吕垚
- 作品数：10 被引量：12H指数：2
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 高密度Si基半导体电容器的性能及其制作
- 2010年
- 随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案。鉴于电容器被广泛用于滤波、调谐和电源回路退耦等各种板级集成封装中,采用Si MEMS工艺,在半导体表面深刻蚀三维(3D)图形以增大有效表面积,制作了一种高电容密度的半导体pn结退耦电容器,并分析研究了其主要制成工艺和性能。结果显示,所制作的电容器的电容密度达8～12nF/mm2,相比无表面三维刻蚀图形的半导体电容器电容密度增大了10倍以上,退耦频率范围为10kHz～3.2GHz,可用于中低频率较大范围内的退耦。
- 王惠娟吕垚戴丰伟万里兮
- 关键词：ICP刻蚀
- 一种沟道式电容器的制作方法
- 本发明公开了一种沟道式电容器的制作方法，包括：提供以Si为基底的高掺杂低阻半导体衬底，在衬底上生长一层SiO<Sub>2</Sub>作为掩模层、物理保护层及电学绝缘层；刻蚀SiO<Sub>2</Sub>至Si层，开出不同...
- 吕垚李宝霞万里兮
- 文献传递
- 利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法
- 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法。该电容器以一块半导体作为基材，其电容是半导体PN结的结电容，具体包括：在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特定区域内形成的PN结...
- 万里兮吕垚李宝霞
- 硅基PN结电容的研究及分析
- 以硅为基体材料，PN结为基本结构制作的无源器件具有一种电容的特性，进一步利用深硅刻蚀技术，通过在硅基材料上刻蚀深图形以增大PN结结面积从而增大电容量，这种方式制作的PN结电容结果简单，制作方便，理论上在反偏下电容值可调，...
- 王惠娟吕垚万里兮
- 关键词：寄生电感无源器件
- 文献传递
- 一种沟道式电容器的制作方法
- 本发明公开了一种沟道式电容器的制作方法，包括：提供以Si为基底的高掺杂低阻半导体衬底，在衬底上生长一层SiO<Sub>2</Sub>作为掩模层、物理保护层以及电学绝缘层；采用光刻胶掩模并按照所需要的电容量刻蚀SiO<Su...
- 吕垚李宝霞万里兮
- 硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响被引量：8
- 2009年
- 以SF6/C2H4为刻蚀气体,使用Corial200IL感应耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护气体C2H4的流量比和绝对值等工艺参数,对深Si刻蚀的形貌以及侧壁钻蚀情况进行改善,使该设备能够满足深硅刻蚀的基本要求,解决MEMS工艺及TSV工艺中的深硅刻蚀问题。实验结果表明,Corial200IL系统用SF6作等离子体刻蚀气体,对Si的刻蚀具有各向同性;C2H4作钝化气体,能够对刻蚀侧壁进行有效的保护,但由于C2H4的含量直接影响刻蚀速率和选择比,需对其含量及配比严格控制。研究结果为:SF6含量为40sccm、C2H4含量为15sccm时能够有效控制侧壁钻蚀,且具有较大的选择比,初步满足深硅槽刻蚀的条件。
- 吕垚李宝霞万里兮
- 关键词：硅刻蚀深槽刻蚀刻蚀速率选择比
- 利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器被引量：3
- 2009年
- 为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求,利用感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP),对低阻p型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射Al电极等工艺,使之形成凹槽状三维结构,制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器。其特点是结构简单,电容量大(电容密度可达2.2×10–9F/mm2),容值可调,与现有微电子工艺兼容,可用于200MHz至数GHz的退耦或其他场合。同时由于半导体pn结固有的特性,该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合。
- 吕垚李宝霞万里兮
- 关键词：结电容半导体工艺电容器
- 一种新型用于系统级封装的半导体电容器的研究
- 系统级封装(System-in-Package SiP， System-on-Package SoP)技术中，电容的集成，即埋入电容是实现SoP的关键技术之一。这归因于埋入电容有更小的寄生电感和电阻，可以应用于高频高速电...
- 吕垚
- 关键词：系统级封装埋入电容热膨胀系数焊点可靠性
- 利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法
- 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法。该电容器以一块半导体作为基材，其电容是半导体PN结的结电容，具体包括：在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特定区域内形成的PN结...
- 万里兮吕垚李宝霞
- 文献传递
- 高密度低寄生电感硅基半导体电容器的设计及验证被引量：1
- 2010年
- 采用在半导体材料表面深刻蚀三维图形以形成稳固蜂窝结构的方法,研究了一种适用于解决高频电路和系统级封装中串扰耦合问题的高密度、低寄生电感、制作及排布容易的硅基电容。结果显示,所制作的电容,其密度可增大至普通平面半导体电容的10倍以上,并较大程度地降低了电容的寄生电感,使其性能大大优于常用商业陶瓷电容,更适用于高频电路和系统级封装中的有效退耦。
- 王惠娟万里兮吕垚李宝霞高巍
- 关键词：寄生电感蜂窝结构系统级封装
