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吴晓鹏

作品数：4 被引量：4H指数：2
供职机构：北京工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇低压功率
  • 4篇槽栅
  • 3篇电阻
  • 3篇通态电阻
  • 3篇FOM
  • 2篇电力半导体
  • 2篇电力半导体器...
  • 2篇优值
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇MOSFET
  • 1篇元器件
  • 1篇金属-氧化物...
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率MOSF...
  • 1篇半导体场效应...
  • 1篇DS
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 4篇北京工业大学

作者

  • 4篇张娜
  • 4篇吴晓鹏
  • 2篇亢宝位

传媒

  • 2篇中国集成电路
  • 2篇电力电子

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2004
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)——减小器件优值FOM被引量：2
2008年
随着微电子行业的发展，微处理器正在代代更新，其性能更是迅速提高（如工作频率越来越高等），这就要求其电流不断增大。同时，为了降低功耗，电源电压必须不断降低。下一代处理器的供电电压将会降到1．1V-1．8V，电流处理能力将达到50A～100A[1]，更多的功能将被集成在一块处理器芯片上，并且处理器工作频率超过2GHz。这就对供电电源中的元器件提出了新的挑战。
张娜吴晓鹏
关键词：功率MOSFET元器件FOM槽栅
沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)——减小漏源通态电阻R_(DS(on))
2004年
近年来,采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS(on)方面的技术发展;下篇重点阐述了降低优值FoM方面的技术发展。
吴晓鹏张娜亢宝位
关键词：电力半导体器件金属-氧化物-半导体场效应晶体管通态电阻优值
沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)——减小优值FoM被引量：2
2004年
近年来,采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS(on)方面的技术发展;下篇重点阐述了降低优值FoM方面的技术发展。
张娜吴晓鹏亢宝位
关键词：电力半导体器件通态电阻优值
沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)——减小漏源通态电阻R_(ds(on))
2008年
近些年来,采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻Rds(on)方面的技术发展,下篇着重于降低优值FOM方面的技术发展。
吴晓鹏张娜
关键词：MOSFET通态电阻FOM
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