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孙启利: 作品数：12 被引量：11H指数：2; 供职机构：北京理工大学材料学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金云南省科技计划项目国际科技合作与交流专项项目更多>>; 相关领域：电气工程理学自动化与计算机技术电子电信更多>>

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单晶硅与非晶硅薄膜光伏组件的光电特性研究被引量：2: 2015年; 为了研究单晶硅和非晶硅三结叠层光伏组件在不同辐照强度下所表现出来的不同光电特性,采用对比测试和理论模拟的方法,分析辐照强度对这两种太阳电池光电特性的影响:对非晶和单晶硅组件而言,辐照强度引起组件的电流呈线性变化,电压变化较小,通过对比分析电流和电压的斜率,可以得到电流更容易受辐照强度变化的影响;随辐照强度的增强,单晶硅组件的填充因子和效率是先增大后减小,三结叠层非晶硅组件的填充因子先增大后减小,然而效率是持续增大的。; 王圣旭游藩孙启利王纬胡志华; 关键词：太阳电池辐照强度

不同功率微型太阳能直流水泵系统性能对比实验研究被引量：1: 2013年; 自行配置了两套微型太阳能直流水泵系统,并在昆明地区对其进行了性能测试研究.测试结果表明:提水高度在最大提水高度的0.75左右较为适用,25W、16W水泵分别在550W/m2及400W/m2时运行良好,不随辐照度的增强而变化。; 王文仪朱勋梦刘祖明廖华张剑钢昝锦羽孙启利; 关键词：辐照度

Ge填埋层应力诱导晶化多晶Si薄膜晶化特性研究: 多晶Si薄膜同时具有单晶Si高迁移率、光照稳定性及非晶硅大面积低成本制备的优点，在薄膜太阳能电池、薄膜晶体管（TFT）以及微电子集成电路等方面具有广泛应用前景。因此，尽管硅材料价格近年持续下降，对多晶Si薄膜材料的基础研...; 孙启利; 关键词：电子束蒸发非晶硅薄膜退火; 文献传递

火药温度模拟测量装置设计被引量：1: 2016年; 研制与某火箭炮推进剂温度变化特性曲线一致的替代材料,并模拟发动机装药结构进行结构设计;在此基础上,通过设计的药温实时测量装置测量该推进剂相似体,间接获取火箭炮推进剂的温度,并将数据通过串口实时可靠地传送到火控计算机用于弹道解算;该测量装置以单片机AT89S52作为主控芯片,为保证可靠性,有效利用了单片机内置的看门狗模块,温度测量利用单总线测温元件DS18B20实现,测量结果由液晶显示器显示;试验证明:药温测量精确度等各项性能指标均达到要求,完全可以满足现代火炮和火箭炮对数字化和信息化的要求。; 张文超王圣旭李升刚郭虎生孙启利徐彬睿; 关键词：数据采集 AT89S52 DS18B20

一种利用数字全息成像测量粒子周长的方法: 2017年; 为了实现粒子周长的自动测量,提出一种利用数字全息成像测量粒子周长的方法。首先,介绍了数字全息成像的基本理论。接着,给出了实验装置的结构图,并对全息再现中的自动聚焦算法进行深入研究,提出一种改进的基于小波变换的自动聚焦算法。最后,在全息再现像图像分割的基础上给出粒子周长测量的具体方法。实验结果表明,测量的海洋浮游生物周长尺寸为17.918 mm,相对误差为3.51%。这种粒子周长测量方法基本满足粒子周长测量的稳定可靠、精度高、抗干扰能力强等要求,对其他粒子形态特征参数的测量研究也具有重要的借鉴意义。; 张文超王圣旭孙启利谈世哲曾贞; 关键词：数字全息自动聚焦图像分割

