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孙玉茹

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院长春应用化学研究所更多>>
相关领域：电气工程电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇电池
  • 3篇多层结构
  • 2篇太阳电池
  • 2篇太阳能
  • 1篇导体
  • 1篇电池电极
  • 1篇电池电极材料
  • 1篇电池寿命
  • 1篇电极
  • 1篇电极材料
  • 1篇电子束法
  • 1篇栅极
  • 1篇蒸发装置
  • 1篇升华
  • 1篇太阳
  • 1篇温度
  • 1篇温度关系
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体膜
  • 1篇XPS

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇孙玉茹
  • 5篇张瑞峰
  • 4篇王给祥
  • 3篇于亚莉
  • 2篇王岚
  • 2篇李文范
  • 1篇刘波
  • 1篇王兴瑞

传媒

  • 4篇太阳能学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 3篇1992
  • 2篇1990
  • 1篇1988
  • 1篇1987
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征
1992年
研究了电子束法沉积ZnIn_2Se_4薄膜的工艺条件,所得致密、均匀膜的导电类型可以通过不同气氛处理得到控制。该膜的最佳参数为:电阻率ρ为2.35×10^(-1)Ω·cm,Hall迁移率μ_H为106cm^2·V^(-1)·S^(-1),载流子浓度N是1.51×10^(17)cm^(-3),禁带宽度E_(?)为2.23eV。采用XPS技术研究了膜的组成、结构、价态。
张瑞峰于亚莉孙玉茹李文范
多层结构蒸发源
CdS太阳电池的蒸发装置包括在一个容器内装上套有高温绝缘管的加热丝绕成4—8层结构的加热器，形成多层加热系统，在层与层之间放入待蒸发的原料。这种蒸发源重现性好，寿命长，节省原料并降低成本。制成面积为50cm<Sup>2<...
王给祥孙玉茹王岚聂全意
文献传递
薄膜Cu_2S-CaS太阳电池栅极材料的研究
1987年
薄膜 Cu2S-CdS 太阳电池的电性能参数与 P 型 Cu2S 层接触的栅极关系极大,电池的稳定性在某种程度上也取决于收集栅极的材料。Delaware 和 Stuttgart 大学[1,2]为了改善电池的稳定性,曾在 Cu2S 层蒸镀0.1nm 数量级的 Au,然后再粘网状 Cu 栅极,使电池性能有了改进。目前多采用 Cu 栅或者 Au 栅。
孙玉茹王给祥张瑞峰
关键词：太阳电池CDS栅极
薄膜CdS/Cu_2S太阳电池寿命与温度关系的探讨
1992年
一、前言 对薄膜CdS/Cu_2S光伏器件稳定性的研究表明,温度对电池寿命的影响是不可忽视的因素。J·Meikin指出,在40℃下对CdS/Cu_2S电池加热5000小时,Ⅰ_(sc)仅下降1％;对于包封电池,K.Boer得出,在60℃下加热两年电池性能没有发生衰变的结论。 我们通过对CdS/Cu_2S太阳电池的加热寿命试验,寻求器件寿命与温度间的关系。
张瑞峰孙玉茹肖树义于亚莉
关键词：太阳能电池温度
具有多层结构的新型蒸发源
1992年
本文报道了一种具有多层结构的新型蒸发源,指出了它的特点和用该蒸发源制备CdS太阳电池的结果。
王给祥孙玉茹王兴瑞王岚刘波
关键词：电池太阳能多层结构
硫化亚铜电池电极材料的研究
1990年
本文对薄膜Cu_2S-CdS太阳电池的十种栅极材料(Au、Ag、Cu、Al、Zn、Ni、Ga、ln、Cd和Ti)进行了评价,采用Ni栅极材料制作的电池,最佳电性能参量为:V_(oc)=470mV,I_(sc)=24.3mA/cm^2,FF=62％,η=6.15％,它有希望作为薄膜Cu_2S-CdS太阳电池栅极,代替价格昂贵的金栅极。采用ESCA技术分析了铝栅极材料性能欠佳的原因,指出材料的表面氧化作用导致了电池串联电阻的增加。
孙玉茹王给祥张瑞峰
关键词：电池电极材料
多层结构半导体膜的XPS和AES分析
1990年
本文采用VG ESCALAB MK-Ⅱ电子能谱仪对多层结构的薄膜Cu_2S-CdS太阳电池进行了X-光电子能谱、俄歇电子谱和深度分析。指出了电池表面的组成、结构和状态。由于制备工艺和处理方法的不同,电池表面和界面会发生变化,从而影响薄膜Cu_2S-CdS太阳电池的电性能和稳定性。本文为电池机理的研究提供了一些数据。
张瑞峰于亚莉李文范孙玉茹
关键词：半导体AESXPS
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