照器件
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠张志鹏李开航吴丽清
- 关键词：优化设计功率晶体管工艺参数
- 用GAT器件实现高电压与高频率、高电流增益兼容的定量分析
- 1999年
- 通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠张志鹏李开航吴丽清
- 关键词：功率器件电流增益
- 复杂材料体系的第一原理研究被引量：4
- 2001年
- 对复杂材料体系进行量子力学的从头计算一直是材料和物理科学研究的重要方向 .采用密度泛函理论和第一原理赝势法 ,我们对以下一些复杂的体系进行了研究 ,包括 :1)计算了铝中锂 ,硅 ,镁等重要杂质的形成能 ,说明了这些杂质形成替位的可能性 ;2 )研究了过渡金属 W,Mo和 Nb(0 0 1)表面在外加电场下的表面基态结构的改变 .发现了 W(0 0 1)和 Mo(0 0 1)表面的基态结构随着电场的增强而相变 ,而 Nb(0 0 1)表面的结构却不会改变 ;3)从第一原理的角度研究了由 Al12 X(X=C,Si,Ge)原子集团构成晶体的可能性 ,指出通过 Al12 X集团立方密堆积的方法来构造半导体是不合适的 ;4 )计算了一系列过渡金属在 Al(0 0 1)表面上的吸附 ,发现 Pt,Au吸附时的“反常”功函数变化行为 .
- 朱梓忠黄美纯张志鹏李开航庄宝煌
- 关键词：点缺陷量子力学
- 让学生从定量分析来理解基本概念
- 阐明笔者在普通物理学教学中的深刻体会,即“让学生从定量分析来理解概念是很有说服力的”.
- 庄宝煌吴孙桃郭生士
- 关键词：物理学教学
- 文献传递
