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文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 10篇存储器
  • 5篇载流子
  • 5篇细丝
  • 4篇低阻
  • 4篇电流
  • 4篇电压
  • 4篇中间态
  • 3篇电场
  • 3篇激活能
  • 2篇电极
  • 2篇电路
  • 2篇电压扫描
  • 2篇电铸
  • 2篇电子运动
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物材料
  • 2篇跃迁
  • 2篇载流子输运
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构

机构

  • 17篇中国科学院微...

作者

  • 17篇孙鹏霄
  • 17篇刘明
  • 12篇刘琦
  • 11篇吕杭炳
  • 10篇龙世兵
  • 9篇李泠
  • 9篇王明
  • 9篇卢年端
  • 6篇刘红涛
  • 6篇李阳
  • 6篇许晓欣
  • 6篇王国明
  • 6篇张美芸
  • 4篇刘若愚
  • 2篇李颖弢
  • 1篇闫小兵

年份

  • 5篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 8篇2014
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域,公开了一种具有自整流特性的阻变存储器器件及其制作方法。该阻变存储器器件结构包括:下电极、上电极、以及包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。本发明提出的阻变存储器器件结构与制备工...
刘明李颖弢龙世兵刘琦吕杭炳杨晓一孙鹏霄
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三维集成阻变存储器的热效应评估及降低热串扰的方法
一种方法,用于3D RRAM阵列的热效应评估及降低热串扰,包括步骤:步骤1,通过3D傅立叶热传导方程计算阵列中温度分布;步骤2,选择热传输模式;步骤3,选择合适的阵列结构;步骤4,分析阵列中编程器件位置对于温度的影响;步...
卢年端孙鹏霄李泠刘明刘琦吕杭炳龙世兵
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一种测量阻变存储器状态密度的方法
本发明公开了一种测量阻变存储器状态密度的方法,包括:实验测量阻变存储器电流的驰豫效应,得到该阻变存储器实验测量的电流值;根据该实验测量的电流值来选取该阻变存储器的状态密度宽度;根据选取的该阻变存储器的状态密度宽度计算得到...
卢年端李泠刘明闫小兵吕杭炳孙鹏霄
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具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域,公开了一种具有自整流特性的阻变存储器器件及其制作方法。该阻变存储器器件结构包括:下电极、上电极、以及包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。本发明提出的阻变存储器器件结构与制备工...
刘明李颖弢龙世兵刘琦吕杭炳杨晓一孙鹏霄
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改善三维集成阻变存储器耐久性的方法
本发明涉及改善三维集成阻变存储器耐久性的方法,一种方法,用于改善3D RRAM阵列的耐久性,包括:步骤1,通过3D傅立叶热传导方程计算阵列中温度分布;步骤2,选择热传输模式;步骤3,选择合适的阵列结构;步骤4,分析阵列中...
卢年端孙鹏霄李泠刘明刘琦吕杭炳龙世兵
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一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法
本发明公开了一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法,包括:计算有机半导体器件中载流子的跃迁速率,并选择一种状态密度来表示载流子的分布状况;根据计算的有机半导体器件中载流子的跃迁速率和选择的状态密度,确定能量空间中没有被载流...
卢年端李泠刘明孙鹏霄
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一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路,包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器,半导体参数分析仪作为控制平台,同时连接于探针台和脉冲源,并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形;示波器是当脉冲源...
龙世兵王国明张美芸李阳王明许晓欣刘若愚李丛飞刘红涛孙鹏霄吕杭炳刘琦刘明
一种分析阻变存储器电流波动性的方法
本发明公开了一种分析阻变存储器电流波动性的方法,该方法包括:制备各种阻变存储器;测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线,并采用0.1V的读电压,从测得的I-V曲线中读出该电压下各种阻变存储器的电流值,进而确定各种阻变存储器...
卢年端李泠刘明孙鹏霄王明
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一种测量阻变存储器激活能的方法
本发明公开了一种测量阻变存储器激活能的方法,包括:测量阻变存储器的I-V曲线,并从该I-V曲线来确定阻变存储器的低阻态电流值及高阻态电流值;计算在低阻态及高阻态下阻变存储器导电细丝中的电流;计算阻变存储器高阻态下导电细丝...
卢年端李泠刘明孙鹏霄王明刘琦
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一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路,包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器,半导体参数分析仪作为控制平台,同时连接于探针台和脉冲源,并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形;示波器是当脉冲源...
龙世兵王国明张美芸李阳王明许晓欣刘若愚李丛飞刘红涛孙鹏霄吕杭炳刘琦刘明
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共2页<12>
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