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周旭昌: 作品数：30 被引量：51H指数：4; 供职机构：昆明物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划云南省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>

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InAs/GaSb超晶格和M结构超晶格能带结构研究: 2021年; 本文通过k·p方法研究了传统InAs/GaSb超晶格和M结构超晶格的能带结构。首先,计算了不同周期厚度的InAs/GaSb超晶格的能带结构,得到用于长波超晶格探测器吸收层的周期结构。然后,计算了用于超晶格长波探测器结构的M结构超晶格的能带结构,并给出长波InAs/GaSb超晶格与M结构超晶格之间的带阶。最后,基于能带结构,计算出长波超晶格与M结构超晶格的态密度,进而得出的载流子浓度(掺杂浓度)与费米能级的关系。这些材料参数可以为超晶格探测器结构设计提供基础。; 李俊斌刘爱民蒋志孔金丞李东升李艳辉周旭昌杨雯; 关键词：INAS/GASB超晶格

一种用于二类超晶格能带计算的非均匀网格有限差分法: 本发明公开了一种用于超晶格能带计算的非均匀网格有限差分法，包括：(1)沿二类超晶格生长方向将单个周期厚度内的超晶格非均匀地离散为N层，形成N个节点；(2)将薛定谔方程中的哈密顿量按照k<Sub>z</Sub>的阶数展开并...; 蒋志李俊斌黄佑文周旭昌杨春章李艳辉孔金丞

亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究被引量：3: 2006年; 采用有限元法自洽求解泊松-薛定谔方程,数值模拟了一种新型的亚50nm N沟道双栅MOS场效应晶体管的电学特性,系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律.比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值电压下跌和D IBL效应以及沟道跨道,获得了最佳硅鳍宽度(Tfin)和栅极长度(Lg)参数.模拟结果与实验数据的经典数值模拟进行了比较,表明由于电子束缚效应对器件性能的影响,考虑量子效应对F inFET器件的性能优化尤其重要.; 胡伟达陈效双全知觉周旭昌陆卫; 关键词：量子力学计算短沟道效应量子效应

窄带通滤光片式的太赫兹量子阱相干光源芯片: 本发明公开了一种窄带通滤光片式的太赫兹量子阱相干光源芯片，它是利用分子束外延技术在衬底上生长一个单量子阱，再利用衬底剥离技术分别在其上下两面镀膜形成无序型薄膜，使量子阱成为窄带通滤光片的谐振腔层，整个芯片结构为窄带通滤光...; 陆卫周旭昌王少伟陈效双陈贵宾李宁李志锋; 文献传递

量子阱太赫兹多波段集成相干光源芯片及制备方法: 本发明公开了一种量子阱太赫兹多波段集成相干光源芯片及制备方法，它是通过分子束外延技术在衬底上生长一个双势阱的单量子阱结构，使双势阱内势能结构为阶梯形且阶梯倾斜；再通过脉冲激光辐照技术对量子阱的不同区域进行不同时间的辐照，...; 陆卫周旭昌陈效双陈贵宾王少伟李宁李志锋; 文献传递

立方ZnMgO基体中六方ZnO量子点的化学溶液制备技术被引量：1: 2007年; 首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法。对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、椭圆偏振光谱(SE)表征。XRD表征表明当六配位Zn2+以替位的形式取代六配位Mg2+时,会导致相同衍射条件下立方ZnMgO的2θ比立方MgO的2θ小。SE表征发现ZnO量子点的量子效应导致了ZnO量子点的激子吸收能(3.76eV)比ZnO体晶的能带隙(3.37eV)大。AFM表征表明:导致薄膜的XRD的衍射峰、α吸收峰和PL发射峰皆很宽的部分原因是由于组成所制备薄膜的晶粒尺寸分散较大、形状不一引起的。; 唐利斌段瑜郑云张筱丹赵俊周旭昌吴刚黄晖宋炳文姬荣斌; 关键词：ZNMGO 化学溶液法椭圆偏振光谱 X射线衍射

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波焦平面阵列台面ICP刻蚀技术研究: 2022年; 本文采用SiO_(2)/SiN作为掩膜对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外材料进行感应耦合等离子体(ICP)刻蚀条件研究,得到InAs/GaSbⅡ类超晶格较好的刻蚀条件以提升红外探测器性能。对ICP刻蚀过程中容易出现台面侧向钻蚀以及台面底部钻蚀两种现象进行了详细研究,通过增加SiO_(2)膜层厚度以及减小Ar气流量,可有效减少台面侧向钻蚀;通过减小下电极射频功率(RF),可有效消除台面底部钻蚀。采用适当厚度的SiO_(2)/SiN掩膜以及优化后的ICP刻蚀参数可获得光亮平整的刻蚀表面,表面粗糙度达到0.193 nm;刻蚀台面角度大于80°,刻蚀选择比大于8.5:1;采用优化后的ICP刻蚀条件制备的长波640×512焦平面器件暗电流密度降低约1个数量级,达到3×10^(-4)A/cm2,响应非均匀性、信噪比以及有效像元率等相关指标均有所提高,并获得了清晰的焦平面成像图。; 王海澎木迎春彭秋思黄佑文李俊斌龚晓丹刘玥敖雨周旭昌李东升孔金丞; 关键词：ICP刻蚀

中/长波切换工作模式的双色量子阱红外焦平面研制被引量：1: 2015年; 报道了中/长波切换工作模式的双色量子阱红外焦平面研制。通过特殊设计的器件和读出电路结构,获得了可对中波波段和长波波段选择的切换架构。突破了双色量子阱材料、器件以及读出电路等关键技术,研制出384×288规模、25μm中心距双色量子阱红外焦平面探测器。在70 K条件下器件性能优良,噪声等效温差为28 m K(中波)和30 m K(长波),响应峰值波长分别为5.1μm(中波)和8.5μm(长波)。室温目标红外成像演示了探测器的双色探测功能。; 李东升周旭昌王博木迎春; 关键词：红外成像

二类超晶格红外焦平面探测器的研究进展被引量：3: 2021年; 近几年,二类超晶格红外探测器在材料生长、器件结构设计、器件制备上经历了快速的发展,使得二类超晶格成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料。本文简要介绍了二类超晶格的优势,总结了国际上二类超晶格红外探测器研究进展,回顾了二类超晶格红外探测器的技术发展历程,并分析了国内二类超晶格材料与器件中存在的技术问题。; 李俊斌李东升吴圣娟周旭昌李艳辉杨春章杨雯蒋志常超任洋; 关键词：红外探测器焦平面