您的位置： 专家智库 > >

唐有青

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：四川大学物理科学与技术学院物理学系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇漏电流
  • 3篇氦
  • 2篇漏电
  • 2篇二极管
  • 1篇低浓
  • 1篇中低浓度
  • 1篇平面二极管
  • 1篇微孔
  • 1篇吸除
  • 1篇金属杂质
  • 1篇硅二极管
  • 1篇反向漏电
  • 1篇反向漏电流
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇硅
  • 1篇金

机构

  • 3篇四川大学
  • 1篇重庆光电技术...

作者

  • 3篇唐有青
  • 2篇游志朴
  • 2篇李恒
  • 1篇李作金
  • 1篇张坤
  • 1篇李仁豪

传媒

  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 3篇2003
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
氦诱生微孔对硅二极管漏电流特性的改善
2003年
　高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔。以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响。在适当的热处理温度和冷却条件下,观测到二极管反向漏电流的显著改善,部分样品漏电流可降低3个数量级。
唐有青李恒游志朴张坤李仁豪李作金
关键词：二极管漏电流
He^+注入诱生微孔对金吸除作用的研究被引量：1
2003年
高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金杂质吸除的研究.其结果表明,在粗糙研磨表面上形成的氦诱生微孔,同样具有良好的吸除效果.
李恒唐有青游志朴
关键词：金反向漏电流氦硅金属杂质平面二极管
氦诱生微孔对硅中低浓度杂质吸除的研究
半导体工艺中无意引入的金属杂质的污染会极大损害器件性能,为了将金属杂质从器件的有源区吸除,吸杂技术被广泛的研究,器件尺寸的不断缩小和新的金属化工艺的不断出现更需要能在低温有效吸除的技术.近年来一种新的吸杂技术-氦微孔吸杂...
唐有青
关键词：漏电流半导体工艺
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0