吴小亮
- 作品数：5 被引量：23H指数：2
- 供职机构：西华大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西华大学研究生创新基金教育部“春晖计划”更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 衬底和热处理温度对ZnO薄膜的微观结构的影响
- 2013年
- 采用Sol-gel法,在普通载玻片和Si(100)上使用旋转涂覆技术制备了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。利用XRD和SEM研究了衬底和热处理温度对ZnO薄膜的物相结构、表面形貌和(002)定向性的影响。结果表明,sol-gel旋涂法制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,玻璃衬底上生长的ZnO薄膜为多晶形态,Si(100)衬底表现出更优取向生长特性。随着热处理温度的升高,c轴择优取向程度逐渐增强,晶粒尺寸逐渐增大,ZnO的晶格参数先增加后减小。当温度在700℃时长出明显的柱状晶粒。
- 吴小亮丁士华杨晓静鲁云
- 关键词：SOL-GEL法C轴取向ZNO薄膜
- Nd_2O_3掺杂对BCZT陶瓷结构及介电性能的影响被引量：19
- 2013年
- 采用固相反应法制备Ba0.92-xCa0.08Ndx(Zr0.18Ti0.815Y0.0025Mn0.0025)O3(BCZT-Nd,x=0、0.005、0.010、0.020)陶瓷,研究了Nd2O3掺杂对Ba0.92Ca0.08(Zr0.18Ti0.82)O3(BCZT)陶瓷结构及介电性能的影响。结果表明,不同含量Nd3+作为施主掺杂离子进入A位和含量均为0.25%(摩尔分数)的Mn2+和Y3+作为受主掺杂进入B位均能提高BCZT陶瓷的致密性,细化晶粒作用明显,所有样品均为单一的四方BaTiO3相结构。随Nd2O3掺杂量增加,BCZT-Nd陶瓷介电峰值温度Tm向低温方向移动,相变弥散程度增强,Nd3+含量≥0.005mol时即表现出明显的弛豫铁电体特征。
- 徐琴丁士华宋天秀彭勇吴小亮
- 关键词：氧化钕掺杂介电性能弛豫铁电体
- Ba_(0.98)Bi_(0.02)(Ti_(0.9)Zr_(0.1))_(1-x)Cu_xO_3陶瓷的介电性能、弛豫行为与结晶化学特性被引量：2
- 2013年
- 采用固相合成法,Bi3+作施主掺杂A位,Cu2+作受主掺杂B位,制备了Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCuxO3(x=0,0.01,0.02,0.03)陶瓷样品。借助XRD、LCR等研究了该陶瓷的结构与介电性能。结果表明:当x=0.03时,陶瓷样品出现第二相。通过GULP模拟,缺陷偶极子的稳定性从低到高依次为:[2BiBa.+VBa″]、[2BiBa.+CuTi/Zr″]、[CuTi/Zr″+VO..],结合实验可知:介电弛豫程度与晶体中缺陷偶极子的存在形式相关,其中x=0.01时,晶体中以[2BiBa.+CuTi/Zr″]为主。随Cu2+掺杂量的增加,介电常数增加,介电常数与B位键价和呈反比变化、与八面体BO6的体积呈正比变化。
- 彭勇丁士华宋天秀王久石徐琴吴小亮
- 关键词：BA0介电弛豫
- CaF_2掺杂对α-BZN陶瓷结构与介电性能的影响被引量：1
- 2012年
- 采用固相反应法制备Bi1.5-xCaxZnNb1.5O7-yFy(0.00≤x≤0.20,以下简称BZN-x)陶瓷样品,研究了Ca2+、F-共掺杂对BZN-x陶瓷烧结特性、微观结构和介电性能的影响。结果表明:BZN-x陶瓷样品的最佳烧结温度为1 020℃,CaF2在α-BZN中的固溶度是0.05,伴随着CaF2掺杂量的增加,介电常数逐渐减小,而介电损耗先减小然后又微弱增加(测试频率为1 MHz时)。通过介电损耗、电阻率的变化确认了CaF2掺入α-BZN后的缺陷补偿方式,同时也证实随着掺杂量的增加,介电常数峰值温度向低温移动与缺陷补偿方式有关。
- 丁士华彭勇王红妮宋天秀徐琴吴小亮
- 关键词：介电性能掺杂
- 复合掺杂BCZT陶瓷的介电弛豫行为研究被引量：4
- 2013年
- 采用固相法制备了Ba0.9175Ca0.08Nd0.0025(Zr0.18Ti0.8175-xYxMn0.0025)O3(BCZT-Y,x=0、0.5mol%、0.75mol%、1.0mol%、1.5mol%、2.0mol%)铁电陶瓷,研究了不同Y3+掺杂量对该铁电陶瓷结构与介电性能的影响。结果表明:随着Y3+掺杂量增加,Y3+进入晶格,BCZT-Y陶瓷的密度从4.029 g/cm3增加到6.058 g/cm3;同时介电峰压低并展宽,居里温度向低温方向移动,表现出明显的铁电体弛豫特征,采用Lorenz型公式对该实验结果进行拟合验证,发现随着Y3+掺杂量增加,电滞回线变窄变斜、回线面积大幅减小,剩余极化强度和矫顽电场降低。
- 徐琴丁士华宋天秀彭勇吴小亮
- 关键词：介电性能弛豫铁电体电滞回线
