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刘融

作品数:12 被引量:7H指数:2
供职机构:东南大学更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 8篇超导
  • 4篇导体
  • 4篇BSCCO
  • 4篇超导体
  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 3篇溅射
  • 3篇半导体
  • 3篇YSZ
  • 3篇超导薄膜
  • 3篇超导膜
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结晶体管
  • 2篇晶体管
  • 2篇分形
  • 2篇半导体集成
  • 2篇半导体集成电...
  • 2篇SI
  • 1篇低频噪声
  • 1篇电流

机构

  • 11篇东南大学

作者

  • 11篇刘融
  • 10篇钱文生

传媒

  • 3篇低温与超导
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇微电子学
  • 1篇科学通报
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 7篇1996
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低频噪声SGe异质结双极晶体管的研究
随着SiGe应变层制备技术的日益成熟,SiGe HBT正逐渐成为一种非常具有应用潜力的微波器件.具有较好低频噪声性能的SiGe HBT在微波移动通信系统和微弱信号检测系统等领域都有着广泛的应用,因此该论文在理论和实验方面...
刘融
关键词:低频噪声异质结晶体管
文献传递
超导/半导兼容材料的制作及性能分析
1996年
介绍了几种结构合理的超导/半导兼容材料的制作技术及其测试结果,重点讨论了超导体(YBCO)与半导体(Si,GaAs)间缓冲层的选取,并对这几种复合材料的性能作了较详细的分析。
钱文生刘融魏同立
关键词:超导体半导体缓冲层
YSZ/Si上Bi—Sr-Ca-Cu-O超导膜中分形的形成机理
1996年
该文采用原子力显微镜观察了YSZ/Si上磁控溅射BSCCO高温超导薄膜退火中的分形区域,计算了不同退火温度下的分形维数。在未经退火,退火温度低于150℃或高于800℃时都不产生分形,200℃和450℃退火时分别产生分维为1.71和1.79的分形。在研究分形现象,并分析透射电子衍射圈(TED)后,提出在超导膜的晶化中同时存在扩散控制晶化和成核生长晶化两种机制,并且超导膜分形的产生与超导转变有着密切的联系。
钱文生刘融魏同立
关键词:分形超导薄膜
YSZ/Si上溅射BSCCO高温超导薄膜的工艺参数优化
1997年
本文研究了利用YSZ助作缓冲层Si(100)衬底上溅射BSCCO高温超导薄膜的生长工艺,分析了生长条件(主要是生长温度)对BSCCO高温超导相的影响,并提出了YSZ/Si上制备(2212)相BSCCO膜的工艺参数.
钱文生刘融魏同立
关键词:溅射BSCCO高温超导薄膜
SiGe基区异质结晶体管电流和频率特性的解析模型被引量:3
1998年
给出了一个适用于分析SiGe基区异质结晶体管电流和频率特性的解析模型,并利用该模型分析了基区掺杂和组分均级变的SiGe异质结晶体管的电流增益、截止频率、最高振荡频率。模型中考虑了由于基区重掺杂和Ge的掺入引起的禁带窄变效应、载流子速度饱和效应。解析模型的计算结果与实验的对比证实了本模型可适用于器件的优化设计和电路的模拟。
刘融钱文生魏同立
关键词:异质结晶体管电流增益频率特性解析模型
Si上Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_(7-x)超导膜分形现象的AFM观察被引量:3
1997年
利用射频磁控溅射方法,在Si衬底上用YSZ(Y稳定的ZrO_2)作为缓冲层成功地淀积了Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_(7-x)(BSCCO)超导膜,其零电阻温度T_c=82K.在利用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)作材料的表面形貌和微结构观察分析时,首次在BSCCO超导膜中观察到了分形晶化,并测得其分形维数d=1.795,本文报道了这一观察结果.
刘融钱文生魏同立
关键词:分形BSCCO超导体AFM
YSZ/Si上溅射BSCCO超导膜中的缺陷分析
1996年
该文报导了在有YSZ缓冲层覆盖的Si衬底上偏靶磁控溅射BSCCO超导薄膜的工艺条件,给出了利用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)对BSCCO膜中几种缺陷的观察结果,并讨论了为预防和减少缺陷而调整的超导膜的生长条件,提出了YSZ/Si上BSCCO的分形生长现象.
钱文生刘融魏同立
关键词:YSZBSCCO超导薄膜溅射
硅上溅射BSCCO薄膜的微结构分析
1996年
重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Si衬底上生长YSZ(Y稳定的ZrO2)缓冲层及Bi-Sr-Ca-Cu-O超导薄膜的工艺,获得了82K的超导转变温度(Ton)。利用扫描原子显微镜和原子力显微镜对不同条件下生长的YSZ和BSCCO薄膜进行了观察,提出了YSZ晶粒填补Si衬底上针孔的新功能,并验证了BSCCO薄膜的螺旋柱状生长机理。
钱文生刘融魏同立
关键词:BSCCO溅射微结构
超导/半导兼容技术的理论研究
1996年
超导器件和电路因其具有超高速度、超低功耗、超低噪声和超高可靠性等卓越性能而受到越来越多的关注。但由于其制造工艺和应用条件均不够成熟,目前尚不能真正进入实用阶段。介绍了超导/半导兼容材料,分析了材料制备中的问题,提出了相应的解决措施。
刘融钱文生魏同立
关键词:超导体电子学电子材料半导体集成电路
超导/半导兼容技术在微电子技术中的应用
1996年
该文针对VLSI系统集成度提高后产生的一些问题,提出了将超导/半导兼容技术应用于微电子技术中,并对超导/半导兼容材料的制作以及超导/半导兼容技术,包括超导引线、超导/半导兼容器件与IC、超导/半导混合IC进行了讨论.
刘融钱文生魏同立
关键词:超导微电子集成电路
共2页<12>
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