您的位置： 专家智库 > >

吴虹

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇读谱
  • 1篇氧化层
  • 1篇氧化层厚度
  • 1篇原子
  • 1篇硅原子
  • 1篇过氧
  • 1篇I-O

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇孙扬名
  • 1篇吴虹
  • 1篇李展平
  • 1篇何炜

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇1991
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
Si(111)表面早期氧化与Si-O成键过程被引量：2
1991年
用光电子谱(XPS与UPS)和俄歇直读谱峰形分析研究了Si(111)早期氧化和Si-O成键过程。说明氧吸附早期存在“过氧基分子”和氧原子在Si原子上顶位吸附两种状态。随着氧暴置量增加,过氧基分子逐渐消失,而第二层硅原子的背键位置被氧原子占有,同时存在氧原子顶位吸附。氧化层大概有3～4个原子层(约4～5A),存在类SiO_2和类SiO_4的结构,Si3p-O2p和Si3s-O2p键对氧化层俄歇峰形贡献最大。硅氧化过程似乎首先Si3p-O2p成键,随后Si3s-O2p逐步成为次强化学键。
齐彦吴虹汪容军李展平何炜孙扬名雍景荫
关键词：读谱硅原子氧化层厚度
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0