退火对Ge诱导晶化多晶Si薄膜结晶特性的影响: 2012年; 本文采用磁控溅射法,衬底温度500℃下在硅衬底上分别制备具有Ge填埋层的a-Si/Ge薄膜和a-Si薄膜,并进行后续退火,采用Raman光谱、X射线衍射、原子力显微镜及场发射扫描电镜等对所制薄膜样品进行结构表征.结果表明,Ge有诱导非晶硅晶化的作用,并得出以下重要结论:衬底温度为500℃时生长的a-Si/Ge薄膜,经600℃退火5 h Ge诱导非晶硅薄膜的晶化率为44%,在相同的退火时间下退火温度提高到700℃,晶化率达54%.相同条件下,无Ge填埋层的a-Si薄膜经800℃退火5 h薄膜实现晶化,晶化率为46%.通过Ge填埋层诱导晶化可使在相同的条件下生长的非晶硅晶薄膜的晶化温度降低约200℃.Ge诱导晶化多晶Si薄膜在Si(200)方向具有高度择优取向,且在此方向对应的晶粒尺寸约为76 nm.通过Ge诱导晶化制备多晶Si薄膜有望成为制备高质量多晶Si薄膜的一条有效途径.; 康昆勇邓书康申兰先孙启利郝瑞亭化麒麟唐润生杨培志李明; 关键词：多晶硅薄膜非晶硅

叠层太阳电池中不同基质硅量子点的特性研究: 2012年; 叠层太阳电池的多能带结构设计可以有效提高太阳电池的转换效率,但是这种电池在实际制备过程中常会遇到低效率、高成本等问题。以提高效率为目的,在叠层太阳电池中引入具有量子效应的硅量子点是目前新型太阳电池研究的一大热点。文章对不同基质中硅量子点的能带模型进行了理论分析,介绍了硅量子点在几种不同基质中的形成方法及其相关性质的最新研究结果,并对比研究了SiO2、Si3N4和SiC用作硅量子点生长基质的优势与不足。; 林娟杨培志化麒麟李烨孙启利; 关键词：叠层太阳电池硅量子点

HIT太阳电池研究现状被引量：4: 2012年; 带有本征薄膜层的异质结(HIT)太阳能电池制备工艺温度低,转换效率高,高温特性好,是低价高效电池的一种。文章介绍了HIT电池的结构、原理、发展过程,着重阐述提高HIT电池效率的途径,最后对HIT电池的发展前景做了展望。; 孙启利胡志华廖华林娟安家才朱勋梦王文仪

单晶硅衬底上Ge填埋层低温应力诱导重结晶制备多晶硅薄膜被引量：2: 2013年; 本文采用电子束蒸发法,室温下在Si(400)的基片上生长含锗(Ge)填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Si substrate,并在真空中进行后续退火。采用Raman散射(Raman Scattering)、X射线衍射(X-ray Diffraction)、高分辨电子扫描显微镜(HRSEM)、光学显微镜和热重差热分析(DSC)等手段,研究退火后样品晶化特性和晶化机理。结果表明,室温下生长的含有250 nm Ge填埋层的生长态样品在400℃退火5 h,薄膜基本全部实现晶化,并表现出明显的Si(111)择优取向。样品分别在400℃、500℃、600℃和700℃退火后薄膜的横向光学波的波峰均在519cm-1附近,半高宽大约为6.1 cm-1,且均在Si(111)方向高度择优生长。退火温度为600℃的样品对应的晶粒尺寸约为20μm。然而,在相同的薄膜结构(a-Si/Ge/Si substrate)的前提下,当把生长温度提高到300℃时,温度高达到700℃退火时间5 h后,薄膜依然是非晶硅状态。差热分析表明,室温生长的样品,在后续退火过程中伴随界面应力的释放,从而诱导非晶硅薄膜重结晶成多晶硅薄膜。; 孙启利邓书康申兰先胡志华李德聪晒旭霞孟代义; 关键词：多晶硅薄膜非晶硅电子束蒸发

柔性薄膜太阳电池组件遮阴测试研究被引量：1: 2012年; 通过分析薄膜太阳电池组件的遮阴测试数据,总结了遮阴对电池组件各输出特性参数的影响。讨论了当遮阴超过87.5%时,所有测试数据为0的实验结果,并作出了合理解释。; 孙启利胡志华廖华廖承菌王伟; 关键词：输出性能